「"ionization radiation"」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a shaped article excellent in wear resistance, slidability, moisture impermeability, and the lowness in surface tack having a DLC coating film on a cured layer of an ionization radiation curable resin, a manufacturing method of the same, the shaped article, and a seal member for an electronic component and the electronic component using the shaped article obtained by the manufacturing method.例文帳に追加

耐摩耗性、摺動性、耐透湿性及び表面タック低減性に優れた、電離放射線硬化性樹脂の硬化層上にＤＬＣ皮膜を有する成形体、及びその製造方法、並びに前記成型体およびその製造方法によって得られた成形体を用いる電子部品用シール部材と電子部品を提供する。 - 特許庁

The silicone label comprises: a release liner having a release agent layer comprising an ionization radiation curable silicone release agent, applied on the surface in a pressure-sensitive adhesive layer side of a label base material having a pressure-sensitive adhesive layer on one surface of a support layer comprising a silicone resin and an inorganic powder.例文帳に追加

本発明のシリコーンラベルは、シリコーン系樹脂及び無機粉末から構成される支持体層の片面側に感圧性接着剤層を有するラベル基材の感圧性接着剤層側の表面に、電離性放射線硬化型シリコーン系剥離剤から構成される剥離剤層を有する剥離ライナーが設けられていることを特徴としている。 - 特許庁

This stereoscopic or variable printed matter has a printing segment including at least the image for stereoscopic or variable printing across a transparent primer segment on one surface of the transparent sheet-like base material and is provided with the lenticular lens by a radical polymerizable ionization radiation curing resin across the transparent primer segment on the surface on the opposite side of the transparent sheet-like base material.例文帳に追加

透明な薄板状基材の片面に、透明なプライマー部分を介して少なくとも立体又は可変印刷用の画像を含む印刷部分を有し、該透明な薄板状基材の反対側の面に、透明なプライマー部分を介してラジカル重合性の電離放射線硬化型樹脂により、レンチキュラーレンズを設けた立体又は可変印刷物である。 - 特許庁

The optical film is obtained by successively depositing (A) a hard coat layer having 2 to 20 μm thickness and containing a metal oxide and a hardened material by heat or ionization radiation and (B) a low refractive index layer containing porous silica and a polysiloxane polymer and having 1.30 to 1.45 refractive index and 40 to 200 nm thickness on at least one surface of a base film.例文帳に追加

基材フィルムの少なくとも一方の面に、（Ａ）金属酸化物と、熱又は電離放射線による硬化物とを含む厚さ２〜２０μｍのハードコート層、及び（Ｂ）多孔性シリカとポリシロキサン系ポリマーとを含み、屈折率が１.３０〜１.４５の範囲にある厚さ４０〜２００ｎｍの低屈折率層を順次積層してなる光学用フィルムである。 - 特許庁

The method includes a process of forming a resin layer (2) containing copolymers on a substrate (1), a process of irradiating a specified region of the resin layer with IR rays, visible rays, UV rays or ionization radiation (3), and a process of subjecting the resin layer after irradiation to thermal annealing treatment to develop a micro phase separation structure in the part (6) not irradiated in the resin layer.例文帳に追加

基板（１）上に、共重合ポリマーを含む樹脂層（２）を形成する工程と、前記樹脂層の所定の領域に赤外線、可視光線、紫外線または電離放射線（３）を照射する工程と、前記照射後の樹脂層に熱アニール処理を施して、前記樹脂層の未照射部（６）にミクロ相分離構造を発現させる工程とを具備することを特徴とする。 - 特許庁

In the measurement method for abrasion loss of a measurement sample surface having a substrate and a coating layer, a standard sample surface spectrum is formed by using a surface element analyzer analyzing element of a material surface from charged particle energy spectrum obtained by measuring charged particles generated out of the material surface when excited ionization radiation is irradiated to a sample identical to the measurement sample.例文帳に追加

基体と、被覆層とを有する測定試料の表面の摩耗量を測定する方法において、測定試料と同等な標準試料に、励起電離放射線を照射して物質表面から発生する荷電粒子を計測することによって得られる荷電粒子エネルギースペクトルから物質表面の元素を分析する表面元素分析装置を使用し、標準試料表面のスペクトルを作成する。 - 特許庁

The method of manufacturing a nitride compound semiconductor element includes a growth step for epitaxially growing a nitride compound semiconductor layer consisting at least of group III atoms including gallium atoms and nitrogen atoms on a substrate, and a decomposition step for decomposing a complex of group III holes and hydrogen atoms in the nitride compound semiconductor layer by irradiating the nitride compound semiconductor layer with laser light or the ionization radiation before an element structure is formed.例文帳に追加

基板上に少なくともガリウム原子を含むＩＩＩ族原子と窒素原子とからなる窒化物系化合物半導体層をエピタキシャル成長する成長工程と、素子構造形成前に、前記窒化物系化合物半導体層にレーザ光または電離放射線を照射し、前記窒化物系化合物半導体層中のＩＩＩ族空孔と水素原子との複合体を分解する分解工程と、を含む。 - 特許庁