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「Deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方(329ページ目) - Weblio英語例文検索
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Depositionを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 17021



例文

To obtain an electrophotographic photoreceptor excellent in deposition, wear and scuffing resistances, having very good electrophotographic characteristic such as sensitivity and residual potential and capable of exhibiting stable performance even in repetitive use and to obtain a process cartridge with the photoreceptor and an electrophotographic device.例文帳に追加

耐析出性、耐摩耗性及び耐傷性に優れた効果を有し、更に感度や残留電位等の電子写真特性も非常に良好であり、また繰り返し使用時にも安定した性能を発揮することができる電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ、電子写真装置及び該電子写真感光体の製造方法を提供する。 - 特許庁

Almost of the film deposition particles produced by making Ar ion in the plasma incident to the sputtering target 52 are ionized by the plasma in the space over the sputtering target 52 to be made incident to the surface of a work W and then a highly oriented film free from damage is deposited on the work W by controlling the potential of the surface of the work W.例文帳に追加

このようなプラズマ中のArイオンがスパッタ・ターゲット52に入射することによって生じた成膜粒子は、スパッタ・ターゲット52上空のプラズマによってそのほとんどがイオン化されてワークW表面に入射するので、ワークW表面の電位を調節することにより、ワークW上にダメージない高配向膜を形成することができる。 - 特許庁

The deposit apparatus 26 includes a processing container housing the wafer W, a holding table provided in the processing container for holding the wafer W, a resist film vapor deposition head 72 supplying vapor of a molecule resist of a low-molecular compound to the wafer W held by the holding table, and a vacuum mechanism depressurizing an atmosphere inside the processing container to a vacuum atmosphere.例文帳に追加

成膜装置26は、ウェハWを収容する処理容器と、処理容器内に設けられ、ウェハWを保持する保持台と、保持台に保持されたウェハWに対して、低分子化合物の分子レジストの蒸気を供給するレジスト膜用蒸着ヘッド72と、処理容器内の雰囲気を真空雰囲気に減圧する減圧機構と、を有している。 - 特許庁

To provide an oxide thin film or a nitride thin film deposition element which can maintain the interface property of the oxide thin film by ALD and can highly maintain the substrate certainly, and without a possibility that an ALD high film quality layer which makes an interface with the substrate may be damaged and deteriorated, by utilizing a CVD method without lowering the throughput of depositing.例文帳に追加

ALDによる酸化物薄膜又は窒化物薄膜と基板との界面特性を確実に高く維持することができると共に、成膜のスループットを低下せず、更にCVD法を利用することによって基板との界面をなすALD高膜質層が損傷劣化する虞のない酸化物薄膜又は窒化物薄膜堆積体を提供すること。 - 特許庁

例文

The perpendicular magnetic recording medium has a perpendicular magnetic layer containing Co, Pt, Cr, and at least one additive component of Mo and W, formed at 280 to 450°C film-deposition temperature and comprising a plurality of magnetic crystal particles separated by grain boundaries, wherein the additive component and chromium are segregated in the grain boundaries.例文帳に追加

Coと、Ptと、Crと、Mo及びWのうち少なくとも1つの添加成分とを含有し、280〜450℃の成膜温度で形成され、結晶粒界に隔てられた複数の磁性結晶粒子を含む構造を有し、添加成分とクロムとが結晶粒界中に偏析された垂直磁性層をもつ垂直磁気記録媒体。 - 特許庁


例文

To provide a device for cleaning the surface of a board and a device for cleaning passages on the board surface, with which the board surface can automatically be cleaned while omitting manual cleaning work by giving the action of gentle air flow to the board surface where both the devices are provided by paying attention to the fact that gentle air flow can naturally prevent the deposition phenomenon of dust.例文帳に追加

この発明は、板面の清掃に際して、汚れの原因となる塵埃の付着現象を自然に回避することができる微風に着目し、板面に対して微風作用を与えることにより人手による清掃作業を省略して自動清掃を可能にした板面掃除装置および板面通路掃除装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method for correcting pattern defects includes the steps for: feeding raw material gas to a correcting portion of a correcting object mask in a reduced-pressure atmosphere, applying an energy beam thereto, and depositing a material including silicon by energy beam-induced chemical vapor deposition; and performing either of an oxidation treatment, a nitriding treatment, and an oxynitriding treatment for at least a part of the deposited material.例文帳に追加

減圧雰囲気中で被修正マスクの修正部位に原料ガスを供給するとともにエネルギビームを照射してエネルギビーム誘起化学蒸着によりシリコンを含有する材料を堆積させる工程と、前記堆積した材料の少なくとも一部に対して酸化処理、窒化処理、或いは、酸窒化処理のいずれかを行う工程とを設ける。 - 特許庁

A CVD apparatus 1 for forming the thin film on the substrate 5 by chemical vapor deposition with the use of a production gas 6 in a chamber 10 has a gas introduction pipe 20 for introducing the production gas 6 arranged so as to contact to a wall of the chamber 10 and connected to an upper plate 11 which is arranged in the chamber 10 and supplies the production gas 6 to the substrate 5.例文帳に追加

チャンバー10内で生成ガス6を用いて化学気相成長により基板5上に薄膜を成膜するCVD装置1において、生成ガス6を導入するガス導入管20がチャンバー10の内壁に接して配管され、チャンバー10内に配置され基板5に生成ガス6を供給する上部プレート11に接続されている。 - 特許庁

In the prefilled syringe (11) in which a fixed quantity of injection (12) is sealed, the material of the prefilled syringe (11) is plastic, and a label (13) consisting of an inorganic compound vapor deposition plastic film is provided in an area of70% of the outer surface of a barrel (14) in which the injection (12) of the prefilled syringe is sealed.例文帳に追加

あらかじめ一定量の注射剤(12)が封じ込まれたプレフィルドシリンジ(11)において、プレフィルドシリンジ(11)の材質がプラスチックからなり、該プレフィルドシリンジの注射剤(12)が封じ込まれているバレル(14)部分の外側表面の70%以上の面積に無機化合物蒸着プラスチックフィルムからなるラベル(13)が設けられている。 - 特許庁

例文

A plurality of layers of SiC films 12a-12e for protecting the surface of the jig for heat treatment are formed by a method wherein the plurality of layers of SiC films 12a-12e are formed on the substrate 11 of the jig for heat treatment through CVD (chemical vapor deposition) method employing a CVD furnace different for each one layer.例文帳に追加

熱処理用治具の表面に、該表面を保護するための複数層のSiC膜12a〜12eを形成する方法であって、CVD法により熱処理用治具の基材11上に複数層のSiC膜12a〜12eを形成し、該複数層のSiC膜12a〜12eを、1層毎に異なるCVD炉を用いて形成する。 - 特許庁

例文

Thus, the boundary face of Cu and a barrier metal is not exposed, and the grain growth of Cu is not carried out in the introduction stage of Si so that the deposition of Si can be prevented even when Si is added with high concentration, and that the migration of the whole wiring or via can be suppressed since Si is uniformly introduced to the wiring or via.例文帳に追加

これにより、Siの導入段階ではCuとバリアメタルとの界面が露出しておらずCuのグレイン成長も行われていないため、Siを高濃度に添加してもSiの析出を防止することができ、配線やビア中に均一にSiが導入されているため配線やビア全体のマイグレーションを抑制することができる。 - 特許庁

The method comprises employing a mixture gas containing N_2O gas and SiH_4 gas as source gas, Ir metal as a catalyst body, contacting the mixture gas with Ir metal which is heated to 1,800°C to decompose then, generating radicals or ions of Si or O, and depositing them on a substrate as deposition seeds to form the silicon oxide film.例文帳に追加

原料ガスとしてN_2OガスとSiH_4ガスとを含有する混合気体を用い、触媒体としてIr金属を用い、1800℃に加熱したIr金属と前記混合気体とを接触分解させて、Si及びOのラジカルまたはイオンを生成し、これらを堆積種として基板上に堆積させてシリコン酸化膜を形成する。 - 特許庁

To provide a method for producing a high-quality silicon single crystal wafer and a silicon single crystal wafer, which can be appropriately used for forming the operating area of a semiconductor device, by eliminating a grown-in crystal defect over all the surface and internally forming the oxygen deposition bulk micro-defect (BMD) of density sufficient for presenting an IG effect.例文帳に追加

全面にわたってグローン・イン結晶欠陥がなく、かつ、内部にはIG効果を発揮するために十分な密度の酸素析出バルク微小欠陥(BMD)が形成されることにより、半導体素子の動作領域の形成に好適に用いることができる、高品質なシリコン単結晶ウエハを製造する方法およびシリコン単結晶ウエハを提供する。 - 特許庁

During the deposition of the amorphous silicon layer, the ratio of SiH_2 is detected by a detection means 31, the frequency of an AC voltage outputted from an AC power supply 30 is adjusted so that the ratio of SiH_2 becomes the lowest one by a frequency control means 32, and the amorphous silicon layer is film-formed on a glass substrate 10.例文帳に追加

アモルファスシリコン層の成膜中に、検出手段31によってSiH_2 の割合を検出し、周波数制御手段32によってSiH_2 の割合が最も低くなる周波数になるように交流電源30から出力される交流電圧の周波数を調整しつつ、ガラス基板10にアモルファスシリコン層を成膜していく。 - 特許庁

After completing spot welding, both electrodes 13, 14 are parted, a deposition state is discriminated based on the reaction force acted to the moving electrode 13 and the robot 2 as to whether the moving electrode 13 only is adhered by fusing or the fixed electrode 14 only is adhered by fusing or both electrodes 13, 14 are adhered by fusing.例文帳に追加

スポット溶接終了後、両電極13,14を離反させ、移動電極13およびロボット2に作用する反力に基づいて、移動電極13のみ溶着しているか、固定電極14のみ溶着しているか、両電極13,14に溶着しているか、もしくは両電極13,14とも溶着していないかを区別して溶着状態を判定する。 - 特許庁

To provide a rubber processing apparatus which reduces adhesion between rubber and metal, thus enabling prevention of deposition of the rubber to a metal surface, thereby preventing occurrence of a problem in a rubber mixing process and a die setting process and allowing to ascribe efficient rubber article manufacture regardless of rubber compounding, and a rubber processing method.例文帳に追加

ゴムと金属との間の密着力を低減させて、金属表面に対するゴムの付着を防止することができ、これによりゴム練り加工や型付加工工程における問題の発生を防止して、ゴム配合の如何にかかわらず効率的なゴム物品の製造に寄与することのできるゴム加工装置およびゴム加工方法を提供する。 - 特許庁

In this method of manufacturing the radiological image conversion panel of forming a photostimulable phosphor layer on a substrate by a vapor deposition method, a heating plate is brought into contact over the whole area formed with the photostimulable phosphor layer on a substrate face, when heating the photostimulable phosphor layer after forming the photostimulable phosphor layer on the substrate.例文帳に追加

気相堆積法によって基板上に輝尽性蛍光体層を形成する放射線像変換パネルの製造方法において、基板上に輝尽性蛍光体層を形成した後、輝尽性蛍光体層を加熱する際に、基板面の輝尽性蛍光体層が形成された領域全体に亘って加熱プレートを接触させて加熱する。 - 特許庁

A surface wave plasma treatment apparatus 1 deposits a chemical vapor deposition film on the surface of an object to be treated by generating a plasma by supplying a microwave Mw in a chamber 40, wherein a control member 30 for controlling the distribution of plasma emission is provided in contact with a dielectric electrode 22 for generating plasma or in the vicinity of the dielectric electrode 22.例文帳に追加

チャンバ40内にマイクロ波Mwを供給してプラズマを発生させ、処理対象物の表面に化学蒸着膜を形成する表面波プラズマ処理装置1であって、プラズマを発生させるための誘電体電極22に接触して、又は誘電体電極22の近傍に、プラズマ発光分布を制御するための制御部材30を備えた。 - 特許庁

A method of manufacturing the electromagnetic wave shielding material sequentially performs a pattern exposure, a development processing, a physical development and/or a deposition treatment to the original plate for the electromagnetic wave shielding material having layers which contain on a support at least the silver halide particles, a crosslinking binder resin, and a water-soluble compound which is not crosslinked with the crosslinking binder resin.例文帳に追加

支持体上に、少なくともハロゲン化銀粒子と、架橋性バインダー樹脂、及び前記架橋性バインダー樹脂に架橋していない水溶性化合物、を含有する層を有する電磁波遮蔽材料用原版に、パターン露光、現像処理、物理現像及び/又はメッキ処理、を順次行うことを特徴とする電磁波遮蔽材料の製造方法。 - 特許庁

The method includes: preparing a metal core 100; forming a first insulating layer 200 on the metal core 100 by anodizing, forming a second insulating layer 300 on the metal core 100, on which the first insulating layer 200 is formed, by the electro-deposition coating, and forming a circuit layer 400.例文帳に追加

金属コア100を準備し、該金属コア100に陽極酸化処理(anodizing)を行って第1の絶縁層200を形成し、該第1の絶縁層200の形成された金属コア100に電着塗装(Electro−deposition Coating)を行って第2の絶縁層300を形成し、回路層400を形成する。 - 特許庁

To provide a surface treatment method for stably vapor depositing an easily oxidizable vapor deposition material such as aluminum on an article to be treated such as a rare earth based permanent magnet without taking a long time for obtaining high vacuum degree and without using a special device, to provide a surface treatment apparatus suitable for performing this method, and the like.例文帳に追加

高い真空度を得るために長時間をかけたり、特別の装置を使用したりすることなく、アルミニウムのような易酸化性蒸着材料を希土類系永久磁石のような被処理物に安定に蒸着させるための表面処理方法、この方法を実施するために好適な表面処理装置などを提供すること。 - 特許庁

A liquid raw material for forming a composite oxide system dielectric thin film by the MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) method dissolves an organic metal compound (Pb(DPM)_2 and Zr(DPM)_4, Zr(dmhd)_4) wherein a plurality of ligands (DPM and dmhd) of the same kinds are coordinated with metal atoms (lead and zirconium) into a single solvent of cyclohexane.例文帳に追加

本発明のMOCVD法による複合酸化物系誘電体薄膜形成用溶液原料は、金属原子(鉛やジルコニウム)に同一種類の配位子(DPMやdmhd)を複数個配位させた有機金属化合物(Pb(DPM)_2やZr(DPM)_4、Zr(dmhd)_4)をシクロヘキサンの単一溶媒に溶解させたことを特徴とする。 - 特許庁

A method for manufacturing the separator 1 for the fuel cell is that a coating layer 14 (a carbon layer as a corrosion resistant layer) is formed on a metallic substrate 12 by combining a filterless arc ion plating method with a vapor deposition method different from the filterless arc ion plating method, and a conductive part is formed on the carbon layer by the filterless arc ion plating method.例文帳に追加

燃料電池用セパレータ1の製造方法は、フィルターレスアークイオンプレーティング法及び前記フィルターレスアークイオンプレーティング法と異なる蒸着法を併用して、金属基板12上に被覆層14(耐食層としてのカーボン層)を形成すると共に、前記フィルターレスアークイオンプレーティング法により、前記カーボン層に導電部を形成する。 - 特許庁

To inexpensively obtain a toothpaste composition having such advantages as to surely prevent dental calculus deposition and the tooth coloration due to tobacco tar merely by the use on a toothbrush in ordinary tooth brushings, enable even already deposited dental calculus and tooth coloration to be removed in a short period of time, and involve no concern of damaging gingiva and/or intrabuccal mucosa and affecting user's health.例文帳に追加

練り歯磨き組成物として、通常の歯磨きの際に歯ブラシに着けて使用するだけで、歯石の蓄積や煙草の脂による着色を確実に防止でき、既に蓄積していた歯石や歯の着色をも短期間で除去でき、歯茎や口内粘膜を傷めたり使用者の健康に害を及ぼす懸念もなく、安価に調製し得るものを提供する。 - 特許庁

Secondly, copper electrolytic plating of copper is performed by using the metal layer 6 as a deposition current path, while the first plating resist film 11 is made to remain as it is, thereby forming a columnar electrode 8 on a connection pad upper surface of the re-wiring 7 in an opening 14 in a second plating resist film 13 composed of negative type dry film resist of acryl resin.例文帳に追加

次に、第1のメッキレジスト膜11をそのまま残存させた状態で、下地金属層6をメッキ電流路として銅の電解メッキを行うことにより、アクリル系樹脂のネガ型のドライフィルムレジストからなる第2のメッキレジスト膜13の開口部14内における再配線7の接続パッド部上面に柱状電極8を形成する。 - 特許庁

To provide a thin film pattern forming method for directly forming a thin film circuit pattern using a mask by which a continuous circuit pattern difficult to be formed by mask film deposition can be formed without using any photo-lithography etching process in forming thin film circuit pattern, a pattern forming apparatus using the method, and an electronic circuit device manufactured by the forming apparatus.例文帳に追加

薄膜回路パターン形成において、ホトリソグラフィー・エッチィングプロセスを用いることなく、かつマスク成膜では難しかった連続回路パターン形成を可能とするマスクを用いた薄膜回路パターン直接形成するパターン形成方法とそれを用いたパターン形成装置、さらには該形成装置により製造された電子回路装置を提供する。 - 特許庁

The highly-functional heat insulating sheet has a structure including the followings: a core material made of a plastic foam sheet having a low thermal conductivity and containing dispersed hollow ceramic microballoon particles; aluminum alloy foils thermally deposited on both sides of the core material made of the foam sheet through aluminum deposition sheets; and further anticorrosion coating surfaces on the outside surfaces of the aluminum alloy foils.例文帳に追加

この高機能断熱シートは、微小中空セラミックバルーン微粒子を分散包含させた低熱伝導率プラスチック発泡体シートの心材と、該発泡体シートの心材の表裏に微粒子アルミ蒸着シートを介してアルミ合金箔を熱溶着し、さらに前記アルミ合金箔の各外面に対して防食コーティング面を施したものである。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus which has a function to uniformly process the surface of an image carrier to prevent image deletion and a function to prevent locally concentrated deposition of a discharge product in a part of the image carrier while the apparatus is stopped to thereby reliably prevent local image deletion, and which does not require noble metals for the toner.例文帳に追加

像担持体の表面を均一に処理して画像流れの発生を予防する機能を有する上、停止時の像担持体の一部に集中的に放電生成物が付着するのを防いで、局部的な画像流れの発生を確実に防止する機能をも有し、しかもトナーに貴金属を使用する必要のない画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a perpendicular magnetic recording medium having enhanced corrosion resistance and satisfactory electromagnetic transducing characteristics by reducing elution of Co without providing constraints on constitution of a protective layer, such as the thickness of the protective layer, a film-deposition process, layer constitution or the like in the perpendicular magnetic recording medium having a soft magnetic backing layer.例文帳に追加

軟磁性裏打ち層を有する垂直磁気記録媒体において、例えば保護層の厚さ、成膜プロセスあるいは層構成等の保護層の構成に対する制約を設けることなくCoの溶出を低減し、耐腐食性を向上し、かつ良好な電磁変換特性を有する垂直磁気記録媒体を提供することを目的とする。 - 特許庁

This indicator for the temperature hysteresis and moisture deposition hysteresis is provided with a base material applied with an indicator ink containing a granular or powdery thermally fusible substance having a melting point corresponding to a detected temperature, a granular or powdery pigment dispersible into the thermally fused substance, and a colored aqueous ink having a color tone different from that of the pigment.例文帳に追加

温度履歴および水分付着履歴インジケータは、検知すべき温度に対応する融点を持つ粒状または粉末状の熱溶融性物質と、熱溶融した該物質への拡散性がある粒状または粉末状の色素と、色素とは異なる色調の有色の水性インキとを含むインジケータインキが基材に付されたものである。 - 特許庁

To prevent valve stick due to inability for a seal ring 6 installed in a seal ring groove 5 of a butterfly valve 4 to contract by inhibiting deposition, residence or clogging of impurity contained in fluid (exhaust gas) flowing out to an exhaust system from a cylinder of an engine, in the seal ring groove 5 of the butterfly valve 4.例文帳に追加

エンジンの気筒より排気系に流出した流体(排気ガス)中に含まれる不純物がバタフライ型バルブ4のシールリング溝5内に、堆積および滞留または目詰まりするのを抑制することで、バタフライ型バルブ4のシールリング溝5内に装着されたシールリング6の収縮不能に伴うバルブティックを防止することを課題とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a functional film, which can develop a target gas barrier performance according to a film thickness and also stably form a gas barrier film excellent in temporal stability when forming an inorganic film by a plasma chemical vapor deposition (CVD) while conveying a long substrate having a surface formed of an organic material in a longitudinal direction.例文帳に追加

有機材料からなる表面を有する長尺な基板を長手方向に搬送しつつ、プラズマCVDによって、無機膜を成膜する際に、膜厚に応じた、目的とするガスバリア性能を発現でき、しかも経時安定性にも優れるガスバリア膜を、安定して形成することを可能にする機能性フィルムの製造方法を提供する。 - 特許庁

The surface treatment method is characterized in that a wire type Al vapor deposition material containing Cu and/or Mg is vaporized while continuously supplied to a heated melting and vaporizing section so as to vapor deposit an Al coating film containing Cu and/or Mg by 0.1 wt.% to 20 wt.% on the surface of the object to be treated.例文帳に追加

本発明の表面処理方法は、Cuおよび/またはMgを含むワイヤー状Al蒸着材料を、加熱した溶融蒸発部に連続供給しながら蒸発させることで、Cuおよび/またはMgを0.1wt%〜20wt%含むAl被膜を被処理物の表面に蒸着形成することを特徴とする。 - 特許庁

A nitride semiconductor element 40 includes a low-temperature deposition buffer layer 42 containing AlN on a substrate 41, a first nitride semiconductor single-crystal layer 43 containing the AlN with a first AlN molar fraction, and a second nitride semiconductor single-crystal layer 44 which contains the AlN with a second AlN molar fraction, and the second molar fraction is larger than the first one.例文帳に追加

本発明の窒化物半導素子(40)は、基板(41)上にAlNを含む低温堆積緩衝層(42)と第一のAlNモル分率でAlNを含む第一の窒化物半導体単結晶層(43)と第二のAlNモル分率でAlNを含む第二の窒化物半導体単結晶層(44)とを含み、第二のAlNモル分率が第一のAlNモル分率より大きい。 - 特許庁

To prevent such a solid as sand contained in a sludge water introduced into a sludge concentrator from being returned to a sludge water storage tank in an unconcentrated sludge water discharge stage at the time of concentrating the sludge by a sludge concentrator using a filter membrane and to prevent the deposition of the solid in the sludge water storage tank.例文帳に追加

濾過膜30を用いて汚泥の濃縮を行う汚泥濃縮装置70により汚泥の濃縮を行う場合に、汚泥濃縮装置に導入された汚泥水中に含まれる砂等の固形分が未濃縮汚泥水排出工程で汚泥水貯槽52に戻ることを防ぎ、汚泥水貯槽内に砂等の固形分が堆積することを防止する。 - 特許庁

In the display element having an electrolyte containing silver or a compound containing silver in its chemical structure and a porous white scattering layer between electrodes opposed to each other and performing driving operation of the electrodes opposed to each other so that dissolution and deposition of the silver are generated, the porous white scattering layer contains a fixed water absorbing agent.例文帳に追加

対向電極間に、銀、または銀を化学構造中に含む化合物を含有する電解質、多孔質白色散乱層を含有し、銀の溶解析出を生じさせるように該対向電極の駆動操作を行う表示素子であって、該多孔質白色散乱層が固定された吸水剤を含有することを特徴とする表示素子。 - 特許庁

The alignment film 3 and alignment film 4 are both formed by an oblique vapor-deposition method, in which alcohol is chemically bonded to a hydroxyl group present at least on the surface of an inorganic oxide film having a plurality of pores, alcohol of the alignment film 3 having a larger average molecular weight than alcohol of the alignment film 4.例文帳に追加

配向膜3および配向膜4は、いずれも、斜方蒸着法により形成され、複数の細孔を有する無機酸化物膜の少なくとも表面に存在する水酸基にアルコールを化学結合させてなるものであり、配向膜3のアルコールの平均分子量が、配向膜4のアルコールの平均分子量より大きくなっている。 - 特許庁

A temperature adjustment part 82 is controlled so that the temperature of a radiation detector 20 is within a temperature range where warpage of the radiation detector 20 caused by temperature change including the temperature when a TFT substrate 30 and a deposition layer 31 having a scintillator 8 are bonded is within a predetermined allowable amount allowing the influence on the radiation images.例文帳に追加

放射線検出器20の温度を、TFT基板30及びシンチレータ8が形成された蒸着基板31の貼り合せ時の温度を含み温度変化による放射線検出器20の反りが放射線画像への影響が許容される所定の許容量以内となる温度範囲内となるように温度調整部82で制御する。 - 特許庁

The coefficient of variation of the activator concentration in a phosphor layer surface of this radiological image conversion panel having the phosphor layer formed by a vapor-deposition method and comprising a parent component and an activator component is preferably below 40 %, more preferably below 30%, furthermore preferably below 20%, and most preferably below 10%.例文帳に追加

気相堆積法により形成された、母体成分と付活剤成分とからなる蛍光体層を有する放射線像変換パネルの蛍光体層面内の付活剤濃度の変動係数は40%以下とすることが好ましく、より好ましくは30%以下、さらに好ましくは20%以下、特に好ましくは10%以下とした。 - 特許庁

This gas analyzer 1 for analyzing a gas sample by detecting a light from the transmission window 31 provided in a measuring cell 3 supplied with the gas sample is provided with a film-like heating body 61 formed by vapor deposition onto the transmission window 31, and a pair of electrodes contacting with the film-like heating body 61 and provided opposedly.例文帳に追加

試料ガスが供給される測定セル3に設けられた透過窓31から光を検出して、前記試料ガスを分析するガス分析計1であって、前記透過窓31に蒸着して形成された膜状発熱体61と、前記膜状発熱体61に接触し、対向して設けられた一対の電極と、を備えている。 - 特許庁

To obtain a semiconductor thin film depositing system and method for forming the gate insulating film of an FET, or the like, on a semiconductor wafer, or the like, in which the film is formed while eliminating defects and impurities by controlling the quantity of a material gas being supplied to a film deposition chamber such that the material gas is not supplied excessively nor deficiently.例文帳に追加

半導体ウェハ等にFETのゲート絶縁膜などを形成するための半導体薄膜成膜装置および成膜方法について、成膜室に供給される原料ガスの量を、過剰に供給することなく、また、供給量を不足させることなく制御し、膜中の欠陥や不純物を生じさせないようにすること。 - 特許庁

In a room where a cut section to cut the printing web 14 is surrounded by a peripheral wall 30, a blowing means 32 is provided in the vicinity of a saw trunk 28 to cut the printing web so as to prevent the deposition of the dust caused in the room by scattering the dust, and sucking means 48 having an ejector mechanism are installed to suck indoor air.例文帳に追加

印刷ウェブ14の断裁が行われる切断部を周壁30で囲繞した室内において、印刷ウェブを断裁する鋸胴28の近傍に吹付手段32を設け、粉塵を飛散させて室内で発生した粉塵の堆積を防止するとともに、室内の空気を吸引するエゼクタ機構を有した吸引手段48を設置する。 - 特許庁

The film deposition apparatus 1 as a chamber 2, a holder to hold a substrate 3 and a monitor substrate 30, a heater 5, a shutter 6, a material supply source 7, a lamp 8, a light detecting means 9 to detect a reflection light of a short wavelength (first wavelength) and a reflection light of a long wavelength (second wavelength) from the substrate 30 and a control means 11.例文帳に追加

成膜装置1は、チャンバ2と、基板3 およびモニタ基板30を保持するホルダ4と、ヒータ5と、シャッタ6と、材料供給源7と、ランプ8と、モニタ基板30からの短波長(第1の波長)の反射光および長波長(第2の波長)の反射光を検出する光検出手段9と、制御手段11 とを有している。 - 特許庁

The method for forming the layered coating film having the metallic appearance includes processes of forming a coating film of a metallic coating material having 3 to 14% pigment mass concentration (PWC) of the glossy pigment produced by pulverizing a vapor deposition metal film into metal chips directly on the object or after a base coating film is formed, and then forming a clear overcoat layer on the metallic coating film.例文帳に追加

被塗物の上に直接又は下塗り塗膜層を形成した後に、蒸着金属膜を粉砕して金属片とした光輝性顔料の顔料質量濃度(PWC)が3〜14%である金属調塗料の塗膜層を形成し、形成した金属調塗膜層の上に、クリヤ上塗り塗膜層を形成する。 - 特許庁

In a biological treatment apparatus equipped with a membrane module 20 and the air diffusing pipe arranged under the membrane module 20, the floor surface of a biological treatment tank 10 is inclined to concentrate sludge on one place of the lower part of the tank to deposit the same and a sludge withdrawing pipe 50 is provided to the sludge deposition portion to perform the withdrawal of sludge corresponding to the concn. of sludge.例文帳に追加

膜モジュール20及びその下方に散気管30を備えた生物処理装置において、生物処理槽10の床面に勾配をつけて汚泥を槽下部の一カ所に集中して堆積させ、その堆積部に汚泥引き抜き管50を設け、汚泥引き抜きを汚泥濃度に応じて行う手段を設けたことを特徴とする生物処理装置。 - 特許庁

Relating to each evaporation source, the average value of the temperature of the temperature measured by the temperature sensor after the attainment of the prescribed temperature is determined, and when the measured value of the temperature by the temperature sensor attains the value obtained by adding the prescribed temperature difference value to the average value, the evaporation of the deposition material in the evaporation source attaining the temperature is made to stop.例文帳に追加

基板に膜を形成するに際して、各蒸発源について、所定の温度に達した後からの温度センサにより測定された温度の平均値を求め、温度センサによる温度の測定値が、平均値に所定の温度差値を足した値以上になったとき、温度が達した蒸発源における成膜材料の蒸発を停止させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a single crystal by which a high quality single crystal can be stably and efficiently manufactured by expanding the margin of the pulling speed F enabling the single crystal to be pulled in a desired defective region, particularly an N-region where no Cu-deposition defect is detected in manufacturing of the single crystal by a Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキー法による単結晶の製造において、所望の欠陥領域、特にCuデポジション欠陥が検出されないN領域で単結晶の引上げを行うことのできる引上げ速度Fのマージンを拡大して、高品質の単結晶を安定して効率的に製造できる単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

An Ni or Ti barrier metal layer 2 in the range of 50-150 nm thickness which is not directly reactive with Cu is formed by vapor deposition or sputtering film forming method on regions 4 times as wide as the area of a surface for laminating a semiconductor light emitting element 5 at the surface for laminating the light emitting element 5 and a light emitting surface.例文帳に追加

その後、半導体発光素子5を接着する面および光出射される側の面に、半導体発光素子5の接着面の面積の4倍に値する領域に、蒸着およびスパッタ成膜法により、銅と直接反応しないNiまたはTiからなるバリア金属層2を50nm以上150nm以下の膜厚で形成する。 - 特許庁

To provide a method for vacuum deposition, in which a film-forming condition is recognized by using luminescence from a fluorescent substance, which suitably controls film formation according to the film-forming condition, and stably forms the film having uniform and proper thickness and high quality, when forming the film containing the fluorescent substance, and provide an apparatus.例文帳に追加

蛍光体を含む膜を成膜するに際し、蛍光体の発光を利用して成膜の状態を正確に把握することができ、成膜状態に応じた成膜のコントロールを好適に行って、均一かつ適正な厚さを有する高品位な膜を、安定して成膜することが可能な真空蒸着方法および装置を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a transparent conductive coat which has both of a high conductivity and an excellent transparency and can be manufactured easily by a liquid phase deposition, to provide a transparent conductive film using the transparent conductive coat, and to provide a flexible transparent plane electrode in which a voltage fall at an electrode is controlled even in a large surface area.例文帳に追加

高い導電性と良好な透明性を併せ持ち、液相成膜により容易に製造できる透明導電膜を提供することにあり、さらに、この透明導電膜を用いた透明導電性フィルム、さらには大面積においても電極での電圧降下が抑えられたフレキシブル透明面電極を提供することにある。 - 特許庁




  
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