「process ion」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

In a process in which a sample piece extracted from a film made up of an aggregate of micro-particulates is to be subjected to micro-machining of two sections of the piece by utilizing a focused ion beam to thin the film, a thin film made up of a uniform material is formed to cover micro-machined end faces after each section is micro-machined.例文帳に追加

微細粒子の凝集体からなる膜から抽出した試料片に対し、その二つの断面に集束イオンビームを利用する微細加工を施し、薄片化を行う工程中、各断面に微細加工を施した後、微細加工端面を被覆する、均質な材料からなる薄膜をそれぞれ形成する。 - 特許庁

In a dry etching process of the fine mask pattern of a membrane mask, a radical and an ion, containing at least one of nitrogen, carbon, and oxygen that do not contribute to pattering, are generated by plasma for supplying to the upper and side surfaces and foundation of the mask pattern, and a layer (membrane) for restraining the generation of stress is reliably formed on the side.例文帳に追加

メンブレンマスクの微細マスクパターンのドライエッチング工程において、パターニングに寄与しない窒素、炭素もしくは酸素の少なくとも一つ以上を含むラジカルやイオンをプラズマにより発生させて、マスクパターンの上面、側面および下地に供給し、側面に応力発生を抑制する層（膜）を確実に形成する。 - 特許庁

To provide a nonpolymer-based radiation-sensitive resist composition having high sensitivity, high resolution and high heat resistance and soluble in a solvent in an easy manufacturing process, the composition which can be used for not only UV rays such as i-line and g-line but for radiation such as visible rays, KrF excimer laser light or the like, electron beams, X rays and ion beams.例文帳に追加

ｉ線、ｇ線等の紫外線のみならず、可視光線、ＫｒＦ等のエキシマレーザー光、電子線、Ｘ線、イオンビーム等の放射線にも利用でき、簡単な製造工程で、高感度、高解像度、高耐熱性かつ溶剤可溶性の非高分子系感放射線性レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element which minimizes TED (Transient Enhanced Diffusion) phenomenon of impurities which is generated in heat treatment process and other successive heat treatment processes for relaxing damage due to ion implantation and prevents lowering of upper film quality caused by outgassing.例文帳に追加

イオン注入による損傷を緩和させるための熱処理工程やその他後続の熱処理工程の際に発生する不純物のＴＥＤ（Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ）現象を最大限抑え、アウトガス（ガス抜け）による上部膜質の低下を防止することが可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Upon synthesizing the diamond-like carbon film from hydrocarbon, the diamond-like carbon film is synthesized from the hydrocarbon and a substance containing silicon and carbon by a plasma chemical vapor growth method of introducing silicon and a substance containing carbon together with hydrocarbon, and applying a high voltage to enable synthesis mainly by an ion process.例文帳に追加

炭化水素からダイヤモンド状炭素被膜を合成するにあたって、炭化水素とともに、シリコン及び炭素を含む物質を導入し、イオンプロセス主体での合成を可能にする高電圧を印加するプラズマ化学気相成長法により、炭化水素とシリコン及び炭素を含む物質とからダイヤモンド状炭素被膜を合成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can fully maintain activity of ions implanted in a well region at the formation of this region and minimizes the damages on a semiconductor substrate in the process of the ion implantation and suppresses the TED phenomenon to ions in the well region.例文帳に追加

ウェル領域形成の際にこの領域に注入されたイオンの活性化を最大限維持し、前記イオン注入工程の際に半導体基板の損傷を最小化するとともに、ウェル領域のイオンに発生するＴＥＤ現象を抑制することを可能にする半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a process of producing colloidal silica under mild conditions which can easily disperse in organics solvents, organic resins or paints containing these, is stable in a medium comprising hydrophobic organic solvent as a main component, and contains few amount of metallic ion impurities.例文帳に追加

有機溶媒、有機樹脂及びこれらを含有する塗料等に対する分散性が良好であるとともに疎水性有機溶媒を主成分とする媒体中において長期間安定であって、かつ金属イオン不純物の含有量の少ないコロイダルシリカを、温和な条件で製造することが可能な方法を提供する。 - 特許庁

To surely prevent performance deterioration caused by shortage of an electrolyte and stably maintain the performance of an element for a long time in a lithium ion occlusion/release type organic electrolyte storage battery conducting a charge discharge process with anions and cations in an electrolyte solution which is an electrolyte component.例文帳に追加

電解質成分である電解液中のアニオンとリチウムイオンを使って充放電プロセスを行わせるリチウムイオン吸蔵・放出型有機電解質蓄電池にあって、その電解質の不足による性能劣化を長期にわたって確実に回避させ、これにより、素子の性能を長期にわたって安定に維持させる。 - 特許庁

To form a dielectric film whose principal component is PZT stabilizing a polarization property by adding rare earth ion or alkaline earth element to an upper part of wiring layers or between wiring layers made by applying a wiring layer forming process of a semiconductor device in a capacitor and a method of manufacturing the capacitor.例文帳に追加

キャパシタ及びその製造方法に関し、半導体装置の配線層形成工程を適用して作製した配線層の上方或いは配線層間に希土類イオン、或いは、アルカリ土類元素を添加して分極特性を安定化したＰＺＴを主成分とする誘電体膜の形成を可能にしようとする。 - 特許庁

To provide a production method by which a versatile salt and versatile bittern each having a desired ion composition are efficiently obtained in a simple process using brine obtained by a production method which prevents damage to various ions, particularly magnesium and sulfate ions as essential components of bittern, natural infinitesimal ions and infinitesimal organic components.例文帳に追加

、多様なイオン、特に苦汁の主成分であるマグネシウムや硫酸イオン、天然の微量イオン及び微量有機成分を損なわない製造方法により得られたかん水を用い、所望のイオン組成を有する多用途塩及び多用途苦汁を、簡易な工程で効率よく得る製造方法を提供する。 - 特許庁

To hold an observation desired portion stably on a sample holder, when extracting surely the observation desired portion from a large sample substrate and performing finishing process for preparing a thin-film sample, in a method for preparing the thin-film sample for performing observation by a transmission electron microscope by using a focused ion beam.例文帳に追加

集束イオンビームを用いて透過型電子顕微鏡で観察をおこなうための薄膜試料を作製する方法において、大きな試料基板から観察所望部位を確実に抽出し、薄膜試料作製のための仕上げ加工を行なう際に、観察所望部位を試料ホルダに安定して保持することができるようにする。 - 特許庁

To provide an easily maitainable metal-recovering apparatus for continuously recovering a desired metal with high productivity, for instance, from a solution containing metal ion such as an acidic solution of sulfuric acid prepared from dust produced in a copper smelting process, and a metal-recovering method using the metal-recovering apparatus.例文帳に追加

例えば、銅製錬工程にて発生する煙灰から調製された硫酸酸性溶液のような金属イオンを含有する溶液から、所望の金属を、高い生産性をもって連続的に回収すると供に、メンテナンスの容易な金属回収装置、および当該金属回収装置を用いた金属回収方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vacuum-film deposition apparatus and a vacuum film deposition method each using a pressure-gradient type ion-plating process which are adaptive even to film-deposition of an electrically conductive insulating material, achieve fully stable film deposition and continuous film-deposition on a target base material and stably provide a film-deposited base material.例文帳に追加

電気的絶縁性物質を成膜する場合にも対応でき、対象とする基材上に充分安定的に成膜することができ、且つ、連続的に成膜ができ、安定的に、成膜された基材を得ることができる、圧力勾配型イオンプレーティング方法を用いた真空成膜装置、真空成膜方法を提供する。 - 特許庁

Respective programmable elements are constituted of depletion type transistors D100, D101 being same as memory cells of a mask ROM apparatus, the depletion type transistors are programmed in a first program state of a conduction state in an ion injection process for memory cells of the mask ROM apparatus or in a second program state of a non-conduction state.例文帳に追加

プログラム可能な素子の各々はマスクＲＯＭ装置のメモリセルと同一の空乏型トランジスタＤ１００，Ｄ１０１で構成され、空乏型トランジスタはマスクＲＯＭ装置のメモリセルに対するイオン注入工程で導通状態の第１プログラム状態又は非導通状態の第２プログラム状態にプログラムされる。 - 特許庁

To propose a method for securing a sufficient sectional area for gas passage and friction between an electrode wound body and the inside of a cylindrical can to prevent an electrode wound group from jutting out when a large amount of gas is generated due to overcharging or short-circuit, etc. of a lithium ion battery, thereby eliminating adverse effects on a manufacturing process.例文帳に追加

リチウムイオン電池の過充電や短絡等によるガス大量発生時に、充分なガス流路断面積と、電極捲回体と円筒缶内側との摩擦を確保して電極捲回群の飛び出しを避ける方法であって、製造プロセスへ影響しない方法を提案することを目的とする。 - 特許庁

The olefin polymerization catalyst comprises a compound [c], which is formed by an ion exchange process wherein the anion of an anion exchanging layer compound [a] is exchanged with a complex [b] comprising a transition metal selected from the 4-10 groups on the periodic table and a ligand having an anionic functional group, and, as required, an organic aluminum compound [d].例文帳に追加

アニオン交換性層状化合物［ａ］のアニオンを、周期表４〜１０族から選ばれる遷移金属およびアニオン性の官能基を有する配位子からなる錯体［ｂ］でイオン交換してなる化合物［ｃ］、および必要に応じて有機アルミニウム化合物［ｄ］からなるオレフィン重合用触媒を用いる。 - 特許庁

To provide a vacuum film deposition system and a vacuum film deposition method using a pressure gradient ion plating process capable of corresponding even to the case that an electrically insulating substance is film-deposited, capable of sufficiently stably depositing a film on a base material as an object, and also capable of obtaining a stably film-deposited base material.例文帳に追加

電気的絶縁性物質を成膜する場合にも対応でき、対象とする基材上に充分安定的に成膜することができ、且つ、安定的に、成膜された基材を得ることができる、圧力勾配型イオンプレーティング方法を用いた真空成膜装置、真空成膜方法を提供する。 - 特許庁

The method for straightening the warping of the ceramic plate 50 in which the warping is generated has an etching process of etching a surface 50A formed to a convex shape by the warping in the ceramic plate 50 by irradiating the surface 50A formed to the convex shape with a beam of at least either of an ion beam or neutral particle beam.例文帳に追加

反りを生じたセラミック板５０の反りの矯正方法であって、セラミック板５０において反りによって凸状とされている面５０Ａに対してイオンビーム又は中性粒子ビームの少なくとも一方のビームを照射して、凸状とされている面５０Ａをエッチングするエッチング工程を備える。 - 特許庁

A method for manufacturing a composite magnetic material (composite magnetic sleeve 10), equipped with a magnetic part and a nonmagnetic part, comprises a process of modifying a part (exposed part 10c and 10d) of a nonmagnetic body (e.g. a sleeve formed of austenite stainless steel) into a magnetic part by nitriding it through an ion nitriding method.例文帳に追加

磁性部と非磁性部を備えた複合磁性体（複合磁性スリーブ１０）の製造方法において、所定形状に成形した非磁性体（例えば、オーステナイト系ステンレス鋼で成形したスリーブ）の一部（露呈部１０ｃ，１０ｄ）をイオン窒化法等により窒化させて磁性部に改質する工程を含むことに特徴がある。 - 特許庁

Only silicon tetrachloride is used for an etching gas when a cathode is formed on a n-type semiconductor layer by removing a part of a light emitting layer and a p-type semiconductor layer in reactive-ion etching process after the n-type semiconductor layer, light emitting layer and p-type semiconductor layer are sequentially laminated on a substrate.例文帳に追加

基板上にｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層をこの順序で積層した後、発光層およびｐ型半導体層の一部を反応性イオンエッチング法により除去してｎ型半導体層上に負極を形成する際に、エッチングガスに四塩化珪素のみを用いる。 - 特許庁

It is preferably that the drain in treated with a reverse osmosis membrane unit and an ion exchange unit, and further the resulting treated water is treated with a filtration membrane unit which is provided with filtration membrane having ≤1 μm pore size and placed at or in the vicinity of the terminal of this treatment stage to obtain final treated water, and the recovered final treated water is reutilized in the developing process.例文帳に追加

該排水を逆浸透膜装置及びイオン交換装置で処理し、得られる処理水を更に処理工程の末端又はその近辺で孔径が１μｍ以下の濾過膜を備えた濾過膜装置で処理して得られる最終的な処理水を現像工程で再利用するのが好ましい。 - 特許庁

This TFT manufacturing method is carried out in such a manner that a semiconductor layer 1 is arranged on a substrate 60, a gate-insulating film 2 is formed covering the semiconductor layer 1, a gate electrode 3a is arranged on the gate-insulating film 2, a protective film 17 is arranged so as to cover the gate electrode 3a, and a resist film used in an ion implantation process is formed.例文帳に追加

基板６０上に半導体層１が配置され、これを覆うようにゲート絶縁膜２、ゲート絶縁膜２上にゲート電極３ａが配置され、更にこのゲート電極３ａを覆うように保護膜１７が配置された状態で、イオン注入工程の際に用いるレジスト膜を形成する。 - 特許庁

The waste liquid containing a tetraalkylammonium ion discharged from the cleaning process of a resist preferably after concentrated is directly fed to a region at ≥400°C in a combustion facility like a cement manufacture facility such as the furnace end of a calcination furnace or a rotary kiln by a supply method of dropping a liquid or spraying.例文帳に追加

レジストの洗浄工程から排出されるテトラアルキルアンモニウムイオン含有廃液を、好ましくは濃縮後、セメント製造設備の如き燃焼設備における４００℃以上の温度を有する領域、例えば、仮焼炉やロータリーキルンの窯尻に液滴や噴霧等の供給方法により直接投入する。 - 特許庁

To easily and rapidly produce an inexpensive flocculant excellent in safety by using an iron-containing silica acidic aq. solution prepared by mixing an aq. solution of ferric ion coexisted with silicic acid, or the like, adding and stirring a water soluble starch and specifying the molar ratio Si/Fe and the pH to simplify the production process.例文帳に追加

水ガラス酸性化工程、モノマーシリカ重合工程、重合シリカの粘度測定が不要で、活性シリカの製造に必要な時間が非常に短時間で、かつ、ゲル化トラブルが全く起きなくて、鉱酸、アルカリ剤とも不要のため製造コストが低く、作業上の安全性が優れた無機凝集剤の製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing process of a semiconductor chip of 0.18 μm or less of a working line width using the copper wiring and the low dielectric constant insulation film whose dielectric constant is 3.0 or less is provided with the constitution of the substrate carrying container maintaining, particularly, particle concentration in environmental gas, humidity, organic matter concentration and ion gas concentration at least a constant value or less.例文帳に追加

銅配線と比誘電率３．０以下の低誘電率絶縁膜を用いた加工線幅０．１８μｍ以下の半導体チップの製造工程において、特に環境気体中の粒子濃度、湿度、有機物濃度、イオン性ガス濃度を少なくとも１つ一定値以下に維持する基板搬送容器の構成を備えた。 - 特許庁

To provide a method for industrially stably producing aluminum-containing nickel hydroxide particles having an average particle size suitable as a source material of a positive electrode material of a lithium ion cell without mixing a complexing agent or halogens in the production process of high-density spheric aluminum-containing nickel hydroxide particles.例文帳に追加

高密度で球状のアルミニウム含有水酸化ニッケル粒子を製造する際、錯形成剤やハロゲンなどの混入がなく、リチウムイオン電池正極材料の原料として好適な平均粒径を有するアルミニウム含有水酸化ニッケル粒子を、工業生産上、安定的に製造する方法を提供する。 - 特許庁

A catalyst element for accelerating oxidation is added to a semiconductor thin film containing silicon, heat treatment is made in oxidation atmosphere, and also the operation between oxygen radical and oxygen ion is utilized, thus forming an oxide film with improved quality on the semiconductor thin film containing silicon in a low-temperature process where the substrate temperature is at 600°C or less.例文帳に追加

シリコンを含む半導体薄膜に酸化を助長する触媒元素を添加し、酸化雰囲気中で熱処理することにより、また、酸素ラジカルおよび酸素イオンとの作用を利用することにより、基板温度が６００℃以下の低温プロセスにおいて、シリコンを含む半導体薄膜上に良質な酸化膜を形成する。 - 特許庁

This apparatus, in a process for automatically peeling electrolytically deposited nickel 2 from the surface of a base sheet 1, after precipitating nickel ion with an electrowinning method on the base sheet 1 to form the button shapes, includes vibrating the base sheet 1 with a vibrator 17, and then dealing a blow to the base sheet 1 with a blowing device 22.例文帳に追加

ニッケルイオンを電解採取法により母板１の上にボタン状に析出させ、析出した電気ニッケル２を母板１から自動的に剥ぎ取る過程において、母板１に加振装置１７によりを振動与えた後に、母板１に打撃装置２２により打撃を与え、母板１から電気ニッケル２を剥ぎ取る。 - 特許庁

During a period after the ion irradiating process to the graft polymerization process, the film base material kept at low temperature.例文帳に追加

高分子フィルム基材に高エネルギーイオンを照射し、該フィルム基材に活性種を生成するイオン照射工程と、該イオン照射工程の後に、機能性官能基を有するか又は後工程で機能性官能基を導入可能なモノマーであるＡ群から選択される１種以上のモノマーを加えて、該フィルム基材と該モノマーをグラフト重合させるグラフト重合工程とを含む機能性膜の製造方法において、該イオン照射工程の後該グラフト重合工程までの間、該フィルム基材を低温で保持する。 - 特許庁

The method of removing the metal ion substituted with the Ca in the calcium phosphate base compound comprises: a contact process for bringing the calcium phosphate base compound contact with a remover solution containing at least a kind of heterocyclic compound containing at least two Ns and its derivative as a principal ingredient; and a removing process for removing the remover solution, after the contact with the calcium phosphate base compound.例文帳に追加

本発明の金属イオンの除去方法は、リン酸カルシウム系化合物が有するＣａに置換した金属イオンを除去する金属イオンの除去方法であり、前記リン酸カルシウム系化合物と、少なくとも２つのＮを含むヘテロ環化合物およびその誘導体のうちの少なくとも１種を主成分とする除去剤を含む除去液とを接触させる接触工程と、前記リン酸カルシウム系化合物に接触させた後の前記除去液を除去する除去工程とを有する。 - 特許庁

Before an ion injecting process (stage S2) as an object of metal contamination evaluation is performed, an amorphous silicon layer 2 is formed (stage S1) on a silicon substrate surface (a surface of a silicon wafer 1) to suppress a crystal defect induced nearby the surface of the silicon wafer 1 due to injection energy in the silicon injection stage S2.例文帳に追加

金属汚染評価対象であるイオン注入処理（工程Ｓ２）を行う前に、シリコン基板表面（シリコンウエハ１の表面）に非晶質シリコン層２を形成する（工程Ｓ１）ことにより、イオン注入工程Ｓ２において注入エネルギーによりシリコンウェハ１の表面近傍に誘発される結晶欠陥を抑制することができる。 - 特許庁

The method of coupling metallic wires applied to an MEMS packaging process for joining the upper part of a silicon substrate 22 equipped with an MEMS element 23 and a glass wafer 24 formed with a hole 26 for coupling the metallic wires includes a step of depositing a metallic film 27 in the hole and a step of ion-milling the deposited film 27.例文帳に追加

ＭＥＭＳ素子２３が設けられたシリコン基板２２の上部と、金属配線連結のための穴２６が形成されているガラスウェハ２４とを接合するＭＥＭＳパッケージング工程に適用される金属配線を連結する方法であって、穴に金属薄膜２７を蒸着する段階及び蒸着された金属薄膜２７をイオンミーリングする段階を含む。 - 特許庁

To provide a treatment method of an asbestos-containing material and fluoride sludge capable of efficiently performing the detoxification of an asbestos-containing material such as asbestos waste or the like and phosphate ion-containing fluoride sludge discharged from a manufacturing process of a semiconductor material or the like at a low heating temperature at the same time, and a cement manufacturing method using it.例文帳に追加

アスベスト廃棄物等のアスベスト含有物と、半導体材料等の製造工程などで排出されたリン酸イオンを含むフッ化物汚泥とを、同時に、かつ低い加熱温度で効率的に無害化処理することができるアスベスト含有物およびフッ化物汚泥の処理方法ならびにこの処理方法を利用したセメントの製造方法を提供する。 - 特許庁

Therefore, since ions of impurities deteriorating the display quality of the liquid crystal display element and invading during the manufacturing process and from the exterior are adsorbed by the ion adsorbing agent 17 in the columnar spacers 18 formed on the light shielding layer 14 having nothing to do with display, the reduction of the display quality of the liquid crystal display element is not generated.例文帳に追加

これにより、液晶表示素子の表示品位を劣化させる製造プロセス中に侵入する不純物イオンや外部から侵入する不純物イオンを、表示には無関係の遮光層１４上に形成した柱スペーサ１８中のイオン吸着剤１７が吸着するため、液晶表示素子の表示品位の低下が生じない。 - 特許庁

To provide a polysaccharide complex which has good processing suitability, is easily and inexpensively obtained by a simple process for purification, in which conformation is uniform, a carboxyl group and amino group forming an ion complex are controllable, which has a capability according to a destination with an additive, and is excellent in biocompatiblity and biodegradability, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

本発明の目的は、加工適性の良く、簡便な精製工程で容易かつ安価に得ることができ、構造が均一で、イオンコンプレックスを形成するカルボキシル基やアミノ基が制御可能で、添加剤により目的に応じた性能を有し、また生体適合性、生分解性に優れる多糖類複合体及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The radical of a process gas having fluorine atoms in chemical construction is fed to a cleaning room 6 in which a substrate 10 is placed, and the substrate 10 is cleaned after the substrate 10 is deactivated by plasma of a hydrogen gas, by which the insulating film 12 is not damaged by high-energy substances such as an ion.例文帳に追加

本発明の成膜方法によれば、水素ガスのプラズマで基板１０の不活性化処理を行った後、基板１０が置かれたクリーニング室６に、化学構造中にフッ素原子を有する処理ガスのラジカルを供給し、基板１０のクリーニングを行うので、絶縁膜１２がイオンのような高エネルギー物質でダメージを受けることがない。 - 特許庁

The process for the production of a metal-containing polymer emulsion homogeneously containing a transition metal or a metal compound containing a transition metal element such as Sc, Ti and V in a polymer comprises the addition of a metal compound forming a metal complex or a metal ion to an aqueous medium containing a surfactant and the emulsion polymerization of a monomer in the aqueous medium.例文帳に追加

遷移金属元素を含む金属化合物または遷移金属が重合体中に均一に含有されている金属含有重合体エマルジョンの製造方法において、界面活性剤を含む水系媒体中に金属錯体あるいは金属イオンを生成する金属化合物を添加した後、この水系媒体中でモノマーを乳化重合する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a magnetoresistance effect element, for increasing efficiency of a hard bias by performing ion milling after lift-off after formation of a hard film in the forming process of the magnetoresistance effect element, and processing the hard film tip part near the uppermost layer of the magnetoresistance effect element.例文帳に追加

本発明は、磁気抵抗効果素子の製造方法に関し、より詳細には磁気抵抗効果素子の形成過程においてハード膜成膜後のリフトオフを行った後にイオンミリングを行い、磁気抵抗効果素子の最上層近辺のハード膜先端部分を加工することによりハードバイアスの効率を高めた磁気抵抗効果素子を製造する方法に関するものである。 - 特許庁

This determination method of the peptide compound having the phenylalanine residue at the N-terminal includes a process for measuring a heat quantity generated by mixing in a solution, (1) the peptide compound having the phenylalanine residue at the N-terminal, (2) cucurbituril [7], and (3) metal ion.例文帳に追加

Ｎ−末端にフェニルアラニン残基を有するペプチド化合物の定量方法であって、１）Ｎ−末端にフェニルアラニン残基を有するペプチド化合物、２）キューカービチュリル［７］、及び３）金属イオンを溶液中で混合することにより発生する熱量を測定する工程を含む、Ｎ−末端にフェニルアラニン残基を有するペプチド化合物の定量方法。 - 特許庁

An upper part photoresist layer 18 which is relatively thin is patterned with an improved resolution and, next, an intermediate metal or a ceramic layer 16 is stipulated by using the upper part photoresist layer 18 as a reactive ion etching(RIE) mask and the lowermost thick photoresist layer 14 is stipulated in a second RIE process by using the intermediate layer as an etching mask.例文帳に追加

改良された解像度で比較的薄い上部フォトレジスト層（１８）がパターニングされ、次に上部フォトレジスト層を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）マスクとして利用し中間金属またはセラミック層（１６）が規定され、次に中間層をエッチングマスクとして使用して、最下層の厚いフォトレジスト層（１４）が第２のＲＩＥプロセスにおいて規定される。 - 特許庁

To provide a method of producing a magnetic recording medium having excellent smoothness of the surface, which reduces the risk of contamination, by significantly simplifying the manufacturing process compared with conventional magnetic layer working type or ion injection type production methods, in the method of producing the magnetic recording medium by depositing a magnetic layer on a base substrate and subsequently forming a magnetic pattern.例文帳に追加

本基板上に磁性層を成膜したのちに磁気パターンを形成する磁気記録媒体の製造方法において、従来の磁性層加工型やイオン注入型と比較して格段に製造工程を簡略化し、汚染リスクがすくなく、表面の平滑性に優れた磁気記録媒体が製造可能な方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing process of a cyclic olefin addition polymer comprises addition-polymerizing a cyclic olefin in the presence of a catalyst composed of the combination of a compound having a specific structure of a transition metal of the group 4 in the periodic table and a compound which forms ion pairs as a result of reacting with an organic aluminum oxy compound and/or a transition metal compound of the group 4 in the periodic table.例文帳に追加

特定構造の周期表第４族遷移金属化合物と、有機アルミニウムオキシ化合物および／または周期表第４族遷移金属化合物と反応してイオン対を形成する化合物との組み合わせからなる触媒の存在下に、環状オレフィンを付加重合する環状オレフィン付加重合体の製造方法。 - 特許庁

In the preferable embodiment at the present time, the inline compounding device includes a biaxial screw mixing extruder and, before the compressed and compounded polymer melted product is transferred to an extrusion die head with the biaxial screw compounding extruder, the kneading and mixing of the ion exchange resin and an arbitrary polymer melted product with additives should be carried out at the latter half process stage.例文帳に追加

現時点での好ましい実施態様によれば、インライン配合装置は、二軸スクリュー配合押出機を含み、この二軸スクリュー配合押出機により、圧縮して配合ポリマー溶融物を押出用ダイヘッドに移送する前に、イオン交換樹脂及び任意のポリマー溶融物への添加剤の後半段階での混練及び混合をおこなう。 - 特許庁

An Ellipsometer is arranged in the orienter chamber 55 and by measuring the thickness of ion implemented region (amorphous layer) in a substrate or the thickness of the formed film without exposing a wafer to the atmosphere outside a manufacturing device until a series of processes such as film forming, annealing, and etching is completed, the management of the condition setting of the next process etc. is made possible.例文帳に追加

オリエンターチャンバ５５にエリプソメータが配設され、成膜，アニール，エッチング等の一連のプロセスが終了するまでウエハを製造装置外の大気にさらすことなく、基板内のイオン注入領域（アモルファス層）の厚みや、成膜した膜の厚みなどをエリプソメータにより測定することで、次の処理の条件設定などの管理が可能となる。 - 特許庁

In this method of manufacturing a saturated polyester through transesterification or esterification and condensation polymerization, an ion group-provided metal compound is added in the process of resin synthesis for metal ions to disperse into or to react with polyester polymeric chains for the formation of crystalline grains therein for the improvement of mechanical properties.例文帳に追加

エステル交換反応またはエステル反応及び縮合重合反応によって飽和ポリエステルを製造する方法において、合成反応の際、金属イオン化合物を添加して金属イオンをポリエステルの高分子鎖内に分散或いは反応させることにより、結晶性の内部粒子を形成させて機械的物性を向上させる。 - 特許庁