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「MOSFET」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索
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「MOSFET」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索


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MOSFETを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 2423



例文

MANUFACTURING METHOD OF MOSFET DEVICE例文帳に追加

MOSFET素子の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING POWER MOSFET例文帳に追加

パワーMOSFETの製造方法 - 特許庁

MEASUREMENT METHOD OF PSEUDO-MOSFET例文帳に追加

擬似MOSFETの測定方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF MOSFET DEVICE例文帳に追加

MOSFETデバイスの製造方法 - 特許庁

例文

The gate length of an MOSFET constituting a source follower circuit 2 at a final stage within the output circuit 14 is longer than that of an MOSFET of other source follower circuits 2 and the like.例文帳に追加

出力回路14内の最終段のソースフォロワ回路2を構成するMOSFETのゲート長は、他のソースフォロワ回路2等のMOSFETのゲート長よりも長い。 - 特許庁


例文

A self-biased cascode amplifier circuit includes a first MOSFET and a second MOSFET connected in series and coupled between a DC voltage source terminal and a common terminal.例文帳に追加

自己バイアスカスコード増幅器回路は、DC電圧源端子と共通端子との間に互いに直列に接続された第一のMOSFETトランジスタと第二のMOSFETトランジスタを備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing high permittivity film for a device such as a MOSFET.例文帳に追加

MOSFET等のデバイスのための高誘電率膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

CURRENT DETERMINATION DEVICE FOR MOSFET例文帳に追加

MOSFETの電流判定装置 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING VERTICAL MOSFET例文帳に追加

縦型MOSFETの製造方法 - 特許庁

例文

HIGH DENSITY TRENCH GATE POWER MOSFET例文帳に追加

高密度トレンチゲートパワーMOSFET - 特許庁

例文

MANUFACTURE OF VERTICAL TYPE MOSFET例文帳に追加

縦型MOSFETの製造方法 - 特許庁

POWER MOSFET AND BATTERY MONITORING DEVICE例文帳に追加

パワーMOSFETと電池監視装置 - 特許庁

MOSFET AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

MOSFET及びその製造方法 - 特許庁

DOUBLE GATE/DOUBLE CHANNEL MOSFET例文帳に追加

2重ゲート/2重チャネルMOSFET - 特許庁

P-CHANNEL SILICON CARBIDE MOSFET例文帳に追加

pチャネル型炭化珪素MOSFET - 特許庁

In the inverter circuit 120, a parasitic diode 131 of the SiC-MOSFET 130 is used as a flywheel diode.例文帳に追加

インバータ回路(120)は、SiC-MOSFET(130)の寄生ダイオード(131)が還流ダイオードとして使用される。 - 特許庁

MOSFET AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

MOSFETおよびその製造方法 - 特許庁

POWER MOSFET AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

パワ—MOSFET及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING MOSFET DEVICE例文帳に追加

MOSFETデバイスを形成する方法 - 特許庁

Further, in the inverter circuit 120, synchronous rectification is executed to cause the SiC-MOSFET 130 to be turned on at a predetermined timing when a reverse current is applied to the parasitic diode 131 of the SiC-MOSFET 130.例文帳に追加

さらに、インバータ回路(120)では、SiC-MOSFET(130)の寄生ダイオード(131)に逆方向電流が流れる所定のタイミングでSiC-MOSFET(130)がオン状態となる同期整流が行われる。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF TRENCH TYPE MOSFET例文帳に追加

トレンチ型MOSFETの製造方法 - 特許庁

MOSFET ANTIPHASE CONTROL DIMMER例文帳に追加

MOSFET逆位相制御調光器 - 特許庁

MOSFET AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

電界効果トランジスタおよび半導体装置 - 特許庁

SWITCHING CIRCUIT OF P CHANNEL MOSFET例文帳に追加

PチャネルMOSFETのスイッチング回路 - 特許庁

LOGIC CIRCUIT HAVING SPIN MOSFET例文帳に追加

スピンMOSFETを有する論理回路 - 特許庁

SPIN MOSFET, AND RECONFIGURABLE LOGIC CIRCUIT USING THE SPIN MOSFET例文帳に追加

スピンMOSFETおよびこのスピンMOSFETを用いたリコンフィギュラブル論理回路 - 特許庁

On/off operations of the MOSFET 3 or MOSFET 4 are repeated by a constant ratio.例文帳に追加

MOSFET3またはMOSFET4のオンオフ動作を一定の比率で繰り返す。 - 特許庁

MOSFET ELEMENT AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

MOSFET素子及びその製造方法 - 特許庁

DRIVE CIRCUIT FOR SYNCHRONOUS-RECTIFICATION MOSFET例文帳に追加

同期整流MOSFETの駆動回路 - 特許庁

MOSFET AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

The power MOSFET includes a trench gate which defines a plurality of MOSFET cells.例文帳に追加

パワーMOSFETは複数のMOSFETセルを画定するトレンチゲートを備える。 - 特許庁

HIGH-OUTPUT MOSFET SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

高出力MOSFET半導体装置 - 特許庁

POWER MOSFET AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

パワーMOSFET及びその製造方法 - 特許庁

The dumping resister is switched to independent R1 or a parallel connection of R1 and R2 by a MOSFET switch 8.例文帳に追加

ダンピング抵抗は、MOSFETのスイッチ8で、R1単独またはR1とR2の並列接続に切り換える。 - 特許庁

MOSFET AND THYRISTOR USING THE SAME例文帳に追加

MOSFETおよびこれを用いたサイリスタ - 特許庁

A memory cell is configured by a combination of a p-MOSFET 20 and an n-MOSFET 22.例文帳に追加

メモリセルをp−MOSFET20とn−MOSFET22との組で構成する。 - 特許庁

OPTICAL MOSFET AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

MOSFET及びその製造方法 - 特許庁

SYSTEM AND METHOD OF MOSFET DEVICE例文帳に追加

MOSFETデバイスのシステムおよび方法 - 特許庁

The output (120) of the first power supply (112) is connected to the input of a switching device (124) such as an MOSFET.例文帳に追加

第1の電源(112)の出力(120)は、MOSFETのようなスイッチング装置(124)の入力に接続される。 - 特許庁

POWER MOSFET AND ITS FABRICATING METHOD例文帳に追加

パワーMOSFET及びその製造方法 - 特許庁

The output of the amplifier is taken from the drain electrode of the second MOSFET.例文帳に追加

この増幅器回路の出力は、第二のMOSFETトランジスタのドレーン電極から取り出される。 - 特許庁

WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR VERTICAL MOSFET例文帳に追加

ワイドバンドギャップ半導体縦型MOSFET - 特許庁

VERTICAL MOSFET AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

縦型MOSFETとその製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF VERTICAL TRENCH MOSFET例文帳に追加

縦型トレンチMOSFETの製造方法 - 特許庁

VERTICAL MOSFET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

縦型MOSFETとその製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF TRENCH-GATE TYPE MOSFET例文帳に追加

トレンチゲート型MOSFETの製造方法 - 特許庁

PROGRAMMABLE NEURON MOSFET ON SOI例文帳に追加

SOIの上のプログラマブル・ニューロンMOSFET - 特許庁

TRENCH MOSFET AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

トレンチMOSFET及びその製造方法 - 特許庁

MOSFET DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

MOSFETデバイス及びその製造方法 - 特許庁

例文

ELECTRODE STRUCTURE OF PARALLEL MOSFET CIRCUIT例文帳に追加

並列MOSFET回路の電極構造 - 特許庁




  
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