「protection potential」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

In this semiconductor device, including between an external connection terminal and an internal circuit region, an NMOS transistor for ESD protection having a gate potential fixed to a ground potential, an external connection terminal is formed above a drain region of the NMOS transistor for ESD protection, and the drain region is surrounded by a source region via a channel region.例文帳に追加

外部接続端子と内部回路領域との間にゲート電位をグランド電位に固定したＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタを有する半導体装置において、外部接続端子はＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのドレイン領域上に形成し、ドレイン領域はチャネル領域を介してソース領域に囲まれるようにした。 - 特許庁

This protected sensing impedance 20 used in a measuring instrument 10 includes a sensing impedance 14 constituted to have a spatially distributed electric potential, an at least one protection constitutive body 16 or 18 constituted to have the spatially distributed electric potential.例文帳に追加

測定器１０に用いられる被保護センスインピーダンス２０は、空間分布された電気ポテンシャルを有するようにしたセンスインピーダンス１４と、この空間分布された電気ポテンシャルを有するようにした少なくとも１つの保護構成物１６又は１８とを含んでいる。 - 特許庁

In case a hidden treasure placed as a found article before the police station is recognized as a potential cultural property, the chief of police shall submit the 'document for buried cultural property' to the Boards ofEducation of prefectures, designated cities and core cities in accordance with Article 101 of the Protection Law (Article 60 of the former Protection Law). 例文帳に追加

警察署では、拾得物として受け付けた埋蔵物が文化財と認められるときは、法101条（旧第60条）に基づき管轄の都道府県、政令指定都市及び中核市の教育委員会に「埋蔵文化財提出書」を提出する。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The protection plate 3 has a sheet metal structure of cross-sectionally L-shape and is arranged so as to cover the exposed portion of the circuit terminal 2 in the vicinity of the opening 1d, and is connected to a ground potential.例文帳に追加

保護プレート３は断面形状がＬ字型の板金構造であり、開口部１ｄ付近の回路端子２の露出部分を覆うように配され接地電位と接続される。 - 特許庁

To obtain an aerosol for blowing off dust favorable for aspects of environmental protection by using a propellant having a low global warming potential and a sufficient jetting pressure.例文帳に追加

地球温暖化係数が低く、尚且つ充分な噴射圧を有する噴射剤を用いることにより、環境保全の点において好ましいほこり吹き飛ばし用エアゾールを提供する。 - 特許庁

The protection circuit 29 turns off the electric power when the ignition device 7 inputs the electric power from the battery 5 side and the input voltage reaches a prescribed value on the basis of ground potential or higher.例文帳に追加

点火装置７がバッテリ５側から電力を入力しているときであって、この入力電圧がアース電位を基準とする所定値以上になったとき、保護回路２９がオフする。 - 特許庁

However, to justify the government giving preferential treatment to a certain industry and providing protection to lift the competitiveness of that industry, two requirements must be met. Firstly, even if the industry is not currently making a profit, it must have the potential to do so in future even without protection. Secondly, the future benefit to be derived from protection must be greater than the cost of protection measures5.例文帳に追加

ただし、政府が特定の産業を優遇し、当該産業の競争力を向上させるために保護を行うことが正当化されるためには、①当該産業の利益構造が現時点で採算が合わないものであっても、将来時点では採算が合い保護が不要となる見通しが立っていること、②保護政策に係る費用を保護により将来得られる利益が上回ること、という２つの基準を満たす必要がある5。 - 経済産業省

The protection circuit includes: a diode 11 with an anode connected to an input terminal 1, and an NPN-type transistor 13 with a collector connected to a cathode of the diode 11, a base connected to a low potential power terminal 4 through a bias resistor 12, and an emitter connected to the low potential power terminal 4.例文帳に追加

入力端子１にアノードが接続されるダイオード１１と、該ダイオード１１のカソードにコレクタが接続され、ベースがバイアス抵抗１２を介して低電位電源端子４に接続され、エミッタが該低電位電源端子４に接続されるＮＰＮ型のトランジスタ１３とで構成する。 - 特許庁

A sensing resistor 3 for sensing an output current is provided to the source of the output MOSFET 2, a protection circuit IC 4 is activated to short-circuit between the gate and the source of the MOSFET 2 at the moment when the high potential side of the sensing resistor 3 reaches a prescribed potential.例文帳に追加

出力用のＭＯＳＦＥＴ２のソース側に出力電流を検出するための検出抵抗３を設け、検出抵抗３の高電位側が所定の電位に達した瞬間に、保護回路ＩＣ４を動作させてＭＯＳＦＥＴ２のゲート−ソース間を所定時間だけ短絡させる。 - 特許庁

A protection circuit 40 is disposed between a junction of the source terminal of the fourth n-channel MOSFET (Mn4) and an input terminal of the switch element, and the ground potential to lead a negative current flowing in from a drain terminal of the fourth n-channel MOSFET (Mn4) owing to electrostatic discharge to the ground potential.例文帳に追加

保護回路４０は、第４ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ（Ｍｎ４）のソース端子と上記スイッチ素子の入力端子の接続点と、グラウンド電位との間に設けられ、静電気放電による第４ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ（Ｍｎ４）のドレイン端子から流入する負電流をグラウンド電位に流す。 - 特許庁

In this DRAM, an n+ type drain region 7d of a field transistor 7 included in an internal protection circuit 9 is replaced by p+ type drain region 7d', and a bias potential V1 larger than a power supply potential VCC is applied to an n type well region NW below the p+ type drain region 7d'.例文帳に追加

このＤＲＡＭでは、内部保護回路９に含まれるフィールドトランジスタ７のｎ+ 型ドレイン領域７ｄをｐ+ 型ドレイン領域７ｄ′で置換し、ｐ+ 型ドレイン領域７ｄ′の下のｎ型ウェル領域ＮＷに電源電位ＶＣＣ以上のバイアス電位Ｖ１を印加する。 - 特許庁

As the other means, the controller sets protection current to less than the diffusion limit current density of dissolved oxygen, so as to control protection current to the fixed one, and, by the partial formation of electrocoating, the electric potential in the surface part of the steel in contact with fresh water is reduced to -0.7 V(SHE) or lower.例文帳に追加

他の手段として、制御装置は、防食電流密度を溶存酸素の拡散限界電流密度未満に設定して防食電流を定電流制御し、エレクトロコーティングの部分的な形成によって、淡水と接触する鋼材表面部分の電位を-0.7V（SHE）以下に低下させる。 - 特許庁

By passing the surface protection layer through a drying step after it is allowed to stand for an adequate time after coating, a charge transport material in the charge transport layer migrates to the surface protection layer, whereby the photoreceptor which prevents substantial rise of residual potential and also has durability can be provided.例文帳に追加

表面保護層を塗工後、適当な時間放置した後に乾燥工程を経ることにより、電荷輸送層の電荷輸送物質が表面保護層に移行することで、残留電位の大幅なアップを防ぎ耐久性も兼ね備える感光体を提供することが出来る。 - 特許庁

To achieve high voltage protection, the bias electrode is set to negative potential and the TFT 'off' gate voltage is set to a predetermined negative value so that the TFT is substantially in a non-conductive state.例文帳に追加

高電圧保護を達成するために、バイアス電極が負電位に設定し、かつＴＦＴ「オフ」ゲート電圧が予め定められた負値に設定して、ＴＦＴが実質的に非導電状態にされる。 - 特許庁

In the case that the MOSFET for the trigger and the MOSFET for the protection are N-channel type MOS transistors, gate electrodes for triggers 5, 5a, source dispersion layers 6, 6a or the like are connected to earth potential.例文帳に追加

なお、トリガー用ＭＯＳＦＥＴと保護用ＭＯＳＦＥＴとがＮチャネル型ＭＯＳトランジスタである場合には、トリガー用ゲート電極５，５ａ、ソース拡散層６，６ａ等は接地電位に接続されている。 - 特許庁

AM-LCD1 has the wiring 23a for repair that restores the data bus line 27, in which disconnection occurs, connected with a common potential feeding conduction pattern 25 through an electrostatic protection element part 20.例文帳に追加

ＡＭ−ＬＣＤ１は、静電気保護素子部２０を介して共通電位供給導電パターン２５に接続された断線の生じたデータバスライン２７を修復するリペア用配線２３ａを有している。 - 特許庁

To surely evaluate the state of electrolytic protection in a short time by continuously estimating pipe-to-ground potential at each measuring position in a covered steel pipe buried in the ground without visiting each measuring position.例文帳に追加

地中に埋設された被覆鋼管の各測定位置における管対地電位を、各測定位置に行かずに連続的に推定して電気防食の状態を短時間で確実に評価する。 - 特許庁

Furthermore, capacities between the first power source wiring and the second power source wiring are connected plurally in series, and a potential divided in accordance with these capacities is supplied to a gate of the inter-power source protection transistor.例文帳に追加

さらに、第１の電源配線と第２の電源配線との間容量を直列に複数接続し、これらの容量によって容量分圧された電位を電源間保護トランジスタのゲートに供給する。 - 特許庁

To provide an industrial door that can reduce the potential for trespassing and unwanted draft, and safely withstand unwanted inwards or outwards bulging of a door curtain in machine protection door installations.例文帳に追加

不法侵入の可能性や不要な通気を減少させ、機械保護ドア装置におけるドアカーテンの内側又は外側への不要な隆起に安全に耐えることが出来る工業用ドアを提供することである。 - 特許庁

While the excess voltage condition exists in a common bus (20), an excess voltage protection circuit (30) blocks currents flowing through a high potential supplying rail via the pull-up transistor of an output circuit.例文帳に追加

過剰電圧保護回路（３０）は、共通バス（２０）に過剰電圧条件が存在している間、出力回路のプルアップ・トランジスタを介して高電位供給レールに流れる電流を阻止する。 - 特許庁

The semiconductor device is connected with a first input line Vin1, and the protection element is connected between a first node N1 positioned between the semiconductor device and the first input line and grounding potential.例文帳に追加

半導体素子は第１の入力線Ｖｉｎ１と接続されており、半導体素子と第１の入力線との間に位置する第１のノードＮ１と接地電位との間に保護素子が接続されている。 - 特許庁

The active matrix type display device includes a substrate, a plurality of video signal lines VL, a plurality of pixels PX connected to the respective video signal lines, and a plurality of protection wirings set at fixed potential.例文帳に追加

アクティブマトリクス型表示装置は、基板と、複数の映像信号線ＶＬと、各映像信号線に接続された複数の画素ＰＸと、一定の電位に設定される複数の保護配線と、を備えている。 - 特許庁

To provide a protection element against electrostatic discharge in which when an excessive current caused by the static electricity is applied to a drain, a potential below a source can be raised effectively to quickly cause a snap-back.例文帳に追加

静電気による過剰な電流がドレインに印加されたときにソース下部の電位を効率的に上昇させてスナップバックを速やかに生じさせることができる静電気放電保護素子を提供する。 - 特許庁

The adsorption amount of a plating metal, in an electrolytic plating process increases on the electrical connection region 111 whose potential is lower than a protection film 12 through the base metal layer 14.例文帳に追加

保護膜１２上に対し電位をより低くした電気的接続領域１１１上には、下地用金属層１４を介して電解メッキ工程におけるメッキ金属の吸着量が増大する。 - 特許庁

A fuel cell protection circuit (10) comprises a detecting means (20) for detecting the potential difference failure between the electrodes of at least one cell (C) of a number of cells (C, C, ...) composing the fuel cell stack, and a bypass means (30) for forming the bypass path for the electrodes when the detecting means detects the potential difference failure.例文帳に追加

燃料電池保護回路（１０）は、燃料電池スタックを構成する多数のセル（Ｃ，Ｃ，…）のうち少なくとも１つのセル（Ｃ）の電極間の電位差不良を検出する検出手段（２０）と、検出手段が電位差不良を検出したとき当該電極のバイパス経路を形成するバイパス手段（３０）とを備える。 - 特許庁

In this ESD protection circuit (40), the ESD transistor (44) is controlled through a transistor (49), and the transistor (49) is controlled by an inverter (50) with the inversion potential of the intermediate tap (46).例文帳に追加

このＥＳＤ保護回路（４０）は、ＥＳＤトランジスタ（４４）がトランジスタ（４９）を介して制御され、トランジスタ（４９）は中間タップ（４６）の反転電位を備えるインバータ（５０）により制御されることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a trouble is not caused in an operation of an internal circuit even if a negative potential is applied to input/output terminals, with regard to the semiconductor device having an electrostatic protection circuit.例文帳に追加

静電保護回路を有する半導体装置に関し、入出力端子に負電位が印加された場合でも、内部回路の動作上問題を起こすことのない半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

When an abnormal voltage such as the ESD surge is applied to an input pad 1, an NMOS 12A1 for gate protection diode-connected between a node N11 and a node N12 breaks down first, and the potential at the node N12 rises.例文帳に追加

入力パッド１にＥＳＤサージ等の異常電圧が印加されると、ノードＮ１１とノードＮ１２の間にダイオード接続されたゲート保護用のＮＭＯＳ１２Ａ１が先にブレークダウンし、ノードＮ１２の電位が上昇する。 - 特許庁

When a DC-DC converter 1 is started, a soft-start voltage generating circuit 20 outputs an overcurrent protection/soft start voltage VOCPS for gradually increasing the voltage level of an overcurrent protection reference voltage generated by an overcurrent protection reference voltage generating circuit 19 from 0 V (reference potential VSS) by the time constant of a so-called RC circuit constructed by a resistor 21 and a capacitor 23.例文帳に追加

ＤＣ−ＤＣコンバータ１の起動時において、ソフトスタート用電圧生成回路２０は、過電流保護用基準電圧生成回路１９が生成した過電流保護用基準電圧を抵抗２１とコンデンサ２３によって構成された、いわゆるＲＣ回路の時定数によって、０Ｖ(基準電位ＶＳＳ)から徐々に電圧レベルを上昇させる過電流保護／ソフトスタート電圧Ｖｏｃｐｓを出力する。 - 特許庁

Second MOS 102 where a gate is not connected to a terminal 101 is arranged in series between first MOS 111 and reference potential wiring 106, and it is provided with a fourth electrostatic protection element 124 close to the gate and a source.例文帳に追加

ゲートが端子１０１に接続されない第２のＭＯＳ１０２は、第１のＭＯＳ１１１と基準電位配線１０６との間に直列に配置され、ゲート−ソース間に近接して第４の静電保護素子１２４を備える。 - 特許庁

To obtain a stable anti-corrosion effect by bringing the oxidation potential for irradiating a titanium oxide film with light to the more basic side in performing photo-cathordic corrosion protection to a metallic material using titanium oxide film.例文帳に追加

酸化チタンからなる被膜を用いて金属材料を光カソード防食するのに際し、酸化チタン被膜への光照射時の酸化電位を一層卑な方向へと低下させ、安定した防食作用を実現できるようにする。 - 特許庁

These products, however, may not be fully covered by existing financial consumer protection framework, making consumers with no prior experience in dealing with financial issues more likely to make mistakes and more vulnerable to potential abuse. 例文帳に追加

しかし、これらの商品は、既存の金融消費者保護の枠組みでは十分にカバーされておらず、こうした商品に関する経験を有さない消費者が、潜在的な濫用の可能性に対して脆弱で、過ちを犯す傾向が高い。 - 財務省

The electrostatic discharge protection circuit 3 connected between a pad 1 for external connection and a circuit 2 to be protected is inserted between the pad 1 and a grounding cable, comprises a first NMOS transistor QN1 and a second NMOS transistor QN2 mutually connected in series, and comprises a first gate electric potential control circuit 4 and a second gate electric potential control circuit 5.例文帳に追加

外部接続用パッド１と被保護回路２との間に接続された静電気放電保護回路３は、外部接続用パッドと接地線との間に挿入され、互いに直列に接続された第１のＮＭＯＳトランジスタＱＮ１および第２のＮＭＯＳトランジスタＱＮ２と、第１のゲート電位制御回路４および第２のゲート電位制御回路５を備える。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor including a filler in its surface protection layer being the uppermost surface layer and capable of reducing initial residual potential to form image at high speed, preventing the image from being deteriorated due to image blurring, preventing residual potential from increasing, and forming high quality image stably and continuously irrespective of its repeated use for a long period of time.例文帳に追加

最表面層である表面保護層にフィラーを含有する電子写真感光体において初期残留電位を低減して高速な画像形成を実現でき、画像ボケによる画像劣化及び残留電位上昇を抑制し、長期間の繰り返し使用に対しても高画質画像が安定に形成できる電子写真感光体の提供。 - 特許庁

A semiconductor device is provided with a semiconductor substrate, a gate insulating film formed on the semiconductor substrate, a protection insulating film formed on the semiconductor substrate, a gate electrode formed on the gate insulating film and the field plate electrode which is formed on the protection insulating film and has the same potential as the gate electrode.例文帳に追加

例えば、本発明に係る半導体装置は、半導体基板と；前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と；前記半導体基板上に形成された保護絶縁膜と；前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と；前記保護絶縁膜上に形成され、前記ゲート電極と同電位のフィールド・プレート電極とを備える。 - 特許庁

This lightning protection ion dissipation device is installed in the wind power generation equipment, dissipates onto the air ionic charges induced on the ground surface when thundercloud reaches the sky above it, and reduces the electrostatic potential difference in the sky so as to prevent the thunderbolt.例文帳に追加

風力発電装置に防雷用のイオン放散器を設置し、雷雲が上空に到来した際に地表に誘発されるイオン電荷を空中に放散させて上空の静電位差を低下させることにより落雷を防止するシステムを構成する。 - 特許庁

In a circuit in which a protected element 42 is connected between an input terminal 61 and an output terminal 62, a protected element 41 is connected between the input terminal 61 and a reference potential 71, and a protection circuit 51 is connected in parallel to the protected element 41.例文帳に追加

入力端子６１と出力端子６２との間に被保護素子４２が接続され、入力端子６１と基準電位７１との間に被保護素子４１が接続された回路において、被保護素子４１と並列に保護回路５１を接続する。 - 特許庁

A device with an overvoltage protection function has a varistor 5, and is connected to a high potential of a circuit device 2 via a first line 30 by a first connection part 7, and a second connection part 8 is connected to the ground via a second line 10.例文帳に追加

過電圧保護機能を備えたデバイスは、バリスタ５を有し、第一の接続部７により、第一のライン３０を介して回路装置２の高電位に接続され、また第二の接続部８は第二のライン１０を介してアースに接続される。 - 特許庁

It could be said that the experience of this company shows that even for SMEs working in fields that at first glance seem far-removed from patents and intellectual property, the strategic protection and utilization of intellectual property holds the potential to help them take giant steps forward.例文帳に追加

同社は、一見、特許等の知的財産と縁が遠いと思われる事業を行う中小企業にとっても、知的財産の戦略的な保護・活用が大きな飛躍をもたらす可能性を秘めていることを示す事例であるといえよう。 - 経済産業省

The ESD protection circuit 110 includes a bipolar transistor 121 comprising a first diffusion layer 115 of a first conductive type connected to a high potential power supply VDD, a second diffusion layer 114B of a second conductive type connected to a low potential power supply VSS, and a third diffusion layer 14A of the second conductive type connected to an input/output pad 101.例文帳に追加

本発明によるＥＳＤ保護回路１１０は、高電位電源ＶＤＤに接続される第１導電型の第１拡散層１１５と、低電位電源ＶＳＳに接続される第２導電型の第２拡散層１１４Ｂと、入出力パッド１０１に接続される第２導電型の第３拡散層１４Ａとによって形成されるバイポーラトランジスタ１２１を具備する。 - 特許庁

At least two P-N junction elements of the first P-N junction element, the second P-N junction element, the third P-N junction element and the fourth P-N junction element are connected between two different potential lines in forward bias to form an electrostatic protection circuit.例文帳に追加

第一のＰＮ接合素子、第二のＰＮ接合素子、第三のＰＮ接合素子、および第四のＰＮ接合素子のうちの少なくとも２つのＰＮ接合素子を、異なる２つの電位配線間に順方向バイアスに接続して静電気保護回路とする。 - 特許庁

A secondary battery protection circuit includes: an adjustment circuit for adjusting a reference voltage; the external terminal; a control circuit for output of a control signal based on a potential of the external terminal; and a switch circuit for connecting the external terminal to the adjustment circuit based on the control signal.例文帳に追加

２次電池保護回路は、基準電圧を調整する調整回路と、外部端子と、外部端子の電位に基づいて制御信号を出力する制御回路と、制御信号に基づいて、外部端子を調整回路に接続するスイッチ回路とを備える。 - 特許庁

To provide an electric motor control device with high protection reliability, which makes an electric power converter compact at a low cost, by stabilizing the potential of its DC neutral point to the ground, in the electric motor control device, in which a plurality sets of inverters are connected to a common converter.例文帳に追加

共通のコンバータに複数台のインバータが接続される電動機制御装置において、直流中性点の対地電位を安定化させ、電力変換装置の小形化、低コスト化を実現することができる保護信頼性の高い電動機制御装置を得る。 - 特許庁

To provide an input protection circuit which is hardly short-circuited even if a high voltage is applied from a high-potential power supply Vdd in a normal operation ensuring a voltage input terminal of a high electrostatic breakdown voltage.例文帳に追加

電圧入力端子の静電気耐圧を確保しながら、通常動作時に電圧入力端子に高電位電源Ｖｄｄより高い電圧が印加されたときでも、高電位電源Ｖｄｄに対して短絡を起こさない入力保護回路を提供すること。 - 特許庁

In addition to essential constitutes, this high-tension load switch with ground fault protection 5 is provided with a ground fault overcurrent relay 510, that detects the occurrence of a ground fault in a circuit at the distribution line side further than switches 501 by inputting the output of a zero-phase potential divider 502.例文帳に追加

地絡保護付高圧負荷開閉器５の本来の構成要素の他に、零相分圧器５０２の出力を入力としてスイッチ５０１よりも配電線１側の回路で地絡事故が生じたことを検出する地絡過電圧継電器５１０を更に設ける。 - 特許庁