「IGBTs」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The wiring board 16 has first slits 160 extending between the IGBTs 110a-110c, 100c, 101a-101c.例文帳に追加

配線基板１６はＩＧＢＴ１１０ａ〜１１０ｃ、１００ｃ、１０１ａ〜１０１ｃの間に延在する第１スリット１６０を有する。 - 特許庁

Capacitors 4, 6 are connected in series across the DC power supply 2, and IGBTs 8, 10 are connected also in series.例文帳に追加

直流電源２の両端間にコンデンサ４．６が直列に接続され、さらに、ＩＧＢＴ８、10も直列に接続されている。 - 特許庁

A step-up/step-down converter device 1 includes IGBTs 12, 13, flywheel diodes 14, 15, and a current sensing resistor 16.例文帳に追加

昇降圧コンバータ装置１はＩＧＢＴ１２、１３とフライホイールダイオード１４、１５と電流センス抵抗１６とを備えている。 - 特許庁

To strike a balance between the high speed turn-off and the soft switching, in power semiconductor devices such as IGBTS, MOSFETS, and diodes.例文帳に追加

ＩＧＢＴ、ＭＯＳＦＥＴやダイオードなどのパワー半導体装置において、高速ターンオフとソフトスイッチングを両立させること。 - 特許庁

By controlling the first IGBTs 11-13 of each phase with the PWM, a voltage to be supplied to a load is variably controlled.例文帳に追加

そして、各相の第１のＩＧＢＴ11〜13をＰＷＭ制御することにより負荷に供給する電圧を可変制御する。 - 特許庁

The switching element of the plasma display panel is constituted by parallel connecting two or more insulated gate bipolar transistors (IGBTs) Z 3.例文帳に追加

本発明は、二つ以上の絶縁ゲートバイポーラトランジスタＺ３を並列に連結してプラズマディスプレイパネルのスイッチング素子を構成する。 - 特許庁

Semiconductor elements 800 to 850 represent the semiconductor elements obtained by molding IGBTs constituting an inverter for a motor and diodes.例文帳に追加

半導体素子８００〜８５０は、モータ用インバータを構成するＩＧＢＴおよびダイオードをモールド成型した半導体素子である。 - 特許庁

Air gap layers of the first slits 160 can ensure insulation quality between the IGBTs 110a-110c, 100c, 101a-101c.例文帳に追加

第１スリット１６０の空隙層でＩＧＢＴ１１０ａ〜１１０ｃ、１００ｃ、１０１ａ〜１０１ｃ間の絶縁性を確保できる。 - 特許庁

By providing it with capacitors 32 and 42, charge is accumulated therein when the IGBTs 33 and 43 of switch circuits 30 and 40 are turned on, and the accumulated charge is released when switched off, thereby the response time of IGBTs 33 and 43 can be shortened.例文帳に追加

コンデンサ３２，４２を設けたことにより、スイッチ回路３０，４０のＩＧＢＴ３３，４３がオンされるときには、そこに電荷が蓄えられ、オフされるときには蓄えられた電荷が放出されることにより、ＩＧＢＴ３３，４３の応答期間を短縮することができる。 - 特許庁

Since IGBTs 9 to 11 are turned on according to the charging signal Sg, sufficient charging of capacitors 27a to 29a of a power source is always feasible.例文帳に追加

ＩＧＢＴ９〜１１は充電信号Ｓｇに応じてオンするので、常に電源コンデンサ２７ａ〜２９ａを十分に充電できる。 - 特許庁

The area of lead frames 32, 33, 34 on which MOSFETs 4u, 4v, 4w are mounted is made larger than the area of a lead frame 31 on which IGBTs 3u, 3v, 3w are mounted.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ４ｕ，４ｖ，４ｗが搭載されるリードフレーム３２，３３，３４の面積を、ＩＧＢＴ３ｕ，３ｖ，３ｗが搭載されるリードフレーム３１の面積よりも大きくしている。 - 特許庁

A lamp control part 36 controls the thyristors 62 and 66 and the IGBTs 53a-53c, and it selectively lights the six Xe tubes 26.例文帳に追加

ランプ制御部３６は、サイリスタ６２，６６と、ＩＧＢＴ５３ａ〜５３ｃを制御して、６本のＸｅランプ２６を選択的に点灯させる。 - 特許庁

The semiconductor elements 860 to 910 represent the semiconductor elements obtained by molding the IGBTs constituting the inverter for a generator and the diodes.例文帳に追加

半導体素子８６０〜９１０は、ジェネレータ用インバータを構成するＩＧＢＴおよびダイオードをモールド成型した半導体素子である。 - 特許庁

IGBTs Sr1 and Sr2, Sr3 and Sr4, and Sr5 and Sr6 as auxiliary switch elements constitute bidirectional switches in pairs.例文帳に追加

補助スイッチ素子であるＩＧＢＴのＳｒ１とＳｒ２，Ｓｒ３とＳｒ４，Ｓｒ５とＳｒ６は、対として双方向スイッチを構成する。 - 特許庁

Capacitors 49 and 59 are those for suppressing surge, and are connected to output sides of the diodes 48 and 58 and emitter sides of the IGBTs 47 and 57.例文帳に追加

コンデンサ４９，５９は、サージ抑制用のコンデンサで、ダイオード４８，５８の出力側とＩＧＢＴ４７，５７のエミッタ側に接続する。 - 特許庁

When the IGBTs of the IGBT modules 22 are connected to the IGBTs of the IGBT modules 21, respectively, the gate and the emitter of the IGBT of each IGBT module 22 are connected to the gate signal generating circuit in the auxiliary connecting terminal section 15 of an auxiliary printed board 14.例文帳に追加

各ＩＧＢＴモジュール２１のＩＧＢＴそれぞれに各ＩＧＢＴモジュール２２のＩＧＢＴを並列接続する際には、補助プリント基板１４の補助接続用端子部１５において、各ＩＧＢＴモジュール２２のＩＧＢＴのゲート、エミッタがゲート信号発生回路に接続される。 - 特許庁

Since a latching-up IGBT chip 14 for generating latch-ups is short-circuitted before an IGBT chip 12 is destroyed in an open state, even when a plurality of module-type IGBTs 11 are connected in series, remaining module type IGBTs 11 can keep the serial connection, as it is.例文帳に追加

ＩＧＢＴチップ１２が開放状態で破壊する前にラッチアップを発生するラッチアップ用ＩＧＢＴチップ１４が短絡となるので、複数個のモジュール型ＩＧＢＴ１１を直列接続した場合でも、残りのモジュール型ＩＧＢＴ１１は直列接続を維持できる。 - 特許庁

A primary winding 12P of a transformer 12 is connected between the connected point of the capacitors 4, 6 and the connected point of the IGBTs 8, 10.例文帳に追加

コンデンサ４、６の相互接続点と、ＩＧＢＴ８、10の相互接続点との間に変圧器１２の一次巻線１２Ｐが接続されている。 - 特許庁

The gel 7 seals the resin 2, the copper foils 3A, 3C, 3E, and 3F, the heat buffer plates 4B and 4E, the IGBTs 5B and 5E, and the wires 6B and 6E.例文帳に追加

ゲル７は、樹脂２、銅箔３Ａ，３Ｃ，３Ｅ，３Ｆ、熱緩衝板４Ｂ，４Ｅ、ＩＧＢＴ５Ｂ，５Ｅおよび配線６Ｂ，６Ｅを封入する。 - 特許庁

To form lateral structured IGBTs and diodes for flywheels in a dielectric isolation type semiconductor device without increasing the chip area.例文帳に追加

誘電体分離型半導体装置において、ラテラル構造のＩＧＢＴとフライホイール用のダイオードをチップ面積の増大をきたさずに形成する。 - 特許庁

Thus, the DC/DC converter can be started without permitting the secondary-side IGBTs 51-1 to 51-4 to enter a region where the soft switching operation cannot be performed.例文帳に追加

そのため、２次側ＩＧＢＴ５１−１〜５１−４がソフトスイッチング動作をできない領域に入ることなく、ＤＣ／ＤＣコンバータの起動を行うことができる。 - 特許庁

Further, the metallic sheets 2, 5, 8 are laminated and the IGBTs 11, 12 are arranged in the states of sideways whereby the inverter device 1 can be thinned and formed compact.例文帳に追加

また、金属板２，５，８を積層してＩＧＢＴ１１，１２を横向きに配置できるから、インバータ装置１を薄型化してコンパクトに形成することができる。 - 特許庁

The IGBTs 1, 2 conduct while gate voltages are sent to gates G from a main control circuit 24, and are brought into a non-conduction state when the gate voltage stops.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１，２は、主制御回路２４からゲートＧへゲート電圧が送られている間導通し、ゲート電圧が停止すると非導通になる。 - 特許庁

Switching elements of the large-capacity inverter circuits 10A and 10B are IGBTs, and switching elements of the small-capacity inverter circuits 20A and 20B are FETs.例文帳に追加

大容量インバータ回路１０Ａ，１０Ｂのスイッチング素子はＩＧＢＴであり、小容量インバータ回路２０Ａ，２０Ｂのスイッチング素子はＦＥＴである。 - 特許庁

To suppress gate input capacitances of trench gate electrodes from changing to negative capacitance in vertical IGBTs which includes trench-type gates.例文帳に追加

トレンチ型ゲートを有する縦型のＩＧＢＴにおいて、トレンチゲート電極のゲート入力容量の負性容量化を抑制することを目的としている。 - 特許庁

A gate voltage calculating section 20 calculates a surge voltage based on the temperature of each of IGBTs of the inverter, current and DC side voltage thereof, and compares the calculated voltage with an element withstand voltage.例文帳に追加

ゲート電圧算出部２０は、インバータの各ＩＧＢＴの温度、電流、直流側電圧に基づいてサージ電圧を算出し、素子耐圧と比較する。 - 特許庁

In the inverter device 1, diodes 91, 92, and 93 are provided between a first line that connects the low potential sides of IGBTs 21, 22, and 23 on the upper arm side and a terminal Vs of a driving IC 5 and a second line that connects the low potential sides of IGBTs 31, 32, and 33 on the lower arm side with a terminal COM of the driving IC 5.例文帳に追加

インバータ装置１では、上アーム側のＩＧＢＴ２１，２２，２３の低電位側と駆動ＩＣ５の端子Ｖｓとを結ぶ第１ラインと、下アーム側ＩＧＢＴ３１，３２，３３の低電位側と駆動ＩＣ５の端子ＣＯＭとを結ぶ第２ラインと、の間にダイオード９１，９２，９３が設けられている。 - 特許庁

A semiconductor-element-temperature detecting portion 8 calculates quantity of heat P[W] generated at IGBTs subject to the temperature detections and calculates a difference in temperature ΔT'j[°C] between a temperature of cooling water Tw[°C] circulated in a cooling system and temperatures of the IGBTs Tj[°C] using thermal resistance of the cooling system R[°C/W].例文帳に追加

半導体素子温度検出部８は、温度検出の対象とするＩＧＢＴで発生する熱量Ｐ［Ｗ］を算出し、冷却システムの熱抵抗Ｒ［℃/Ｗ］を用いて冷却システムを循環する冷却水温Ｔｗ［℃］および当該ＩＧＢＴの温度Ｔｊ［℃］間の温度差ΔＴ'ｊ［℃］を算出する。 - 特許庁

The on/off control signal received by the receivers 4-9 on/off controls six IGBTs/Tr(UP), Tr(VP), Tr(WP), Tr(UN), Tr(VN), and Tr(WN) in an inverter circuit 10.例文帳に追加

受信器４，…，９によって受信されたオンオフ制御信号により、インバータ回路１０の中の６個のＩＧＢＴ・Tr(UP),Tr(VP),Tr(WP),Tr(UN),Tr(VN),Tr(WN)が、それぞれ、オンオフ制御される。 - 特許庁

Current sensing voltages VCS1-VCSn which are the detecting values of main currents of (n) (≥2) sets of IGBTs connected in parallel with each other are used for arithmetic processing after the voltages VCS1-VCSn are converted into digital forms.例文帳に追加

並列接続されたｎ（≧２）個のIGBTの主電流の検出値である電流センス電圧Ｖ_CS1〜Ｖ_CSnが、デジタル形式へ変換された後に、演算処理に供される。 - 特許庁

Thereby, since the VS terminals are clamped to a predetermined potential, the driving circuit of the IGBTs can be prevented from being broken even if an overcurrent flows due to an earth fault.例文帳に追加

これにより、ＶＳ端子が所定電位にクランプされるため、地絡によって過電流が流れてもＩＧＢＴの駆動回路が破壊されないようにすることができる。 - 特許庁

To surely avoid an excessive surge current which is possibly generated by simultaneously turning on two-phase IGBTs at a certain timing in a three-phase motor controller.例文帳に追加

３相モータ制御装置において、あるタイミングで２相のＩＧＢＴが同時にターンオンすることで発生する可能性のある過大なサージ電流の発生を確実に回避する。 - 特許庁

In a post-stage of the step-down chopper circuit 109, a single-phase inverter 118 comprising four power modules 128, 130, 132, 134 comprising IGBTs and feedback diodes is provided.例文帳に追加

降圧チョッパ回路１０９の後段には、ＩＧＢＴと帰還ダイオードとからなる４つのパワーモジュール１２８，１３０，１３２，１３４による単相インバータ１１８を備えている。 - 特許庁

Also, the switching element is constituted by parallel connecting the one or more IGBTs Z 3 and one or more metal-oxide film semiconductor field effect transistors (MOSFETs) M3 to each other.例文帳に追加

また、一つ以上の絶縁ゲートバイポーラトランジスタＺ３と一つ以上の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタＭ３を互いに並列に連結して構成する。 - 特許庁

Accordingly, the peaks of crests and valleys of the symmetrical triangular signal come at a timing, when all IGBTs comprising a power conversion circuit are turned on or off.例文帳に追加

そのため、対称三角波信号の山谷の頂点のタイミングは、電力変換回路をなす全てのＩＧＢＴがオン又はオフのいずれかの状態となるタイミングである。 - 特許庁

A switching circuit 41 decides the IGBTs to be subjected to PWM of the IGBTs 14-16 and 17-19 of upper and lower arms based on a discriminate signal Sp, indicating the polarity of the voltage induced in a winding in a non-energized period and outputs PWM signals Smp and Smn for the upper and lower arms to a waveform combining circuit 42.例文帳に追加

切替回路４１は、非通電期間にある巻線の誘起電圧の正負を示す判定信号Ｓp に基づいて、上，下アーム何れのＩＧＢＴ１４〜１６，１７〜１９に対してＰＷＭを行うかを決定し、上アームおよび下アームに対するＰＷＭ信号ＳmpおよびＳmnを波形合成回路４２に対して出力する。 - 特許庁

The power converter circuit 100 is configured by adding a bidirectional switch having a switch element Q_0 composed of IGBTs and a diode D_0 connected in inverse-parallel, to a configuration of an impedance source inverter.例文帳に追加

電力変換回路１００は、インピーダンスソースインバータと呼ばれる構成にＩＧＢＴから成るスイッチ素子Ｑ_0とダイオードＤ_0を逆並列に接続した双方向スイッチを追加したものである。 - 特許庁

To provide a structure in which current hardly concentrates to the boundary part between IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) and diode at the time of diode recovery action, in a semiconductor device equipped with diode-built-in IGBTs.例文帳に追加

ダイオード内蔵ＩＧＢＴ素子を備えた半導体装置において、ダイオードリカバリ動作時にＩＧＢＴとダイオードとの境界部に電流が集中しにくい構造を提供する。 - 特許庁

In response to that the respective IGBTs 30, 31 are turned off, thyristor-off circuits 40-41, 45-47 reverse-bias the thyristors 22-27 under the on-condition, and turn off them.例文帳に追加

サイリスタオフ回路４０〜４１，４５〜４７は、各ＩＧＢＴ３０，３１がオフ状態になったことに応答して、オン状態のサイリスタ２２〜２７に逆バイアスを加え、これをオフ状態にする。 - 特許庁

The semiconductor module 10 comprises a metal substrate 1, resin 2, copper foils 3A, 3C, 3E, and 3F, heat buffer plates 4B and 4E, IGBTs 5B and 5E, wires 6B and 6E, gel 7, and a lid 8.例文帳に追加

半導体モジュール１０は、金属基板１、樹脂２、銅箔３Ａ，３Ｃ，３Ｅ，３Ｆ、熱緩衝板４Ｂ，４Ｅ、ＩＧＢＴ５Ｂ，５Ｅ、配線６Ｂ，６Ｅ、ゲル７および蓋８を備える。 - 特許庁

The chopper circuit 4 and the clamp circuit 5 have IGBTs 4a, 5a, are controlled and turned on/off by the gate signal from the pulse generator 6, and convert a DC current into the variable pulse current.例文帳に追加

チョッパー回路４及びクランプ回路５はＩＧＢＴ４ａ，５ａを有し、パルスジェネレータ６からのゲート信号でＯＮ，ＯＦＦ制御して直流電流を可変パルス電流に変換する。 - 特許庁

Furthermore, the only gate line of the IGBTs Q11 and Q21 between the series circuits 1, 2 is magnetically coupled with a magnetic circuit MCx to match the switching timings of the entire elements.例文帳に追加

また、直列回路１と２の間ではＩＧＢＴＱ１１とＱ２１のゲート線のみを磁気回路ＭＣｘにて磁気結合することで、全素子のスイッチングタイミングを一致させる。 - 特許庁

To quickly protect IGBT, to which an over voltage is applied when voltage unbalance is generated due to the turn-on difference of each element by connecting in series a plurality of IGBTs to each arm.例文帳に追加

各アームに複数のＩＧＢＴ素子を直列接続し、各素子のターンオンタイミング差により電圧アンバランスが発生した場合に、過電圧が印加されたＩＧＢＴの高速な保護を図る。 - 特許庁

Connected in series between both terminals of a bypass capacitor 18 are a heating coil 15, and IGBTs 16 and 17 conducting in opposite directions to form a frequency conversion circuit 12.例文帳に追加

バイパスコンデンサ１８の両端子間に加熱コイル１５と、通電方向が互いに逆向きのＩＧＢＴ１６および１７とを直列に接続して周波数変換回路１２を構成する。 - 特許庁

Cooling pipes 170 are arranged between the IGBTs 110a-110c, 100c, 101a-101c, 110d-110f, 100d, 101d-101f to integrally fix them.例文帳に追加

冷却管１７０はＩＧＢＴ１１０ａ〜１１０ｃ、１００ｃ、１０１ａ〜１０１ｃ、１１０ｄ〜１１０ｆ、１００ｄ、１０１ｄ〜１０１ｆの間に配置され、これらを一体的に固定する。 - 特許庁