「Mutual diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The corrosion-resistant member 3 consisting of a sintered body composed mainly of at least one kind selected from Group II or Group III elements of the periodic table, is joined to the surface of the ceramic base material 2 through a mutual diffusion layer 4 between the ceramic base material 2 and the corrosion-resistant member 3.例文帳に追加

セラミック基材２表面に、周期律表第２族あるいは第３族元素の少なくとも１種を主成分とする焼結体から成る耐食材３を、前記セラミック基材２と耐食材３との相互拡散層４を介して接合する。 - 特許庁

To prevent occurrence of noise caused by mutual rubbing between members such as a liquid crystal panel, a diffusion plate of a backlight unit, a reinforcing plate, a frame and a reflector due to thermal expansion after activating a liquid crystal display device with respect to the countermeasure for noise in the liquid crystal display device.例文帳に追加

液晶表示装置における音対策に関し、液晶表示装置起動後の、液晶パネル、バックライトユニットの拡散板、補強板、フレーム、反射板等各部材の熱膨張による相互の擦れで生じる不快音の発生を防止すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method for eliminating the hardness of gate working due to the employment of an embedded type element isolation insulation film while restraining the fluctuation of characteristics due to the mutual diffusion of conductive impurities or the penetration of boron.例文帳に追加

導電性不純物の相互拡散や、ホウ素の突き抜けによる特性の変動を抑制しつつ、埋め込み型の素子分離絶縁膜を採用することによるゲート加工の困難性を解消することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that suppresses the mutual diffusion of impurities in gate electrodes between an n-type gate electrode and a p-type gate electrode and reduces variation in the threshold voltage, having a dual gate electrode exhibiting desirable characteristics, and to provide a manufacturing method for such a semiconductor device.例文帳に追加

ｎ型ゲート電極とｐ型ゲート電極との間で、ゲート電極中の不純物が相互拡散するのを抑え、しきい値電圧の変動が抑制され、所望の特性を示すデュアルゲート電極を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the occurrence of uncomfortable noise caused by mutual rubbing of component members such as a liquid crystal panel, a diffusion plate of a backlight unit, a reinforcing plate, a frame and a reflector due to thermal expansion after the liquid crystal display device is started up, relating to a countermeasure against sound in a liquid crystal display device.例文帳に追加

液晶表示装置における音対策に関し、液晶表示装置起動後の、液晶パネル、バックライトユニットの拡散板、補強板、フレーム、反射板等各部材の熱膨張による相互の擦れで生じる不快音の発生を防止すること。 - 特許庁

The hardly-diffusible absorbent body 4 contains much highly-absorbent polymer P which becomes liquid hardly-permeable or liquid non-permeable by generation of a body fluid diffusion obstruction phenomenon mainly by mutual adherence of the polymer when the highly-absorbent polymer P absorbs body fluid and swells up.例文帳に追加

難拡散性吸収体４は高吸収性ポリマーＰを多く含有するものであり、体液を吸収し膨潤すると、主にポリマー相互の密着による体液拡散阻害現象が発生し、難透液性または不透液性となるものとする。 - 特許庁

To produce high purity titanium used for a target or the like capable of suppressing contaminated materials caused by the mutual diffusion of materials composing a laminated thin film, and of limiting an abnormal discharging phenomenon and particles as much as possible in the case of film formation by sputtering and to provide a method for producing it.例文帳に追加

積層薄膜を構成する物質の相互拡散に起因する汚染物質の抑制、及びスパッタリングによる成膜に際しては、異常放電現象やパーテイクルを極力制限することができるターゲット等に使用できる高純度チタン及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve the reliability of an element without causing mutual reaction in the interface between a dielectric and an electrode, including impurities such as Na in a manufacturing process, and deteriorating a dielectric element due to the diffusion of hydrogen in a heat treatment process in the dielectric element.例文帳に追加

誘電体素子において、誘電体と電極の界面における相互反応、あるいは製造工程におけるＮａ等の不純物の混入や熱処理工程での水素の拡散による誘電体素子の劣化が生じることなく、素子の信頼性を向上させる。 - 特許庁

To provide a hydrogen sensor capable of the mutual diffusion of an atom between a hydrogenated metal film and a hydrogen permselective film, under high concentration hydrogen atmosphere and is capable of suppressing precipitation of hydrogenated metals on the surface of the hydrogen permselective film, a power generating device and an electronic device.例文帳に追加

高濃度の水素雰囲気下において、水素化金属膜と水素選択透過膜との間での原子の相互拡散を防止でき、水素化金属の水素選択透過膜表面への析出を抑制することができる水素センサ、発電装置及び電子機器を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a compound magnetic component having higher permeability by forming an interface layer generated by the mutual diffusion of atoms in a boundary between a metallic magnetic particles and a ferrite film to reduce air gaps, and improving chemical unity to facilitate the formation of a magnetic path.例文帳に追加

金属磁性粒子とフェライト被膜の境界に、原子の相互拡散による界面層を形成して空隙を少なくし、化学的結合性を向上させて、磁路の形成を容易にすることにより、より高い透磁率の複合磁気部品の製造方法を提供する - 特許庁

A second buffer layer 15 made of a metallic material, of which the mutual diffusion with respect to the material of the piezoelectric precursor layer hardly occurs rather than the metallic material forming the actuator plate 22, is formed on the first buffer layer 14 to form a surface layer 13 on the top face of the actuator plate 22.例文帳に追加

第１緩衝層１４上に、圧電シートとなる圧電前駆体層の材料との相互拡散がアクチュエータプレート２２を構成する金属材料よりも生じにくい金属材料からなる第２緩衝層１５を形成し、アクチュエータプレート２２の上面に表層１３を形成する。 - 特許庁

An insulation film (2) on a silicon semiconductor substrate (1) presents a ferroelectric memory element of an MFIS structure containing a low permittivity layer control film (3) and a mutual diffusion prevention film (4), and it is restricted that an unnecessary low permittivity layer is formed between the semiconductor substrate and the insulation film.例文帳に追加

シリコン半導体基板（１）上の絶縁膜（２）が、低誘電率層抑制膜（３）と相互拡散防止膜（４）とを含むＭＦＩＳ構造の強誘電体記憶素子を提供し、不要な低誘電率層が半導体基板と絶縁膜の間に形成されるのを抑制する。 - 特許庁

To suppress mutual diffusion between components in a dielectric layer and components in an insulating layer at the time of simultaneously baking a green sheet and the dielectric layer through an electrode layer in a capacitor, to prevent reduction in the capacity of the capacitor part, and to suppress the dispersion of the capacity.例文帳に追加

コンデンサ部の電極層を介してグリーンシートと誘電体層を同時焼成する際、誘電体層中の成分と、絶縁層中の成分との相互拡散を抑制し、コンデンサ部の容量の低下を防ぎ、またそのバラツキを抑制することができるものとすること。 - 特許庁

As the main components of a sealing material 56 are Si and Al which are the main constituent elements of silicon carbide and sintering auxiliary agents, the sealing material 56 intervening between a porous cylinder 12 consisting of silicon carbide and an end cap 18 is unified with a body to be joined by the mutual diffusion of Si, Al and N.例文帳に追加

封着材５６の主成分であるSi,Alは窒化珪素の主構成元素や焼結助剤であることから、この封着材５６を用いて窒化珪素から成る多孔質円筒１２やエンドキャップ１８を相互に接合するに際して、その相互間に介在させられた封着材５６は、Si,Al,Nの相互拡散によって被接合体と一体化する。 - 特許庁

The Sn-Cu-Ni intermetallic compound functions as a barrier layer; mutual diffusion between Ni and Cu is suppressed; generation of voids due to Kirkendall effect is suppressed; a sealing property of an interface between the ceramic element 9 and an external terminal electrode is improved; and reliability of this ceramic electronic component is improved.例文帳に追加

このＳｎ−Ｃｕ−Ｎｉ金属間化合物層がバリア層として機能し、ＮｉとＣｕとの相互拡散が抑制されるとともに、カーケンダル効果によるボイドの発生を抑制し、セラミック素体９と外部端子電極との界面のシール性を向上させ、セラミック電子部品の信頼性を向上させる。 - 特許庁

To provide an Al alloy film for a display device in which mutual diffusion between Al and Si can be suppressed and electrical contact having low-resistance ohmic characteristics can be obtained, even if a barrier metal layer between a silicon semiconductor layer and/or a transparent conductive film and the Al alloy film is omitted, and which has sufficient heat resistance.例文帳に追加

シリコン半導体層および／または透明導電膜との間のバリアメタル層を省略しても、ＡｌとＳｉの相互拡散を抑制でき、低抵抗のオーミック特性を有する電気的接触が得られると共に、十分な耐熱性を有する表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。 - 特許庁

The solid polymer fuel cell 100 has a diffusion infiltration prevention means which, by having a stack 110 arranged inside a container 101 where water 1 is put in the interior, a partition adjacent to the stack 110, the water 1 between mutual neighboring gas communication parts of separators and air that is the peripheral atmosphere of the stack 110 is formed.例文帳に追加

拡散侵入防止手段を、内部に水１を入れた容器１０１内にスタック１１０を配設することにより、スタック１１０の隣り合うセパレータのガス流通部の間とスタック１１０の周辺雰囲気である空気との間を水１で仕切るようにした、固体高分子形燃料電池１００とした。 - 特許庁

Bonding property of a barrier layer to a foundation dielectric is improved by forming a bonding/interlaminar region (410) of a semiconductor substrate element (404) before deposition of a barrier layer (412), strength to the next mutual connection layer is improved without changing function of a barrier layer, and diffusion of Cu into a dielectric substrate is limited.例文帳に追加

バリア層（４１２）の堆積前に半導体基板素子（４０４）の接着／層間領域（４１０）を形成することによって、下地の誘電体に対するバリア層の接着性を改善し、バリア層の機能を変えることなく、次の相互接続層に対する強度を高め、Ｃｕの誘電体基板内への拡散を制限する。 - 特許庁

To prevent moisture absorption of a face material through a facing material and diffusion of moisture in the face material, and to prevent a warp of a panel, waves of the face material, and separation of mutual core material and face material in the screen panel for arranging the moisture permeable facing material on the surface side of the face material composed of a moisture basorbing material.例文帳に追加

吸湿材からなる面材の表面側に透湿性を有する表装材を配置するスクリーンパネルにおいて、表装材を通じて面材が吸湿したり、面材内の水分が放散されることを防止し、パネルの反りや面材の波うちや芯材と面材相互のはがれを防止する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of preventing the mutual diffusion of impurities in a polysilicon layer and reducing the resistance of an n-type polymetallic gate electrode and a p-type polymetallic gate electrode in the semiconductor device having a gate electrode in a polymetallic gate structure and a dural gate structure.例文帳に追加

ポリメタルゲート構造及びデュアルゲート構造のゲート電極を有する半導体装置において、ポリシリコン層中の不純物の相互拡散を防止すると共に、Ｎ型ポリメタルゲート電極とＰ型ポリメタルゲート電極の抵抗を共に低くすることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A metal oxide film 2 is formed on a silicon substrate 1, a polysilicon electrode 3 is formed thereon and then it is heated to cause mutual diffusion between the metal oxide film 2 and the silicon substrate 1 and between the metal oxide film 2 and the polysilicon electrode 3 thus forming a metal silicate film 5 on the silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１上に金属酸化膜２を形成し、次いで、ポリシリコンよりなる電極３を形成し、その後加熱して、前記金属酸化膜２とシリコン基板１とを、および、前記金属酸化膜２とポリシリコン電極３とを、それぞれ、相互拡散反応させて珪酸金属膜５を前記シリコン基板１上に形成するようにした。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable effectively preventing mutual diffusion in the components between the gate electrodes of n- and p-type transistors in a gate electrode formation process and the subsequent heat treatment process for the method for manufacturing the semiconductor device having a wiring layer substituted for metal and metal silicide.例文帳に追加

金属や金属シリサイドに置換した配線層を有する半導体装置の製造方法に関し、ゲート電極形成過程及びその後の熱処理工程において、Ｎ型トランジスタのゲート電極とＰ型トランジスタのゲート電極との間における構成材料の相互拡散を効果的に防止しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Next, ions are implanted into the structure, the ions forming defects by which mechanical decoupling is achieved at the interface or vicinity of the interface; then a heating step is performed to the structure including the implanted ions, by which mutual diffusion of Ge through the first single crystal Si layer and SiGe layer is achieved; thereby a SiGe layer that is substantially relaxed single crystal and homogenous is formed on the barrier layer.例文帳に追加

次に、界面での、または界面付近での機械的な分断を可能にする欠陥を形成することができるイオンが構造内に注入され、その後、注入されたイオンを含む構造に、第１の単結晶Ｓｉ層およびＳｉＧｅ層を通るＧｅの相互拡散を可能にする加熱ステップを施して、障壁層の上に、実質的に緩和された単結晶であり均質のＳｉＧｅ層を形成する。 - 特許庁