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positioning reactionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 51件
A method of forming a high dielectric film by means of semiconductor process equipment comprises the steps of positioning a semiconductor substrate in a chamber in the process equipment, forming a tantalum component containing film on the substrate, and converting the tantalum component containing film into a tantalum nitride oxide film by processing it in the reaction gas.例文帳に追加
本発明の高誘電体膜形成方法は、半導体工程装備で高誘電体膜を形成する方法において、前記工程装備の反応器内に半導体基板を位置させる段階と、前記半導体基板の上部にタンタル成分含有膜を形成する段階と、前記タンタル成分含有膜を反応気体内で処理してタンタル窒化酸化膜に変換させる段階とを備えることを特徴とする。 - 特許庁
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