「Solid-state」に関連した英語例文の一覧と使い方(225ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a spot-light that solves various kinds of problem of a spot-light that uses a light bulb as a single light source which generates light by heating a filament to as high a temperature as possible by having many self-luminous solid-state elements as light sources, and a light source unit for such use.例文帳に追加

フィラメントをできるだけ高温に熱して光を発生させる電球を単一光源として使用しているスポットライトの各種の問題を、多数の自発光型固体素子を光源することで解決しうるスポットライト及びその用途に適した光源ユニットを提供すること。 - 特許庁

The mirror 2 is opened/closed with its rotary shaft 2a as an axis, assumes an open state as shown by a solid line during video projection, and is tilted in a direction shown by an arrow and housed inside the housing 1 of the projection display device as shown by a broken line when a power source is turned off.例文帳に追加

非球面投射ミラー２は、非球面投射ミラー回転軸２ａを軸に開閉するようにしており映像投射時は、実線のように開状態となり、電源ＯＦＦ時は矢印の方向に倒れ、破線で示すように投射表示装置の筐体１の内部に格納される。 - 特許庁

To prevent a camera from being deteriorated by radiation, to thereby utilize a camera that uses solid state image sensors such as a CCD (Charge Coupled Device) image sensor, a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) image sensor, or the like, and further to be capable of photographing a wide range of area using a lens whose view angle is wide.例文帳に追加

カメラの放射線劣化を抑えることが出来、これによりカメラとしてＣＣＤイメージセンサ やＣＭＯＳイメージセンサ等の固体撮像素子を使用したものを利用することが出来、さらにレンズとして視野角の広いレンズを使用して広範囲なエリアの撮影を可能とする。 - 特許庁

To provide an image pickup signal clamping device capable of making a DC level constant even for a divided image with high resolution so as not to be affected by the temperature-dependent changes of a dark current and to provide an image pickup device and a solid-state image pickup device.例文帳に追加

従来は水平方向のクランプ方法が主体であり、ＨＤＴＶ方式の画素数以上の画素数を持つ動画用の固体撮像素子の撮像信号の直流クランプは実現されておらず、暗電流等の直流電位の変化の影響を防ぐことが困難である。 - 特許庁

At least one vertical type filtration body 9 comprising a material formed by vertically combining hollow and flat plates 9A provided with a filter cloth in a multistage state, is dipped for setting in a biological reaction tank 6, and the biologically reacted solution in the biological reaction tank 6 is solid-liquid separated by the filtration body 9 by making use of water head difference.例文帳に追加

濾布を設けた複数枚の中空平板９Ａを上下多段に組み合わせたものからなる少なくとも１つの縦型濾過体９を生物反応槽６内に浸漬配置し、濾過体９により水頭差を利用して、生物反応槽６内の生物反応液を固液分離する。 - 特許庁

The solid state imaging device further comprises a transfer unit 6 which transfers the charges, that are transferred from the first vertical CCDs 1, to any one of the horizontal CCD 2 or the drain 7, and a drive control unit 15 which controls the transfer unit 6 to transfer the charges to any one of the horizontal CCD 2 or the drain 7.例文帳に追加

第１垂直ＣＣＤ１により転送された電荷を、水平ＣＣＤ２及びドレイン７のいずれかに転送する転送部６と、転送部６から水平ＣＣＤ２及びドレイン７のいずれに電荷が転送されるかを制御する駆動制御部１５とを更に備える。 - 特許庁

A switch lever 61 is journaled to make it turn into a first condition (broken line) and a second state (solid line), alternately engaged with the side wall of a prize ball tank 11 by the opening and closing of a pachinko machine inner frame and a discharge arm 62 having a discharge section 70 at the tip is projected from the vicinity of a rotating shaft.例文帳に追加

パチンコ機内枠の開閉により賞球タンク１１の側壁に係合して第１状態（破線）と第２状態（実線）とに交互に回動可能に開閉レバー６１を軸支し、回転軸近傍から、先端に排出部７０を有する排出腕６２を突設する。 - 特許庁

To provide a waste liquid treating device in which sludge is made to be in the state of being coagulated easily without being affected by the difficulty of coagulation of crude sludge, etc., solid-liquid separation by an endless traveling filter cloth is made easy, the material cost, etc., such as a coagulant is saved and the prescribed concentrated sludge is invariably obtained.例文帳に追加

本発明は、原汚泥等の凝集の難易に影響されないように、汚泥を凝集し易い状態にして、エンドレスの走行ろ布による固液分離を容易にし、凝集剤等の材料費等を節約し、所定の濃縮汚泥をコンスタントに得る廃液処理装置を提供する。 - 特許庁

The melting part (1) comprises a screw (10) and a vertical type heating tube (2) which is composed of the first area part (2a) where the metallic material in the solid state is heated and the second area part (2b, 3) where a molten metallic material is stored and the heated metallic material is melted.例文帳に追加

溶融部（１）は、縦型の加熱筒（２）と、スクリュ（１０）とからなり、加熱筒（２）は固体状の金属材料を加熱する第１の領域部（２ａ）と、溶融金属材料を貯え、加熱された金属材料を溶融する第２の領域部（２ｂ、３）とから構成する。 - 特許庁

In other words, in a state in which the solid polymer type fuel cell 10 is connected to an external load, and that fuel is supplied to the fuel electrode 2, the process of supplying the air having oxygen utilization rate of 85% or more to the air electrode 1 for a prescribed period is included.例文帳に追加

つまり、固体高分子形燃料電池１０が外部負荷に接続され、燃料電極２に燃料が供給されている状態において、所定の期間、酸素利用率が８５％以上である空気を空気電極１に供給する工程を含ませる。 - 特許庁

This solid state imaging device is provided with: a light receiving section 5 that is formed in a semiconductor substrate 4; a color filter layer 13 that is formed on the semiconductor substrate 4; and a lens 11 that is formed between the semiconductor substrate 4 and the color filter layer 13 to concentrate light to the light receiving section 5.例文帳に追加

この固体撮像装置は、半導体基板４に形成された受光部５と、半導体基板４上に形成されたカラーフィルタ層１３と、半導体基板４とカラーフィルタ層１３との間に形成され、受光部５に光を集光するためのレンズ１１とを備えている。 - 特許庁

The constant current part 310 adjusts the input/output current so that an operation current Io is increased when the horizontal drive frequency of the CCD solid-state imaging element 10 is high, the operation current Io is reduced when it is low, and the operation current Io becomes zero when not capturing images.例文帳に追加

定電流部３１０は、ＣＣＤ固体撮像素子１０の水平駆動周波数が、高いときには動作電流Ｉｏが多くなり、低いときには動作電流Ｉｏが少なくなり、非撮像時には動作電流Ｉｏがゼロとなるように、入出力電流を調整する。 - 特許庁

The solid state image sensor is equipped with a color filter 15 having at least an yellow filter YE and a white filter W and comprising a resist containing a dye wherein the white filter W is formed by making the resist 12 containing the same dye as the yellow filter YE thinner than the yellow filter YE.例文帳に追加

また、少なくともイエローフィルタＹＥとホワイトフィルタＷを有し、染料含有レジストから成り、イエローフィルタとＹＥ同一の染料含有レジスト１２を、イエローフィルタＹＥの厚さより薄くしてホワイトフィルタＷが形成されたカラーフィルタ１５を備えて成る固体撮像素子を構成する。 - 特許庁

The solid-state image pickup device 1 is in a back incidence type, photoelectrically converts light from a body to be imaged entering the back S2 in the semiconductor substrate 10 inside the semiconductor substrate 10, and receives charge generated by the photoelectric conversion using the light reception section 14 for imaging the body to be imaged.例文帳に追加

固体撮像装置１は、裏面入射型であり、半導体基板１０の裏面Ｓ２に入射した被撮像体からの光を半導体基板１０の内部で光電変換し、その光電変換により発生した電荷を受光部１４で受けて当該被撮像体を撮像する。 - 特許庁

A cathode electrode 3 is formed on one face of a solid polyelectrolyte membrane 2 in a matrix state of two lines and m rows, and an anode electrode is formed on the other face of the polyelectrolyte membrane 2 in a matrix stat of two lines and m rows so as to be opposite to the cathode electrode 3.例文帳に追加

カソード電極３が固体高分子電解質膜２一面上に２行ｍ列の行列状に形成され、アノード電極が固体高分子電解質膜２の他面上にカソード電極３と相対するように２行ｍ列の行列状に形成されている。 - 特許庁

Basically, the electronic shutter mechanism of a CMOS solid-state imaging device is a rolling shutter having an exposure period shifted between pixel lines, and an exposure period of one pixel line is a period from a reading operation of the pixel line to a next reading operation of the pixel line.例文帳に追加

基本的にＣＭＯＳ固体撮像装置の電子シャッタ機能は、画素行間で露光期間がずれたローリングシャッタであり、１つの画素行の露光期間は、その画素行の読み出し動作が行われてから次にその画素行の読み出し動作が行われるまでの期間となる。 - 特許庁

In the configuration that the plurality of prisms 31 for separating the photographing light received in a plurality of solid-state imaging elements 51 into respective different wavelength bands are bonded, a protective member 71 is provided on the surface so as to cover at least a boundary part where the plurality of prisms are bonded.例文帳に追加

本発明は、複数の固体撮像素子５１にて受光する撮影光を異なる波長帯域毎に分離する複数のプリズム３１を接合した構成において、この複数のプリズムが接合する境界部分を少なくとも覆うように表面に保護部材７１を設けた。 - 特許庁

A solid-state electrolytic capacitor 1 has, on a substrate 15 having a capacitor element laminate 3 disposed on one surface and terminal electrodes 18 and 23 formed on the other surface, cut portions 24 formed reaching from the one surface to the other surface while corresponding to the terminal electrodes 18 and 23.例文帳に追加

固体電解コンデンサ１においては、一方の面にコンデンサ素子積層体３が配置されると共に他方の面に端子電極１８，２３が形成された基板１５に、一方の面から他方の面に至る切欠き部２４が各端子電極１８，２３と対応するように形成されている。 - 特許庁

The solid state imaging device of this embodiment comprises: a sample hold circuit 1 having a sampling transistor MT1 for sampling the output of the CCD and a capacitor C for holding sampled voltage; and a switching control unit 2 for controlling switching of the sampling transistor MT1.例文帳に追加

実施形態の固体撮像装置は、ＣＣＤの出力をサンプリングするサンプリング用トランジスタＭＴ１およびサンプリングされた電圧を保持するキャパシタＣを有するサンプルホールド回路１と、サンプリング用トランジスタＭＴ１のスイッチングを制御するスイッチング制御部２と、を備えている。 - 特許庁

To provide a solid state image sensor in which sensitivity can be enhanced by suppressing unevenness in sensitivity and color thereby enhancing transmissivity above a light receiving section and generation of a dark current due to hydrogen annealing can be suppressed during fabrication, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

感度ムラや色ムラの発生を抑えて、受光部上の透過率を高くして感度の向上を図ることができると共に、製造中の水素アニールにより暗電流の発生を抑制することが可能な固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The solid state image sensor 1 has a concentration distribution where the horizontal concentration distribution of the pixel separation region 25a between photosensors 3a, 3b adjoining vertically to each other has higher concentration at portions corresponding to opposite ends of the photosensor than that at a portion corresponding to the center of the photosensor.例文帳に追加

本発明の固体撮像素子１は、垂直方向に隣接するフォトセンサ３ａ及び３ｂ間の画素分離領域２５ａの水平方向の濃度分布が、フォトセンサ両端に対応する部分をフォトセンサ中央に対応する部分より高濃度にした濃度分布を有することを特徴とする。 - 特許庁

The fuel cell is manufactured (S104) by using the polymer electrolyte membrane manufactured by: a step (S100) for wetting a solid electrolyte film with water; and a step (S102) for heat-pressing the polymer electrolyte membrane with the polymer electrolyte membrane in a wetted state in water.例文帳に追加

固体電解質膜に水を湿潤させる工程（Ｓ１００）と、前記固体高分子電解質膜に水を湿潤させた状態で、当該固体高分子電解質膜をヒートプレスする工程（Ｓ１０２）と、により作製した固体高分子電解質膜を用いて燃料電池を作製する（Ｓ１０４）。 - 特許庁

To provide a solid-state image pickup element and its pixel signal processing method which can improve the amplification factor (sensitivity) of pixels while the linearity of a current-voltage converting circuit is maintained.例文帳に追加

電流電圧変換回路の十分な出力電圧レンジを確保するためにはバイアス電圧を電源電圧の約半分にしなければならなく、その結果、画素の増幅用トランジスタには電源電圧の約半分の電圧しかかからなくなるので、画素の増幅率が低下したり、リニアリティーが悪化する。 - 特許庁

The solid-state imaging device has a signal reading circuit for outputting a first drive signal on receiving a judgment signal indicating that a signal at a black level is normal and outputting a second drive signal on receiving a judgment signal indicating that the signal at the black level is abnormal.例文帳に追加

本発明の固体撮像素子は、黒レベルの信号が正常であることを示す判定信号を受けて第１の駆動信号を出力し、黒レベルの信号が異常であることを示す判定信号を受けて第２の駆動信号を出力する信号読み出し回路を有する。 - 特許庁

To provide a signal processing circuit which can perform suitable defective pixel correction processing by locally determining whether defects of pixels of the same color are consective in an array of read pixels without discriminating a readout method of a solid-state imaging element, and to provide an imaging device with the signal processing circuit.例文帳に追加

固体撮像素子の読み出し方法を区別することなく、読み出し画素の配列で同色画素の欠陥が連続しているかどうかを局所的に判別し、適切な欠陥画素補正処理を行うことができる欠陥補正回路及びそれを備えた撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a superconductive magnet device monitoring system, a superconductive magnet device monitoring method, and an MRI device capable of detecting the abnormality of a liquid helium state even in the case that the inside of a liquid helium vessel is occluded by solid air, and capable of performing maintenance on a suitably timely basis.例文帳に追加

液体ヘリウム容器内が固体空気により閉塞された場合であっても液体ヘリウムの状態の異常を検出でき、好適なタイミングでのメンテナンスの実施を可能とする超伝導磁石装置監視システム、超電導磁石装置監視方法及びＭＲＩ装置である。 - 特許庁

To provide a solid state image sensor and its driving method, in which the generation of a knee component (knee characteristics), i.e., increment in the storage quantity of charges caused by an overflow current, is suppressed without causing any deterioration in sensitivity as an image sensor or deterioration in characteristics, e.g. S/N ratio or dynamic range.例文帳に追加

撮像素子としての感度の低下や、Ｓ／Ｎ比やダイナミックレンジなどの特性の悪化を生じることなく、オーバーフロー電流に起因した蓄積電荷量の増加分であるニー成分（ニー特性）の発生を抑制する固体撮像素子および固体撮像素子の駆動方法を提供する。 - 特許庁

The invention relates to the radiation-curable resin composition for a planarized layer comprising a fluorine-containing polymer containing an ethylenic unsaturated group and a solvent, and relates to the planarized layer obtained by curing the same, and a method for producing the flattened layer position-selectively and the solid-state image sensing device comprising the planarized layer.例文帳に追加

エチレン性不飽和基含有含フッ素重合体及び溶剤を含有することを特徴とする平坦化層用放射線硬化性樹脂組成物；それを硬化させてなる平坦化層；位置選択的に平坦化層を製造する方法及びその平坦化層を含む固体撮像素子。 - 特許庁

In a solid-state imaging device 100 wherein an imaging element chip 2 is sealed within a sealing package 1 with a hollow space provided above a microlens 8, the inner surface of the sealing package 1, the surface of the imaging element chip 2, and the surfaces of bonding wires are completely covered with a protective film 4.例文帳に追加

封止パッケージ１内にて撮像素子チップ２を、そのマイクロレンズ８上に中空空間を設けて封止してなる固体撮像装置１００において、封止パッケージ１の内面、撮像素子チップ２の表面およびボンディングワイヤの表面を保護膜４で完全に覆うようにした。 - 特許庁

In the oxygen sensor, since the solid electrolyte layer 105 is printed in the classified state into a plurality of layers 105a-105c beforehand when sintering in a body each functional layer comprising different kinds of materials, a stress can be dispersed into each layer, to thereby prevent crack generation.例文帳に追加

本発明の酸素センサによれば、異種材料からなる機能層を一体焼結する際に、固体電解質層１０５が予め複数の層１０５ａ〜１０５ｃに分けて印刷されているため、それぞれの層ごとに応力を分散でき、クラックの発生を防止することができる。 - 特許庁

The solid-state imaging device includes an electric charge storage region including an n-type intermediate impurity region 11 the depth of which is deeper than the depth of an n^+-type impurity region 12 of an n-type silicon substrate 8, and shallower than the depth of an n-type impurity region 10.例文帳に追加

この固体撮像装置は、ｎ型シリコン基板８のｎ^＋型不純物領域１２の深さよりも大きく、かつ、ｎ型不純物領域１０の深さよりも小さい深さを有するｎ型中間不純物領域１１を含む電荷蓄積領域を備えている。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging element that suppresses light reflected in an inter-layer insulation layer below a light shield film among incident light made incident to a photosensor unit and leaked to a vertical electric charge transfer unit so as to reduce a smear component, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

本発明は、フォトセンサ部に入射する入射光のうち遮光膜下の層間絶縁層を反射して垂直電荷転送部に漏れ込む光を抑制してスミア成分を低減するようにした固体撮像素子及びその製造方法を提供するものである。 - 特許庁

Thus, a nonsmooth connection in the solid-state imaging element 3 is corrected by matching element sensitivity of each area to be corrected with element sensitivity of the reference area so as to separately correct an optical output component and a dark output component of the imaging pixel output voltage in the imaging area.例文帳に追加

これにより、撮像領域の撮像画素出力電圧の光出力成分と暗出力成分とが別個に補正される形で、各補正対象領域の素子感度が基準領域の素子感度に合致するようにして、固体撮像素子３のつなぎ段差が補正される。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus equipped with an AD converter for detecting the traveling position of a pulse delayed in accordance with a pixel signal and converting the pixel signal into a digital value, which can be miniaturized in obtaining a digital signal of the difference between the output of a light-shielding pixel and the output of a light-receiving pixel.例文帳に追加

画素信号に応じて遅延されるパルスの走行位置を検出して画素信号をデジタル値に変換するＡＤ変換器を備えた固体撮像装置において、遮光画素の出力と受光画素の出力との差分のデジタル信号を求めるに際し、小型化を図る。 - 特許庁

For an image (progressive image) read from a solid-state imaging device 12 by a progressive system, in order to suppress a driving frequency in a post-stage configuration, reduction processing is applied while keeping the progressive image as it is in a resolution conversion processing section 25-1 that is a first-stage resolution conversion processing section.例文帳に追加

固体撮像素子１２からプログレッシブ方式で読み出された画像（プログレッシブ画像）に対しては、後段の構成の駆動周波数を抑制するために、プログレッシブ画像のまま、初段の解像度変換処理部である解像度変換処理部２５−１において縮小処理が施される。 - 特許庁

A solid-state imaging device 100 includes a plurality of pixel circuits 111 arranged in matrix, a plurality of vertical signal lines 103, a plurality of switching transistors 114, and a plurality of column amplifiers 115 connected to the vertical signal lines 103 via the switching transistors 114.例文帳に追加

本発明に係る固体撮像装置１００は、行列状に配置された複数の画素回路１１１と、複数の垂直信号線１０３と、複数のスイッチトランジスタ１１４と、スイッチトランジスタ１１４を介して垂直信号線１０３に接続される複数の列増幅部１１５とを備える。 - 特許庁

To provide a solid state image pickup device with high reliability and improved efficiency for transferring a signal charge at a charge transfer part by forming a charge transfer well, whose electric potential is inclined along a charge transfer direction, in an area under each transfer gate of a charge transfer channel at good accuracy and reproducibility.例文帳に追加

電荷転送チャネルの各転送ゲート下の領域に、電荷転送方向に沿って電位が傾斜した電荷転送井戸を精度よくしかも再現性よく形成することができ、これにより電荷転送部での信号電荷の転送効率を改善した信頼性の高い固体撮像装置を得る。 - 特許庁

To provide a solid state image pickup device which, having a plurality of horizontal transfer sections, can perform separate transfers between the horizontal transfer sections surely, reduces the power consumption for horizontal transfers and has its pin counts for supplying drive signals reduced to a possible minimum.例文帳に追加

複数の水平転送部を備え、水平転送部間での振り分け転送を確実に行うことができ、かつ水平転送のための消費電力を低減し、かつ駆動信号を供給するためのピン数の増加をできる限り抑えた固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

An on-chip lens L1A (L1B) located substantially in the center of the light receiving surface of the solid-state image sensor 11 and corresponding to the photodiode 2 is arranged so that the center L1C when viewed from right above overlaps the center O1C (O2C) of the opening O1 (O2) when viewed from right above.例文帳に追加

固体撮像素子１１の受光面の略中央部に位置するフォトダイオード２に対応するオンチップレンズＬ１Ａ（Ｌ１Ｂ）を、真上から見たときの中心Ｌ１Ｃが対応する開口部Ｏ１（Ｏ２）の真上から見た中心Ｏ１Ｃ（Ｏ２Ｃ）と重なるように配置する。 - 特許庁

To provide a solid-state image pickup element which uses a charge-coupled device (CCD) for preventing alteration in quality and corrosion of metal-wiring layer, forming a charge detecting portion and reducing the capacity by the metal-wiring layer, without causing reduction in converting efficiency for converting signal charges into a signal voltage in the charge-detecting portion.例文帳に追加

ＣＣＤ型固体撮像素子においては、電荷検出部で信号電荷を信号電圧に変化する変換効率を低下させることなく、該電荷検出部を構成するメタル配線層の変質や腐食を防ぐことができ、該メタル配線層による容量を低減する。 - 特許庁

To provide a film laminate with the adhesive resin layer of which an organic EL element is sealed by a lamination process, namely, the top emission type organic EL element is sealed in a solid state, while keeping a uniform gap between them without mixing air bubbles in the gap and to provide a sealing material and methods for producing the film laminate and the sealing material.例文帳に追加

上面発光型有機ＥＬ素子の固体封止において、接着性樹脂層をラミネート法にて、均一なギャップで、気泡の混入のなく有機ＥＬ素子を封止するためのフィルム積層体、封止材及びそれらの製造方法を提供すること。 - 特許庁

In this solid-state imaging apparatus, a light reception portion for converting incident light to signal charge, a transfer portion for transferring the signal charge converted by the light reception portion to an output portion and the output portion for outputting the signal charge transferred from the transfer portion are formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

固体撮像装置は、入射光を信号電荷に変換する受光部、受光部で変換された信号電荷を出力部に転送する転送部、及び転送部から転送された信号電荷を出力する出力部が、半導体基板に形成されている。 - 特許庁

This aluminum foil and positive electrode active material separating method includes cutting the positive electrode material consisting of the aluminum foil and the positive electrode active material and immersing and stirring it in alkaline solution in the process of collecting valuables of the lithium ion battery, to separate and collect the aluminum foil and the positive electrode active material therefrom in the state of being solid.例文帳に追加

リチウムイオン電池の有価物回収において、アルミニウム箔と正極活物質からなる正極材を切断し、アルカリ溶液中に浸漬撹拌することにより、アルミニウム箔と正極活物質を固体のまま分離回収するアルミニウム箔と正極活物質の分離方法。 - 特許庁

Further, the solid-state imaging device includes inorganic photoelectric conversion units PD1, PD2 having a pn junction and an organic photoelectric conversion unit 39 including an organic photoelectric conversion layer 36, which are laminated in the same pixel 20 in a depth direction from the light incident side and on which light is incident without passing through a color filter.例文帳に追加

さらに、同一の画素２０内で受光面側から深さ方向に積層されてカラーフルタを介さずに光が入射される、ｐｎ接合を有する無機光電変換部ＰＤ１、ＰＤ２及び有機光電変換膜３６を有する有機光電変換部３９を有する。 - 特許庁

The solid-state imaging device has a pixel section where pixel sharing units are arranged in an array pattern, and transfer wires 35-38 that are connected with transfer gate electrodes of each transfer transistor on the pixel sharing units and are extended in a horizontal direction when viewed from above, while being arranged in parallel in a vertical direction.例文帳に追加

画素共有単位がアレイ状に配列された画素部と、画素共有単位の各転送トランジスタの転送ゲート電極に接続されて、上面から見て水平方向に延長しかつ垂直方向に並行して配列された転送配線３５〜３８を有する。 - 特許庁