MOSFETを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 2423件
MANUFACTURING METHOD OF MOSFET DEVICE例文帳に追加
MOSFET素子の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING POWER MOSFET例文帳に追加
パワーMOSFETの製造方法 - 特許庁
MEASUREMENT METHOD OF PSEUDO-MOSFET例文帳に追加
擬似MOSFETの測定方法 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF MOSFET DEVICE例文帳に追加
MOSFETデバイスの製造方法 - 特許庁
The gate length of an MOSFET constituting a source follower circuit 2 at a final stage within the output circuit 14 is longer than that of an MOSFET of other source follower circuits 2 and the like.例文帳に追加
出力回路14内の最終段のソースフォロワ回路2を構成するMOSFETのゲート長は、他のソースフォロワ回路2等のMOSFETのゲート長よりも長い。 - 特許庁
A self-biased cascode amplifier circuit includes a first MOSFET and a second MOSFET connected in series and coupled between a DC voltage source terminal and a common terminal.例文帳に追加
自己バイアスカスコード増幅器回路は、DC電圧源端子と共通端子との間に互いに直列に接続された第一のMOSFETトランジスタと第二のMOSFETトランジスタを備える。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing high permittivity film for a device such as a MOSFET.例文帳に追加
MOSFET等のデバイスのための高誘電率膜の製造方法を提供する。 - 特許庁
CURRENT DETERMINATION DEVICE FOR MOSFET例文帳に追加
MOSFETの電流判定装置 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING VERTICAL MOSFET例文帳に追加
縦型MOSFETの製造方法 - 特許庁
HIGH DENSITY TRENCH GATE POWER MOSFET例文帳に追加
高密度トレンチゲートパワーMOSFET - 特許庁
MANUFACTURE OF VERTICAL TYPE MOSFET例文帳に追加
縦型MOSFETの製造方法 - 特許庁
POWER MOSFET AND BATTERY MONITORING DEVICE例文帳に追加
パワーMOSFETと電池監視装置 - 特許庁
MOSFET AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加
MOSFET及びその製造方法 - 特許庁
P-CHANNEL SILICON CARBIDE MOSFET例文帳に追加
pチャネル型炭化珪素MOSFET - 特許庁
In the inverter circuit 120, a parasitic diode 131 of the SiC-MOSFET 130 is used as a flywheel diode.例文帳に追加
インバータ回路(120)は、SiC-MOSFET(130)の寄生ダイオード(131)が還流ダイオードとして使用される。 - 特許庁
MOSFET AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
MOSFETおよびその製造方法 - 特許庁
POWER MOSFET AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加
パワ—MOSFET及びその製造方法 - 特許庁
Further, in the inverter circuit 120, synchronous rectification is executed to cause the SiC-MOSFET 130 to be turned on at a predetermined timing when a reverse current is applied to the parasitic diode 131 of the SiC-MOSFET 130.例文帳に追加
さらに、インバータ回路(120)では、SiC-MOSFET(130)の寄生ダイオード(131)に逆方向電流が流れる所定のタイミングでSiC-MOSFET(130)がオン状態となる同期整流が行われる。 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF TRENCH TYPE MOSFET例文帳に追加
トレンチ型MOSFETの製造方法 - 特許庁
MOSFET AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
電界効果トランジスタおよび半導体装置 - 特許庁
SWITCHING CIRCUIT OF P CHANNEL MOSFET例文帳に追加
PチャネルMOSFETのスイッチング回路 - 特許庁
LOGIC CIRCUIT HAVING SPIN MOSFET例文帳に追加
スピンMOSFETを有する論理回路 - 特許庁
SPIN MOSFET, AND RECONFIGURABLE LOGIC CIRCUIT USING THE SPIN MOSFET例文帳に追加
スピンMOSFETおよびこのスピンMOSFETを用いたリコンフィギュラブル論理回路 - 特許庁
On/off operations of the MOSFET 3 or MOSFET 4 are repeated by a constant ratio.例文帳に追加
MOSFET3またはMOSFET4のオンオフ動作を一定の比率で繰り返す。 - 特許庁
MOSFET ELEMENT AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加
MOSFET素子及びその製造方法 - 特許庁
DRIVE CIRCUIT FOR SYNCHRONOUS-RECTIFICATION MOSFET例文帳に追加
同期整流MOSFETの駆動回路 - 特許庁
MOSFET AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
The power MOSFET includes a trench gate which defines a plurality of MOSFET cells.例文帳に追加
パワーMOSFETは複数のMOSFETセルを画定するトレンチゲートを備える。 - 特許庁
HIGH-OUTPUT MOSFET SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
高出力MOSFET半導体装置 - 特許庁
POWER MOSFET AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
パワーMOSFET及びその製造方法 - 特許庁
The dumping resister is switched to independent R1 or a parallel connection of R1 and R2 by a MOSFET switch 8.例文帳に追加
ダンピング抵抗は、MOSFETのスイッチ8で、R1単独またはR1とR2の並列接続に切り換える。 - 特許庁
A memory cell is configured by a combination of a p-MOSFET 20 and an n-MOSFET 22.例文帳に追加
メモリセルをp−MOSFET20とn−MOSFET22との組で構成する。 - 特許庁
OPTICAL MOSFET AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
光MOSFET及びその製造方法 - 特許庁
The output (120) of the first power supply (112) is connected to the input of a switching device (124) such as an MOSFET.例文帳に追加
第1の電源(112)の出力(120)は、MOSFETのようなスイッチング装置(124)の入力に接続される。 - 特許庁
POWER MOSFET AND ITS FABRICATING METHOD例文帳に追加
パワーMOSFET及びその製造方法 - 特許庁
The output of the amplifier is taken from the drain electrode of the second MOSFET.例文帳に追加
この増幅器回路の出力は、第二のMOSFETトランジスタのドレーン電極から取り出される。 - 特許庁
WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR VERTICAL MOSFET例文帳に追加
ワイドバンドギャップ半導体縦型MOSFET - 特許庁
VERTICAL MOSFET AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加
縦型MOSFETとその製造方法 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF VERTICAL TRENCH MOSFET例文帳に追加
縦型トレンチMOSFETの製造方法 - 特許庁
VERTICAL MOSFET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
縦型MOSFETとその製造方法 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF TRENCH-GATE TYPE MOSFET例文帳に追加
トレンチゲート型MOSFETの製造方法 - 特許庁
PROGRAMMABLE NEURON MOSFET ON SOI例文帳に追加
SOIの上のプログラマブル・ニューロンMOSFET - 特許庁
TRENCH MOSFET AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
トレンチMOSFET及びその製造方法 - 特許庁
MOSFET DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
MOSFETデバイス及びその製造方法 - 特許庁
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