「Diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(230ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for producing an inexpensive rare earth-iron-nitrogen based magnet powder having magnetic characteristics, by uniformly nitriding rare earth-transition metal master alloy obtained by a reduction diffusion method.例文帳に追加

還元拡散法により得た希土類−遷移金属母合金粉末を均一に窒化し、安価で磁気特性の優れた希土類—鉄—窒素系磁石粉末の製造法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor that prevents a semiconductor pattern from decreasing in length owing to diffusion of metal ions, a method of manufacturing the same, and a display substrate.例文帳に追加

本発明の一つの目的は、金属イオンの拡散によって半導体パターンの長さが短くなることを防止する薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに表示基板を提供する。 - 特許庁

Gas flow channels for two types of reaction gas formed along surfaces facing each gas diffusion electrode are arranged at positions pinching the membrane electrode assembly 20 to face each other.例文帳に追加

それぞれのガス拡散電極に対向する面に沿って形成される２種類の反応ガスのガス流路は、膜電極接合体２０を挟んで対向する位置に配列されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a carbon substrate for a gas diffusion layer of a polymer electrolyte fuel cell, the carbon substrate formed thereby, and a system used for manufacturing the same.例文帳に追加

高分子電解質型燃料電池のガス拡散層用炭素基材の製造方法、それによって形成された炭素基材及びその製造に使われるシステムを提供する。 - 特許庁

The present invention includes a planar avalanche photodiode, having a first n-type semiconductor layer defining a planar contact area and a second n-type semiconductor layer having a p-type diffusion region.例文帳に追加

本発明は、プレーナ接触領域を定める第１のｎ型半導体層とｐ型拡散領域を有する第２のｎ型半導体層とを有するプレーナ・アバランシェ・フォトダイオードを備える。 - 特許庁

When a voltage is not applied to the electrodes 16a and 16b, light diffusion particles are attracted to the hold member by means of electrostatic force and maintain their positions relative to the screen 100.例文帳に追加

電極１６ａ、１６ｂに電圧が印加されていない場合、光拡散粒子は静電気力により保持部材に吸着され、スクリーン１００に対する位置を維持する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a membrane electrode structure capable of being formed in a given thickness and capable of obtaining adhesive strength between a solid polymer electrolyte membrane and a gas diffusion layer.例文帳に追加

所定の厚さに形成できると共に、固体高分子電解質膜とガス拡散層との間で優れた接着強度が得られる膜−電極構造体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The buried gate electrode 22 is formed at the bottom in the trench portion 20 in order to transfer a signal charge from the buried photodiode 23 to the buried floating diffusion 16.例文帳に追加

埋め込み型ゲート電極２２は、埋め込み型フォトダイオード２３から埋め込み型フローティングディフュージョン１６に信号電荷を転送するために、トレンチ部２０内の底部に形成されている。 - 特許庁

To provide an oxidation resistant fuel cell component and a method for creating an aluminum diffusion surface layer within a fuel cell component to reduce chromium contamination occurring during operation of a fuel cell.例文帳に追加

耐酸化性燃料電池部品及び燃料電池部品内部にアルミニウム拡散表面層を形成して燃料電池の運転中に起こるクロム汚染を低減する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that suppresses GIDL in a depletion layer formed between an impurity diffusion layer and a semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明は、不純物拡散層と半導体基板との間に形成される空乏層中におけるＧＩＤＬを抑制することのできる半導体装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of suppressing an increase of reverse current in a rectifier element, and capable of preventing diffusion of impurities such as fluorine and hydrogen to a memory element.例文帳に追加

整流素子における逆方向電流の増大を抑制できると共に、メモリ素子へのフッ素や水素等の不純物の拡散を防止できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Consequently, excessive diffusion of impurities to below the gate electrodes due to a difference in sizes of the source-drain regions can be avoided during a heat treatment to obtain predetermined characteristics.例文帳に追加

これにより、熱処理する際にソース・ドレイン領域の大きさの違いによるゲート電極の下方への過剰な不純物の拡散が回避でき、所定の特性を得ることができる。 - 特許庁

The light diffusion sheet contains polystyrene resin, with number of bubbles per cm^2 of a sheet face of 1×10^7, and a thickness of 0.3-1.0 mm.例文帳に追加

ポリスチレン系樹脂が含有され、シートの面１ｃｍ^2 当たりの気泡個数が１×１０^7 個以上であり、厚さが０．３〜１．０ｍｍであることを特徴とする光拡散シートを提供する。 - 特許庁

To provide a base material for a gas diffusion electrode, which exhibits high conductivity, gas permeability, and high water-repellency without using fluorine and to provide a method of manufacturing the material and an MEA containing the material.例文帳に追加

導電性およびガス透過性が共に高く且つフッ素を用いなくとも撥水性の高いガス拡散電極用基材、その製造方法、およびこれを備えたＭＥＡを提供する。 - 特許庁

A photodiode device 22 composing one pixel includes, in an area of the photodiode device: a reading gate electrode 23 of a reading transistor; and a floating diffusion part 24 surrounded by the reading gate electrode 23.例文帳に追加

１画素を構成するフォトダイオード２２の領域内に、読み出しトランジスタの読み出しゲート電極２３と、読み出しゲート電極２３に囲まれたフローティングディフージョン部２４とを有する。 - 特許庁

The height of the element isolation insulation film 4 at the location of a drain contact diffusion region 15' is set higher than that of the element isolation insulation film 4 at the locations of the memory transistors MC.例文帳に追加

ドレインコンタクト拡散領域１５’の位置における素子分離絶縁膜４の高さは、メモリトランジスタＭＣの位置における素子分離絶縁膜４の高さよりも高くされている。 - 特許庁

To increase coupling ratio while maintaining reliability in nonvolatile semiconductor storage devices composed of impurity diffusion layers, where control gates are formed on semiconductor substrates.例文帳に追加

コントロールゲートが半導体基板に形成された不純物拡散層によって構成されている不揮発性半導体記憶装置において、信頼性を維持しつつ、カップリング比を大きくする。 - 特許庁

To provide formation of a refractory metal nitride film such as a titanium nitride on a substrate so that the refractory metal nitride has allowable diffusion barrier characteristics and adhesion to the substrate.例文帳に追加

許容可能な拡散バリア特性と基板への密着性を耐熱性金属窒化物が有するように、基板上への窒化チタンなどの耐熱性金属窒化物膜の形成を提供する。 - 特許庁

To provide a diffusion film having sufficient light diffusibility and high front contrast of a display image, a light diffusible polarizer, and a liquid crystal display device using them.例文帳に追加

十分な光拡散性を有し、且つ、表示画像の正面コントラストが高い光拡散フィルム、光拡散性偏光板、および、それを用いた液晶表示装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical element having a structure capable of suppressing deterioration in power feed characteristics by suppressing diffusion of a p-type dopant into a light-emitting layer on an end face of a semiconductor mesa part.例文帳に追加

半導体メサ部の端面の発光層へのｐ型ドーパントの拡散を抑制することにより通電特性の劣化を抑制可能な構造を有する半導体光素子を提供する。 - 特許庁

To form a memory cell region and a high concentration impurity diffusion region of a high-voltage transistor at the same time by ion implantation so that the high-voltage transistor side is shallower.例文帳に追加

メモリセル領域と高電圧トランジスタとの高濃度不純物拡散領域を同時にイオン注入で形成し、且つ高電圧トランジスタ側の方が浅くなるように形成する。 - 特許庁

To suppress the generation of a microcrack or warpage, and to prevent the diffusion of an electrode material to a dielectric layer, in an electrostatic chuck where an electrode is embedded in a MgO ceramic base.例文帳に追加

ＭｇＯセラミックス基体に電極を埋設した静電チャックにおいて、マイクロクラックや反りの発生を抑制すると共に誘電体層への電極材料の拡散を防止する。 - 特許庁

Thermoelectric elements 2, 3 are each prepared with diffusion preventive layers 9 made of Ni-Ti alloy at junction parts of a thermoelectric material 8 made of an alloy containing Sb, with electrodes 4.例文帳に追加

熱電素子2,3は、Ｓｂを含む合金からなる熱電材料８における電極９との接合部に、Ｎｉ−Ｔｉ合金からなる拡散防止層９を設けたものである。 - 特許庁

The sending node includes a generator for generating a baseband sending signal using a link identifying diffusion sequence and a transmitter for transmitting the radio signal including the baseband sending signal.例文帳に追加

送信ノードは、リンク識別用拡散系列を使用した基底帯域送信信号を生成する手段と、該基底帯域送信信号を含む無線信号を送信する手段を備える。 - 特許庁

To provide an elevator having a constitution for restraining the diffusion of fine substances such as an impurity floating in air between respective stories, in a building provided with the elevator.例文帳に追加

本発明は、エレベータの設置された建物において、各階間で空気中に浮遊する不純物など微細物質の拡散を抑えるための構成を備えるエレベータを提供する。 - 特許庁

To prevent the diffusion of significant information by setting a retention period corresponding to the security level of a duplication person with respect to duplication from a directory in which significant information is stored.例文帳に追加

重要情報が格納されたディレクトリからの複製に対して、複製者のセキュリティレベルに応じた存続期間を設定し、重要情報の拡散を防止できるようにする。 - 特許庁

The shape memory material accumulates an elastic strain by being cooled to a temperature at which the diffusion of atoms is not caused, after undergoing the viscoelastic deformation.例文帳に追加

また本発明の形状記憶材料は、粘弾性変形を受けた後に原子の拡散が起こらない温度まで冷却されたことにより弾性ひずみを蓄積していることを特徴とする。 - 特許庁

The drift diffusion region 10 has a substrate inner region 11, and a surface region 12 which contains first conductive type impurities at a higher concentration than the substrate inner region 11.例文帳に追加

また、ドリフト拡散領域１０は、基板内部領域１１と、基板内部領域１１よりも高濃度の第１導電型不純物を含む表面領域１２とを有している。 - 特許庁

To provide a silver halide emulsion suitable for a diffusion transfer planographic printing plate having high sensitivity, maintaining high developability even when being saved, and having excellent printing durability after being saved.例文帳に追加

高い感度を有し、かつ、保存した際にも高い現像性を維持し、保存後にも良好な耐刷性を有する拡散転写平版印刷版に適したハロゲン化銀乳剤を提供する。 - 特許庁

The diffusion sheet includes: a substrate having a first principal surface and a second principal surface; and structures each in a convex shape formed randomly on the first principal surface or the second principal surface of the substrate.例文帳に追加

拡散シートは、第１の主面および第２の主面を有する基材と、基材の第１の主面または第２の主面にランダムに形成された凸状の構造体とを備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solar battery cell that can manufacture a solar battery having superior photoelectric conversion efficiency, by removing a dead layer of a surface layer of an impurity diffusion layer in a simple and sure way.例文帳に追加

簡便かつ確実に不純物拡散層の表層のデッド層を除去して光電変換効率に優れた太陽電池を製造可能な太陽電池セルの製造方法を得ること。 - 特許庁

The diffusion of the impurity can be suppressed first by keeping a semiconductor wafer W at a preheating temperature Tp satisfying a relation of tp≤847,500 exp (-0.01365 Tp) for a preheating time tp.例文帳に追加

まずｔｐ≦847500exp(-0.01365Ｔｐ)を満たすような予備加熱温度Ｔｐに半導体ウェハーＷを予備加熱時間ｔｐ維持することによって不純物の拡散を抑制することができる。 - 特許庁

One or more optical elements such as a photoluminescent element, refracting element, filter element, scattering element, diffusion element or reflecting element, is included in and/or on the preform.例文帳に追加

フォトルミネセント要素、屈折要素、フィルタ要素、散乱要素、拡散要素または反射要素等の光学的要素の１つ又はそれ以上が、プリフォームの中にかつ／またはその上に含まれる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with a plurality of diffusion layer resistances each of which has a different resistance value, while reducing the manufacturing steps and manufacturing cost, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

工程数の低減や製造コストの削減を図りつつ、各々が異なる抵抗値を有する複数の拡散層抵抗を備えた半導体装置及び製造方法を提供する。 - 特許庁

The multi-projection system is equipped with rear projectors PJ1-PJ4 and the projection screen 4, and the projection screen 4 has a diffusion plate 1, a horizontal prism sheet 2, and a vertical prism sheet 3.例文帳に追加

マルチ投射システムは、背面投射器ＰＪ１〜ＰＪ４，投射スクリーン４を備え、投射スクリーン４は、拡散板１と、水平プリズムシート２と、垂直プリズムシート３とを有している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and the manufacturing method of the semiconductor device, by which the overlapped length of a low-concentration diffusion layer and a gate electrode is made an optimal dimension, and enable microfabrication of device is attained.例文帳に追加

低濃度拡散層とゲート電極とのオーバーラップする長さを最適な寸法とし，素子の微細化を可能とする半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The solution tank 11 is used for heating the GaN base semiconductor wafer 4, the solution tank 12 is used for impurity diffusion, and the solution tank 13 is used for cooling the GaN base semiconductor wafer 4.例文帳に追加

ここで、溶液槽１１はＧａＮ系半導体ウエハ４の加熱用、溶液槽１２は不純物拡散用、溶液槽１３はＧａＮ系半導体ウエハ４の冷却用である。 - 特許庁

To easily manufacture a capacitor having single-crystal SrRuO3/single- crystal (Ba, Sr) TiO3/single-crystal SrRuO3 structure which is connected to an n+ source diffusion layer through a plug electrode of Ru.例文帳に追加

Ｒｕからなるプラグ電極を介してｎ^+ 型ソース拡散層と接続する、単結晶SrRuO_3 ／単結晶(Ba,Sr)TiO_3 ／単結晶SrRuO_3 構造のキャパシタを容易に製造できる製造方法を実現すること。 - 特許庁

To provide an electrode structure for a solid high polymer fuel cell capable of maintaining high power generating performance by reducing contact resistance between a diffusion layer and an electrode layer.例文帳に追加

拡散層および電極層間の接触抵抗を低減して発電性能を高く維持し得るようにした固体高分子型燃料電池用電極構造体を提供する。 - 特許庁

With such a structure, creep up of the p-type buried diffusion layer 7 is suppressed, and the epitaxial layer 4 can be made thin while sustaining the withstand voltage characteristics of a power semiconductor element.例文帳に追加

この構造により、Ｐ型の埋込拡散層７の這い上がりが抑制され、パワー用半導体素子の耐圧特性を維持しつつ、エピタキシャル層４の厚みを薄くすることができる。 - 特許庁

An electrode 8 is provided to drift diffused electron into the opening 720 for preventing the diffusion of the plasma P through an opening 720 of the plasma shield 72.例文帳に追加

プラズマシールド７２が有する開口７２０を通してプラズマＰが拡散しないよう、開口７２０に向かって拡散する電子が流れ込むようにして拡散防止用電極８が設けられている。 - 特許庁

To provide a method of easily, stably and accurately setting an imaging object region in diffusion tensor imaging using an MRI apparatus independent of the subjectivity and skill, etc., of an examiner.例文帳に追加

検者の主観や技量などに依存しない、ＭＲＩ装置による拡散テンソルイメージングにおけるイメージング対象領域の簡便で安定かつ正確な設定方法を提供すること。 - 特許庁

In cutting out diffusion layers 50 from a long-size carbon cloth 50a, warp threads are to be cut up with a number of notches 52 cut in in a weft direction on the carbon cloth 50a.例文帳に追加

長尺状のカーボンクロス５０ａから拡散層５０を切り出すに際して、カーボンクロス５０ａにカッター７０により多数の横糸方向の切り込み５２を入れて、縦糸を裁断しておく。 - 特許庁

To provide a solid state imaging device of a CMD pixel, capable of accurately setting a relative position of an impurity diffusion layer and then setting a reset voltage for resetting stored charges low.例文帳に追加

不純物拡散層の相対位置を正確に設定したうえで、蓄積された電荷をリセットするためのリセット電圧を低く設定できるＣＭＤ画素の固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a microlens array sheet for preventing macro unevenness that becomes a problem in a large-area lens sheet from becoming conspicuous, attaining superior mass production and light diffusion properties, and reducing the manufacturing cost.例文帳に追加

大面積レンズシートにおいて問題となるマクロなムラが目立ちにくく、量産性に優れ、製造コストの安い、光拡散性に優れたマイクロレンズアレイシートの製造方法を提供する。 - 特許庁