「process ion」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent the generation of the residues of resist, in a resist removing process carried out subsequent to ion implantation process.例文帳に追加

イオン注入工程に続いて行なわれるレジスト除去工程においてレジスト残りの発生を防止できるようにする。 - 特許庁

In the copper ion exchange process for the ZSM-5 type zeolite, the copper ion exchange is performed in batches and the amount of copper ion containing ion exchange solution is 50-200 ml per 1 g of the ZSM-5 type zeolite before subjected to the copper ion exchange.例文帳に追加

ＺＳＭ−５型ゼオライトの銅イオン交換工程において、銅イオン交換がバッチ式にて行われ、銅イオン含有イオン交換溶液が、銅イオン交換前のＺＳＭ−５型ゼオライト１ｇあたり５０ｍｌ以上２００ｍｌ以下の量である。 - 特許庁

The method for manufacturing the composite substrate includes: a pattern formation processes (S11-S13); an ion implantation process (S14); a bonding process (S15); and a separation process (S16).例文帳に追加

複合基板の製造方法は、パターン形成工程（Ｓ１１〜Ｓ１３）とイオン注入工程（Ｓ１４）と接合工程（Ｓ１５）と剥離工程（Ｓ１６）とを含む。 - 特許庁

(2) In the manufacturing process of the Si chip 2, the Si chip 2 is formed by subjecting a silicon wafer acquired by the preceding process to each process such as etching, oxidation, diffusion, CVD or ion implantation.例文帳に追加

（２）Ｓｉチップ２の製造工程では、シリコンウェーハに、前工程により、エッチング、酸化、拡散、ＣＶＤ、イオン注入、等の工程を経て形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of the silicon carbide semiconductor device is provided with an implantation inhibition layer forming process, an ion implantation process, and an implantation inhibition layer removing process.例文帳に追加

炭化珪素半導体装置の製造方法は、注入阻止層形成工程と、イオン注入工程と、注入阻止層除去工程とを備えている。 - 特許庁

The manufacturing method has a crosslinking process crosslinking by hot-pressing and a process hydrolsing the ion conductive group regardless of before and after of the crosslinking process.例文帳に追加

それらの間でホットプレスを行い架橋する架橋工程と、架橋工程の前後を問わずイオン伝導性基を加水分解する工程とを有する。 - 特許庁

AMMONIUM ION ADSORPTTON PROCESS USING ZIRCONIUM SILICATE AND ZIRCONIUM GERMANATE MOLECULAR SIEVE例文帳に追加

ジルコニウム・シリケート及びジルコニウム・ゲルマネート分子ふるいを用いるアンモニウム・イオン吸着方法 - 特許庁

After an ion implantation process is carried out, the silicon nitride film 3 is removed by wet etching using a hot phosphoric acid.例文帳に追加

イオン注入後、熱燐酸によりウェットエッチングによりシリコン窒化膜３を除去する。 - 特許庁

Thus, the refining of acetonitrile by a distillation recovery/ion exchange resin treatment process is provided.例文帳に追加

蒸留回収／イオン交換樹脂処理プロセスによるアセトニトリルの精製が提供される。 - 特許庁

A first metal layer 24 is used as a mask layer in ion milling process with a multilayer film T1.例文帳に追加

第１金属層２４を多層膜Ｔ１のイオンミリング加工時のマスク層として用いる。 - 特許庁

Purification of acetonitrile by a distillation recovery/ion exchange resin treatment process is provided.例文帳に追加

蒸留回収／イオン交換樹脂処理プロセスによるアセトニトリルの精製が提供される。 - 特許庁

OUTER CAN SUPPLY DEVICE AND METHOD IN MANUFACTURING PROCESS OF LITHIUM-ION SECONDARY BATTERY例文帳に追加

リチウムイオン二次電池の製造工程におけるアウタ缶供給装置およびその方法 - 特許庁

ION SELECTIVE SEPARATOR, FLUID TREATMENT EQUIPMENT INCLUDING THE SAME AND FLUID SEPARATION PROCESS例文帳に追加

イオン選択分離装置、それが組み込まれた流体処理装置、および流体分離方法 - 特許庁

RESIN COMPOSITION FOR ION IMPLANTATION PROCESS AND PATTERN FORMING METHOD USING THE RESIN COMPOSITION例文帳に追加

イオン注入工程用の樹脂組成物及び該樹脂組成物を用いたパターン形成方法 - 特許庁

PREPARATION PROCESS AND USE FOR MONODISPERSE ION EXCHANGE HAVING CHELATING FUNCTIONAL GROUP例文帳に追加

キレート官能基を有する単分散イオン交換体を製造する方法およびそれの使用 - 特許庁

Preferably, the method further includes a process of treating the hydrogen peroxide solution with an ion exchange resin.例文帳に追加

好ましくは更にイオン交換樹脂により過酸化水素水を処理する工程を含む。 - 特許庁

In some implementations, the etching may be performed by means of a reactive ion etching process.例文帳に追加

ある実施態様においては、エッチングは反応性イオンエッチングプロセスにより行うことができる。 - 特許庁

SUBSTRATE HOLDER, ION BEAM MILLING DEVICE, AND METHOD FOR HOLDING SUBSTRATE IN VACUUM PROCESS DEVICE例文帳に追加

基板ホルダ、イオンビームミリング装置、および真空プロセス装置における基板を保持する方法 - 特許庁

A rate quench process is performed in order to reduce a metal ion concentration in the polishing slurry.例文帳に追加

研磨スラリーの金属イオン濃度を減少させるため、レートクエンチ処理が行われる。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR ON GLASS INSULATOR PREPARED BY USING IMPROVED ION IMPLATATION PROCESS例文帳に追加

改善されたイオン注入プロセスを用いて作成されたガラス絶縁体上半導体 - 特許庁

To provide a process for producing carbon dioxide by using an oxygen selective ion transportation film.例文帳に追加

酸素選択性イオン輸送膜を使用して二酸化炭素製造のためのプロセスの提供。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which facilitates ion implantation process.例文帳に追加

イオン注入の工程が容易となる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

PLASMA IMMERSION ION IMPLANTATION IN HIGHLY UNIFORM CHAMBER SEASONING PROCESS FOR TOROIDAL SOURCE REACTOR例文帳に追加

トロイダルソースリアクタのための極めて均一なチャンバシーズニングプロセスにおけるプラズマ浸漬イオン注入 - 特許庁

PROJECTING GAS DIFFUSION ELECTRODE HAVING METAL FRAME, AND ELECTROLYTIC SALT TANK FOR ION-EXCHANGE MEMBRANE PROCESS例文帳に追加

金属枠付き凸型ガス拡散電極及びイオン交換膜法食塩電解槽 - 特許庁

In the manufacturing method of the solid-state imaging apparatus including a process of embedding and forming a photodiode layer in a semiconductor substrate by ion implantation and a process of embedding and forming a shield layer on the photodiode layer by the ion implantation, at least in the ion implantation process of forming the shield layer, at least one ion implantation process suspension period is provided in the ion implantation process period.例文帳に追加

半導体基板にフォトダイオード層をイオン注入により埋め込み形成する工程と、このフォトダイオード層上にシールド層をイオン注入により埋め込み形成する工程を含む固体撮像装置の製造方法のうち、少なくともシールド層を形成するイオン注入工程において、このイオン注入工程期間に少なくとも１回以上のイオン注入工程休止期間を設けることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 特許庁

To provide a composite surface processing device that serves as an ion implantation device using an ion beam and also as a plasma doping device at the same time, and carries out a low-energy ion doping process using an ion beam with high accuracy and high efficiency.例文帳に追加

イオンビームを用いたイオン注入装置とプラズマドーピング装置とを兼ね備えた複合型の表面処理装置において、イオンビームを用いて低エネルギーのイオンドーピング処理を高精度かつ効率良く行う。 - 特許庁

The surface of a plug body 1 consisting of a rubber-like elastic body is provided with a thin film 2 of either of a metal oxide or metal nitride by a sputtering process, vapor deposition process, ion plating process or CVD process.例文帳に追加

ゴム状弾性体からなる栓本体１の表面に、スパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法により、金属酸化物、金属窒化物のいずれかの薄膜２を設ける。 - 特許庁

A necessary amount of Ag can be taken into the glass layer 12 by this process by the ion exchange of the alkali metal ion in the layer with anion of Ag, etc.例文帳に追加

これにより、ガラス層１２中のアルカリ金属イオン等をＡｇ等のイオンにイオン交換して必要量のＡｇを取り込む。 - 特許庁

The hard carbonic film at the surface of the tooth of the worm 32 is formed by a plasma CVD process and a plasma ion implanting process and the like.例文帳に追加

ウォーム３２の歯部表面の硬質炭素系被膜をプラズマＣＶＤ法、プラズマイオン注入法等により形成する。 - 特許庁

In the third method, a heat- treatment process is conducted to hold heatingly the substrate under a no- electric-field condition after the second ion exchange process.例文帳に追加

第３の方法は、第２のイオン交換工程後に、基板を無電界状態で加熱保持する熱処理工程を行う。 - 特許庁

Accordingly, the drain electrode 11 can be formed into an ohmic electrode by a low-temperature process without using an ion implantation process.例文帳に追加

したがって、イオン注入工程を用いることなく、かつ低温プロセスによってドレイン電極１１をオーミック電極にできる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a silicon carbide semiconductor device which is provided with an ion implantation region forming process comprising a forming process of a mask (implantation inhibition layer) suitable for ion implantation.例文帳に追加

イオン注入に好適なマスク（注入阻止層）の形成工程を含むイオン注入領域形成工程を備えた炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

During transition from the ion adsorbing process to the ion emission process, at least part of the conductive substance is kept to be immersed in the water in the water supply tank 12.例文帳に追加

そして、イオン吸着工程からイオン放出工程に移行する際に、導電性物質の少なくとも一部が、給水タンク１２内の水の中に浸漬している状態に維持される。 - 特許庁

To provide an lithium ion conductive solid electrolyte having high ion conductivity, allowing a highly ion conductive solid electrolyte layer to be produced without using a high-temperature sintering process.例文帳に追加

高温での焼結過程を経ることなく、高いイオン伝導性の固体電解質層を作製することのできる、高いイオン伝導性を示すリチウムイオン伝導性固体電解質を提供する。 - 特許庁

In a first ion implantation process, ion implantation with an oblique angle is performed from a read part side to a pixel side to form a first ion implantation region 170 including the offset region 114.例文帳に追加

第１のイオン注入工程によって読み出し部側から画素側に斜めのイオン注入を行い、オフセット領域１１４を有する第１のイオン注入領域１７０を形成する。 - 特許庁

There are provided a process of forming ion implantation control openings 13-14 which mutually align diffusion layer formation regions 7-9, an ion implantation mask layer forming process for forming ion implantation openings 29 and 30 for each diffusion layer; and a diffusion layer forming process in which an impurity element is ion-implanted through the ion implantation openings to form diffusion layers.例文帳に追加

各拡散層形成領域７〜９を相互に位置決めするイオン注入制御開口部１３〜１４を形成する工程を施した後に、各拡散層毎にイオン注入開口部２９，３０を形成するイオン注入マスク層形成工程と、各イオン注入開口部から不純物元素をイオン注入して各拡散層を形成する拡散層形成工程を実施する。 - 特許庁

The TMR element manufacturing method is provided with: a resist pattern formation process for forming a resist pattern on a generated TMR film; a first ion milling process for performing the ion milling using the resist pattern as a mask; a slimming process for slimming the resist pattern; and a second ion milling process for performing the ion milling of the TMR film again using the slimmed resist pattern as the mask.例文帳に追加

本発明のＴＭＲ素子製造方法は、生成したＴＭＲ膜上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、レジストパターンをマスクとしてＴＭＲ膜をイオンミリングする第１イオンミリング工程と、レジストパターンのスリミングを行うスリミング工程と、スリミングされたレジストパターンをマスクとしてＴＭＲ膜を再びイオンミリングする第２イオンミリング工程と、を備えるよう構成する。 - 特許庁

This manufacturing method of the ion exchange membrane includes a drawing process to draw out the ion exchange membrane by applying a load, a heating process to heat the ion exchange membrane in water vapor and under the pressure of not less than a saturated vapor pressure with the ion exchange membrane drawn in the drawing process, and a hot water treatment process to dip the ion exchange membrane heated in the heating process in hot water after removing the load.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は、イオン交換膜を荷重をかけて延伸させる延伸工程と、上記延伸工程で延伸させたイオン交換膜を延伸させた状態のまま、水蒸気中かつ飽和水蒸気圧以上の圧力下で加熱する加熱工程と、上記加熱工程で加熱されたイオン交換膜を、荷重を除いた後、熱水中に浸漬させる熱水処理工程とを含むことを特徴とするイオン交換膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

When depositing carbon by ion beam deposition, it is often not possible for space reasons or practical for cost reasons to utilize two or more ion sources as the number of process chambers is limited.例文帳に追加

イオン源は、原材料の複数のゾーンを蒸着し、複数のゾーンのうちの少なくとも２つのゾーンの厚みを異なるようにする。 - 特許庁

This allows the total ion milling etch mask thickness to be well controlled before the ion milling process used to define the sensor side walls.例文帳に追加

これにより、イオンミリングプロセスを使用してセンサ側壁を画定する前に、イオンミリングエッチングマスクの合計厚を適切に制御することが可能である。 - 特許庁

In a drying process, the mist generator 180 atomizes a metal ion water passed through an ion elution unit 100 and sprays the atomized water on the laundry.例文帳に追加

ミスト生成装置１８０は、乾燥工程ではイオン溶出ユニット１００を通ってきた金属イオン水をミスト化し、洗濯物に吹きかける。 - 特許庁

To provide an ion exchanger which does not contain chemicals used in the process of introducing an ion exchange group so as to be made easy to clean before use.例文帳に追加

イオン交換基導入の過程で使用される薬品などを含まず使用前の洗浄を容易にしたイオン交換体を得ることである。 - 特許庁

To provide an ion generator in which an ion generating element is sealed easily with less filling material by reducing a process of filling the filling material.例文帳に追加

充填材を充填する工程を減らし、より少ない充填材をもって容易にイオン発生素子を封止するイオン発生器を提供する。 - 特許庁

ZINC OXIDE TRANSPARENT CONDUCTIVE MULTILAYER BODY BY ION-PLATING PROCESS AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

イオンプレーティング法による酸化亜鉛系透明導電性積層体及びその製造方法 - 特許庁

To readily remove a resist film used in an ion implantation process and with a low energy.例文帳に追加

イオン注入工程において使用したレジスト膜を容易に、低エネルギーで除去できるようにする。 - 特許庁