「Diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(121ページ目) - Weblio英語例文検索

Optical path length from the diffusion optical system 443 to the optical sensor 445 is calculated by subtracting the optical path length from the beam splitter 442 to the optical sensor 444 from the optical path length from the beam splitter 442 to the diffusion optical system 443.例文帳に追加

ただし、拡散光学系４４３から光センサ４４５までの光路長は、ビームスプリッタ４４２から光センサ４４４までの光路長をビームスプリッタ４４２から拡散光学系４４３までの光路長から減じた長さである。 - 特許庁

The light source unit is equipped with the light source 221 and the light diffusion sheet 222 arranged on the light source 221 and makes light from the light source 221 incident on a liquid crystal panel 21 via the light diffusion sheet 222.例文帳に追加

また、本発明の光源ユニット２２は、光源２２1と、前記光源２２１上に配設された光拡散シート２２２と、を具備し、前記光源２２１からの光を前記光拡散シート２２２を介して液晶パネル２１に入射させること。 - 特許庁

To provide a bubble-containing light diffusion sheet having light transmission properties and light diffusion properties which is adjustable by adjusting a position in a sheet thickness direction of a bubble layer and forming bubble layers in a plurality of positions in the sheet thickness direction.例文帳に追加

気泡層のシート厚さ方向の位置を調整したり、シート厚さ方向の複数個所に気泡層を形成したりすることにより、光透過性および光拡散性を調整することができる含気泡光拡散シートを提供する。 - 特許庁

The instruction output part 108 instructs the cell search execution part 104 to search for the cell (second cell) whose diffusion code and diffusion timing are unknown when the comparison result shows that the measured value Q is smaller than the threshold Q_th.例文帳に追加

一方、指示出力部１０８は、測定値Ｑが閾値Ｑ_ｔｈ未満であることを比較結果が示す時に拡散コードおよび拡散タイミングが未知であるセル（第２のセル）に対するセルサーチの実行をセルサーチ実行部１０４へ指示する。 - 特許庁

The n-type pillar region 15 and p-type pillar region 14 each comprises a plurality of n-type diffusion regions 15X and a plurality of p-type diffusion regions 14X formed successively along the depth of the n-type epitaxial layer 13.例文帳に追加

ｎ型ピラー領域１５及びｐ型ピラー領域１４は、ｎ型エピタキシャル層１３の深さ方向に並んで形成される複数のｎ型の拡散領域１５Ｘ及び複数のｐ型の拡散領域１４Ｘにより構成される。 - 特許庁

To provide an acrylic resin film which has durable antistatic performance, excellent in light resistance, and has good appearances, and to provide a light diffusion plate in which the acrylic resin film is laminated on at least one surface of the light diffusion plate.例文帳に追加

持続性のある帯電防止性能と優れた耐光性を有し、且つ外観が良好なアクリル樹脂フィルム、及び光拡散板の少なくとも一表面にこのアクリル樹脂フィルムが積層された光拡散板を提供する。 - 特許庁

A P^+ type channel stop layer under the source and drain region of a transfer transistor 103 is arranged such that it contacts a depletion region 208, which is formed around the floating diffusion region 106, i.e. an N^+ diffusion layer, only at E point.例文帳に追加

転送トランジスタ１０３のソースドレイン領域の下のＰ＋チャネルストップ層がＮ＋拡散層であるフローティングディフュージョン領域１０６の周りに形成される空乏層２０８と概ね点Ｅのみで接触するようにする。 - 特許庁

To obtain an air-fuel ratio sensor exhibiting a high yield of manufacture in which a stabilized pumping current can be obtained by preventing a material forming a spray layer of spinel, or the like, from adhering to a porous tubular body responsible for diffusion controlled reaction through a gas diffusion hole.例文帳に追加

拡散律速を担う多孔質筒体にガス拡散孔を介してスピネルなどの溶射層を形成する材料が付着することを防ぎ、安定したポンピング電流が得られ、製造歩留りの高い空燃比センサ素子を得る。 - 特許庁

To provide an amplifier for charge transfer devices and a solid-state imaging element, capable of preventing the charge detection sensitivity of an amplifier from decreasing, by preventing an impurity diffusion layer from being formed on a semiconductor substrate where a floating diffusion amplifier has been formed.例文帳に追加

フローティングディフュージョンアンプを形成した半導体基板に不純物拡散層が形成されることを防止することで、アンプの電荷検出感度の低下を防止できる電荷転送素子用アンプ及び固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

An instruction output part 108 instructs a cell search execution part 104 to search for a cell (first cell) whose diffusion code and diffusion timing are known when the comparison result shows that the measured value Q is not smaller than the threshold Q_th.例文帳に追加

指示出力部１０８は、測定値Ｑが閾値Ｑ_ｔｈ以上であることを比較結果が示す時に拡散コードおよび拡散タイミングが既知であるセル（第１のセル）に対するセルサーチの実行をセルサーチ実行部１０４に指示する。 - 特許庁

The light diffusion member 105 comprises a first surface 110, a second surface 120 facing the first surface 110 and a light diffusion part formed on the second surface 120 and having at least two ridges and a groove formed near the ridges.例文帳に追加

光拡散部材１０５は、第１面１１０、前記第１面１１０と向い合う第２面１２０、第２面１２０上に形成され、少なくとも二つの尾根及び尾根と近接して形成された溝を有する光拡散部を含む。 - 特許庁

The polymer electrolyte membrane 1 has an exposed part 1a protruded from the reactive layers 2a, 2b and the diffusion layers 3a, 3b with end faces of the exposed part 1a and the diffusion layers 3a, 3b covered with anion exchange resin 4.例文帳に追加

高分子電解質膜１は反応層２ａ、２ｂ及び拡散層３ａ、３ｂから突出する露出部１ａを有しており、露出部１ａ及び拡散層３ａ、３ｂの端面はアニオン交換樹脂４によって覆われている。 - 特許庁

To stably and highly efficiently manufacture a light diffusion plate of high quality free from thickness irregularity or bubbles over the whole region of its main plane even in a light diffusion plate large in an aspect ratio and the surface of the main plane.例文帳に追加

縦横比が大きく、しかも主平面の面積が大きい光拡散板でも、主平面の全域に亘って板厚むらや気泡がない高品質の光拡散板を、安定して、しかも高効率に製造可能にすること。 - 特許庁

To provide a light diffusion layer having glare shielding property and good surface hardness and to provide a light diffusive sheet with the light diffusion layer and an optical element with the light diffusive sheet.例文帳に追加

防眩性を有し、かつ良好な表面硬度を有する光拡散層を提供すること、さらには当該光拡散層を有する光拡散性シート、当該光拡散性シートが設けられている光学素子を提供すること。 - 特許庁

In the first diffusion region 102, a power supply potential VSS is supplied via wiring 112 of a first wiring layer and wiring 108 provided in a second wiring layer so as to have some overlaps with the second diffusion region 104.例文帳に追加

第１の拡散領域１０２には第１の配線層の配線１１２と、第２の拡散領域１０４と重なりを有するように第２の配線層に設けられた配線１０８とを介して、電源電位ＶＳＳが給電される。 - 特許庁

The error diffusion processing part 630 also stores the quantization error of the noticed picture element in accordance with the position of the noticed picture element in an error buffer 670 for referring to the quantization error in the error diffusion processing of an unprocessed area processed after processing of the current processing area.例文帳に追加

また、現在の処理領域の処理後に処理する未処理領域の誤差拡散処理において量子化誤差を参照するために、注目画素の位置に応じて注目画素の量子化誤差を誤差バッファ670に格納する。 - 特許庁

The impact faces 9 are positioned on the positions rotated at least by 180° or more from the position whereon the raw material charged from the raw material charge opening 1 is received by the diffusion panels 4 to the rotating direction of the diffusion panels 4.例文帳に追加

この衝突面９は、前記原料投入口１から投下された原料を前記拡散盤４が受ける位置から、前記拡散盤４の回転方向に、少なくとも１８０度以上回転させた位置に位置している。 - 特許庁

There are stacked sequentially a diffusion prevention film 22 for covering the surface of a first insulating film 14 on the upper surface 12a of a semiconductor substrate 12, a second insulating film 24 for covering the diffusion prevention film thereon, and a capping film 26 for covering the second insulating film thereon.例文帳に追加

半導体基板１２上面１２ａ上の第１絶縁膜１４の表面を覆う拡散防止膜２２、拡散防止膜上を覆う第２絶縁膜２４、及び第２絶縁膜上を覆うキャップ膜２６を順次に積層する。 - 特許庁

To provide a non-diffusing lubricant composition capable of preventing the exudation and diffusion of a silicone base oil contained in a silicone grease from the part to be lubricated and to provide a method for preventing the diffusion of the base oil.例文帳に追加

この発明は，シリコーン系グリースに含まれるシリコーン系オイルの潤滑部以外への油分の滲み出し拡散を防止することができる非拡散性潤滑剤組成物及び基油の拡散防止方法を提供することである。 - 特許庁

A P-type anode diffusion layer 2 is provided on an N-base layer 1, P-type field limiting rings 3a to 3m are provided continuously in ring form surrounding the anode diffusion layer 2, and a silicon oxide film 5 is provided on the rings 3a to 3m.例文帳に追加

Ｎ^-ベース層１上にＰ型のアノード拡散層２を設け、これを取り囲むように連続してリング状にＰ型のフィールド・リミッティング・リング３ａ〜３ｍを設け、このリング３ａ〜３ｍ上には、シリコン酸化膜５を設ける。 - 特許庁

The information presentation device generates a scatter diagram with the diffusion index as the axis of abscissa and the usage fee as the axis of ordinate by reading statistical data calculated with a city, town, village, and other governmental units as one unit on the diffusion index of a specific service and usage fee.例文帳に追加

情報提示装置は、特定のサービスの普及率、利用料などについて、市町村その他の行政界単位で集計された統計データを読込み、普及率を横軸、利用料を縦軸にとって散布図を生成する。 - 特許庁

The transistor has a first diffusion layer which is extended in the horizontal direction from a spot above the gate of the transistor provided in the trench along the substrate on the outside of the trench, and a second diffusion layer connected to the capacitor provided in the lowermost part of the trench from the lower part of the gate.例文帳に追加

トランジスタは、トレンチ内の垂直方向のゲートの上方からトレンチ外部の基板に沿って水平方向に延びる第１の拡散層と、ゲートの下部からトレンチ低部のキャパシタに接続される第２の拡散層とを有する。 - 特許庁

To provide a lower diffusion film which allows a high appearance-enhancing effect to be obtained without the considerable reduction in front brightness when being used as a lower diffusion film for a backlight used in a liquid crystal display device and can be made thin.例文帳に追加

液晶表示装置に用いられるバックライトユニット用の下拡散フィルムとして用いられたときに、正面輝度を大幅に下げることなく、高い見栄え向上効果が得られる薄膜化の可能な下拡散フィルムを提供すること。 - 特許庁

The light diffusion cover for a lighting fixture that uses an LED as a light source, is formed by using a PTFE porous film at a diffusion part of light emitted from the light source.例文帳に追加

本発明に係る光拡散カバーは、ＬＥＤを光源とする照明器具の光拡散カバーであって、該光拡散カバーは、光源から発せられる光の拡散部にＰＴＦＥの多孔質膜が使用されてなることを特徴とするものである。 - 特許庁

In addition, by performing the heat treatment to the preform 32 in the atmosphere of gaseous nitrogen, the Fe-based alloy having layers which has a diffusion layer 20 formed by the diffusion of carbide and nitride in a base material can be obtained.例文帳に追加

さらに、予備成形体３２に対して窒化ガス雰囲気中で熱処理を施すことにより、前記炭化物、窒化物が母材中に拡散することによって形成された拡散層２０を有する有層Ｆｅ基合金が得られる。 - 特許庁

Then, the titanium layer 6 touching the p^+-type diffusion layer 4 is partially formed as silicide through heat treatment shown in Figure (b), and consequently the silicide layers 7a and 7b are formed on the surface of the p^+-type diffusion layer 4.例文帳に追加

その後、図２（ｂ）に示すように熱処理を行うことにより、Ｐ＋型拡散層４と接触したチタン層６が部分的にシリサイド化され、Ｐ＋型拡散層４の表面にそれぞれチタンシリサイド層７ａ，７ｂが形成される。 - 特許庁

To cause neither generation of a vibration sound from a lock hole of a diffusion plate of a backlight device nor rubbing even in a vibration environment, to eliminate damage to an optical sheet, and to adapt the backlight device to thermal expansion of the diffusion plate.例文帳に追加

振動環境下であっても、バックライト装置における拡散板の係止孔から振動音やコスレが発生することなく、また、光学シートを傷つけることなく、さらには、拡散板の熱膨張にも対応可能にする。 - 特許庁

By this, since the stray light SL is not directly irradiated behind the diffusion plate 4, for example, the occurrence of the overheating and deterioration of a member or the like made of an organic material positioned behind the diffusion plate 4 can be reduced.例文帳に追加

これにより、拡散板４より後方には、迷光ＳＬが直接照射されないので、例えば、拡散板４より後方にある有機材料製の部材等の過熱や劣化が生じることを低減させることができる。 - 特許庁

Moreover, a diffusion chamber inflow path 18 makes a vent path 12 on the outflow side communicate with the inflow opening 17A for powdered medicine and a diffusion chamber outflow path makes the outflow opening 17B for powdered medicine communicate with the inhalation port 13.例文帳に追加

さらに、拡散室流入通路１８は流出側通気路１２を薬粉用流入開口１７Ａに連通し、拡散室流出通路は薬粉用流出開口１７Ｂを吸入口１３に連通させる。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor substrate (1), a p-type impurities diffusion layer (2) formed on the semiconductor substrate, and Ni silicide (3) formed on the diffusion layer, wherein it has an alignment mark (6) for lithography on its Ni silicide.例文帳に追加

半導体基板（１）と、前記半導体基板に形成されたｐ型不純物拡散層（２）と、前記拡散層上に形成されたＮｉシリサイド（３）と、を備え、前記Ｎｉシリサイド上にリソグラフィー用の合わせマーク（６）を有する。 - 特許庁

Then, by using the resist 9B as a mask, P (phosphorus) ions of a second dosing amount larger than the first dosing amount are so implanted into the region 15C as to form an n-type diffusion region 10C adjacently to the p-type diffusion region 8D.例文帳に追加

そして、レジスト９Ｂをマスクとして、第１のドーズ量よりも大きい第２のドーズ量のＰ（リン）イオンが領域１５Ｃ上に注入され、ｐ型拡散領域８Ｄに隣接してｎ型拡散領域１０Ｃが形成される。 - 特許庁

An anti-fuse consisting of an NMOS transistor or an NMOS capacitor includes a first terminal connected to a gate electrode, a second terminal connected to a diffusion layer, and a gate insulation film interposed between the gate electrode and the diffusion layer.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタあるいはＮＭＯＳキャパシタを用いたアンチヒューズは、ゲート電極に接続された第１端子と、拡散層に接続された第２端子と、ゲート電極と拡散層との間に介在するゲート絶縁膜と、を備える。 - 特許庁

Since the diffusion control layer 9 controls the diffusion of gas at a proper speed, the overshooting of the resistance change can be appropriately suppressed even if substance with improved sensitivity such as SnO2 is used as the oxide semiconductor 7.例文帳に追加

拡散制御層９が上記ガスの拡散を適切な速度に制御するため、ＳｎＯ_2 のように感度が優れた物質を酸化物半導体７として使用しても、抵抗値変化のオーバーシュートを良好に抑制することができる。 - 特許庁

Thus, a pn junction between the n well 1 and the p^+ diffusion region 2 and that between the n well 1 and the p^+ diffusion region 3 operate as the pn varactor whose capacitance changes by the control voltage VT.例文帳に追加

これにより，ｎウェル１とｐ^+ 拡散領域２との間のｐｎ接合と，ｎウェル１とｐ^+ 拡散領域３との間のｐｎ接合とがともに，制御電圧ＶＴによりキャパシティが変化するｐｎバラクタとして動作する。 - 特許庁

In the element 31, quantity of current flowing from one source/drain diffusion region to the other source/drain diffusion region upon application of a voltage to the gate electrode 3 can be varied depending on the quantity of charges held in the charge holding section 10.例文帳に追加

素子３１では、電荷保持部１０に保持された電荷の多寡により、ゲート電極３に電圧を印加した際の一方のソース／ドレイン拡散領域から他方のソース／ドレイン拡散領域に流れる電流量を変化させ得る。 - 特許庁

As the light from the sub-discharging arc S and the main discharging arc M hit an electrode and diffused ( diffusion reflection) by diffusion means 22, 32, 42, the influence on the light distribution of the reflector 90 is small.例文帳に追加

また、光拡散手段２２、３２、４２により、サブ放電アークＳ、メイン放電アークＭからの光が電極に当たって拡散（拡散反射）されるので、配光、すなわち、リフレクタ９０の配光への影響がない、もしくは、少ない。 - 特許庁

The electrolyte membrane sheet 1 and the long diffusion sheet 20b are cut by inserting cutting blades 41 toward an anvil roller 43 from regions 25 without having the diffusion layers 21 on the one-side surface side of the electrolyte membrane sheet 1.例文帳に追加

電解質膜シート１の一方の面側における拡散層２１の存在しない領域２５から切断刃４１をアンビルローラ４３に向けて差し込んで電解質膜シート１と長尺状の拡散層シート２０ｂとを切断する。 - 特許庁

MOS transistors M1 to M9 are formed on the SOI substrate having the silicon substrate, the BOX oxide film, and a silicon active layer, and a bottom of source diffusion layer and a bottom of a drain diffusion layer are formed reaching the BOX oxide film.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＭ１〜Ｍ９は、シリコン基板、ＢＯＸ酸化膜及びシリコン活性層を有するＳＯＩ基板に形成され、かつ、ソース拡散層の底部及びドレイン拡散層の底部がＢＯＸ酸化膜に到達して形成されている。 - 特許庁

To prevent the climbing of polluted water over the upper side of a coupling portion for diffusion prevention units by coupling means even though two neighboring diffusion prevention units have been strongly coupled together by the coupling means.例文帳に追加

隣り合う両拡散防止ユニットの連結手段による互いの連結がより強固になされるようにした場合でも、この連結手段による両拡散防止ユニットの連結部分の上側を汚濁水が乗り越えないようにする。 - 特許庁

Image data 34, corresponding to two out of three separations including the pixel data 32, is fed to a diffusion sub- processor 50, and image data 36 corresponding to the third separation is fed to a second diffusion sub-processor 42.例文帳に追加

画素データ３２を含む３つの分離の内の２つに対応する画像データ３４は第１の拡散サブプロセッサ５０へ供給され、第３の分離に対応する画像データ３６は第２の拡散サブプロセッサ４２へ供給される。 - 特許庁

After isotropic etching a substrate 31 on which a P+ type diffusion layer 35 is formed by using a resist film 37 of a pattern corresponding to the gate, an insulation film 43 sandwiching the P+ type diffusion layer 35 is formed on the substrate 31.例文帳に追加

Ｐ^+型拡散層３５を形成した基板３１に、ゲートに対応するパターンのレジスト膜３７を用いて等方性エッチングを施した後に、Ｐ^+型拡散層３５を挟む絶縁膜４３を基板３１上に形成する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a shared contact 111 that electrically connects an n-type impurity diffusion layer 106 formed on a p well 103 with a p-type impurity diffusion layer 108 formed on an n well 104.例文帳に追加

半導体装置は、Ｐウェル１０３上に形成されたＮ型不純物拡散層１０６とＮウェル１０４上に形成されたＰ型不純物拡散層１０８とを電気的に接続するシェアードコンタクト１１１を備えている。 - 特許庁

The n-side electrodes of this element are composed of an n-side bonding pad electrode and an n-side diffusion electrode which is extended from the n-side bonding pad electrode to surround the transparent electrode and the contacting section between the transparent electrode and p-side diffusion electrode.例文帳に追加

またｎ側電極は、ｎ側ボンディングパッド電極と、ｎ側ボンディングパッド電極から延伸して、透明電極および透明電極とｐ側拡散電極の接触部を囲むようなｎ側拡散電極とを形成する。 - 特許庁

The fuel cell is equipped with a catalyst layer having catalyst particles, a gas diffusion layer having water-repellent member, and an intermediate layer which is arranged between the gas diffusion layer and the catalyst layer, and in which the water-repellent member and the catalyst particles exist in a mixed manner.例文帳に追加

燃料電池は、触媒粒子を有する触媒層と、撥水性部材を有するガス拡散層と、ガス拡散層と触媒層との間に配置され、撥水性部材と触媒粒子とが混在する中間層と、を備える。 - 特許庁

Back diffusion processing of S-SCH received signals which specify the scrambling code group for frame synchronization is performed simultaneously and in parallel by back diffusion devices 52-1 to 52-16 which are provided in correspondence with 16 types of code information.例文帳に追加

フレーム同期のためのスクランブリングコードグループを特定するＳ−ＳＣＨ受信信号の逆拡散処理を、１６とおりのコード情報に対応して設けられた逆拡散器５２−１〜５２−１６を用いて、同時に並行して行う。 - 特許庁