| 意味 | 例文 (1件) |
FGdを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
A formation region R of a cavity section of an element separation insulation film 4 is provided in an opposed region between a floating gate electrode FGa and an active region Sa positioned directly at a lower portion of floating gate electrodes FGc, FGd, thus reducing coupling capacitance between the floating gate electrode FGa and an active region Sa that opposes while sandwiching the element separation region Sb.例文帳に追加
素子分離絶縁膜4の空洞部の形成領域Rが、浮遊ゲート電極FGaと、浮遊ゲート電極FGc、FGdの直下方に位置する活性領域Saとの間に対向した領域内に設けられるため、当該浮遊ゲート電極FGaと素子分離領域Sbを挟んで対向する活性領域Saとの間の結合容量を低減できる。 - 特許庁
| 意味 | 例文 (1件) |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|