bee 曰く、

ITmediaの記事によるとエルピーダメモリがDRAMのリーク電流低減技術を開発したとのこと。

なんと、リーク電流が発生するのは自然界の仕様というわけではなくてセルトランジスタ内にある10ナノメートル程度の結晶欠陥なのだそうだ。この欠陥は特定の材料が偏って配置されることが原因ということで、この欠陥が発生しないように材料分布を調整することでリークしなくなるという。

これってDRAMにしか適用できないのだろうか。CPUの分野ではリーク電流によって消費電力が下がらないという話が出ているので、この技術を適用できればさらなる性能向上が狙えるのではないだろうか。

参考 プレスリリース