「reaction tube」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

A reaction chamber and a vacuum pump are connected with a flexible tube composed of a tube body which has convex parts and concave parts and is formed of a hard material, and composed of a cover which is arranged on the outer surface of the tube body and is formed of an elastic material.例文帳に追加

反応室と真空ポンプとの間を、凸部と凹部とを有し、硬い材料で形成されたチューブ本体と、このチューブ本体の外部表面に設けられ、弾性材料で形成されたカバーとを有するフレキシブルチューブで接続する。 - 特許庁

The cladding tube has the same length as the holdup in the cladding tube of nitrous acid produced by the reaction between nitric acid and a spent nuclear fuel in the cladding tube and by dissolution of the spent nuclear fuel, and is arranged upward in nitric acid solution.例文帳に追加

被覆管を、硝酸と当該被覆管内の使用済み核燃料とが反応してその使用済み核燃料が溶解することにより生成した亜硝酸が被覆管内に滞留する長さとし、かつ硝酸溶液中で上向きに配置する。 - 特許庁

To provide a method for producing an oxide dispersion type alloy which has excellent oxidation resistance and thermal strength, and is used at high temperatures, e.g., for a boiler tube in heat generation or the like, a furnace core tube of a heat treatment furnace or the like, a reaction tube of a chemical plant, a skid rail of a heating furnace or the like.例文帳に追加

発電等のボイラチューブ、熱処理炉等の炉心管、化学プラントの反応管、加熱炉などのスキッドレール等の高温度で使用される耐酸化性、耐熱強度に優れた酸化物分散型合金の製造方法を提供する。 - 特許庁

An evaporator 32 is filled with liquid SiCl_4 30, a vessel 27 filled with a Ni powder 28 is placed in a reaction part 23 of a reaction tube 21, and a nozzle 24 is inserted into the Ni powder 28.例文帳に追加

蒸発器３２に液状のＳｉＣｌ_４３０を充填し、反応管２１の反応部２３にＮｉ粉末２８が充填された容器２７を配置してＮｉ粉末２８中にノズル２４を差し込む。 - 特許庁

Next, while rotating a reaction tube 27 by a rotary motor 30, the evaporation part 26 is heated to 100°C by an electric furnace 25a, and the reaction part 27 is heated to 200 to 600°C by an electric furnace 25b.例文帳に追加

次に、回転モータ３０により反応管２７を回転させながら、電気炉２５ａにより蒸発部２６を１００℃に加熱し、電気炉２５ｂにより反応部２７を２００乃至６００℃に加熱する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for producing trichlorosilane in which hydrogen chloride gas introduced from the bottom part of a reactor contributes effectively to a reaction even at the upper part of the reactor, thereby attaining a higher reaction efficiency while suppressing wear of the heat transfer tube.例文帳に追加

反応炉の下部から導入される塩化水素ガスを反応炉の上部においても有効に反応に寄与させ、反応効率を高めるとともに、伝熱管の摩耗を抑制する。 - 特許庁

Then, the evaporator 32 is heated to 50°C by an electric furnace 29, the reaction tube 21 is rotated by a rotating motor 35, and the reaction part 23 is heated to 400-600°C by the electric furnace 26.例文帳に追加

次に、電気炉２９により蒸発器３２を５０℃に加熱すると共に、回転モータ３５により反応管２１を回転させながら電気炉２６により反応部２３を４００乃至６００℃に加熱する。 - 特許庁

To provide a multi-tube type fixed bed reaction device that is capable of preventing reaction tubes from being corroded or broken while maintaining the service life of a catalyst, and is also excellent in manufacturing efficiency and not requiring a sophisticated specification.例文帳に追加

触媒の寿命を維持しつつ反応管の腐食または破損を防止することが可能で、複雑な仕様が必要とされず製造効率にも優れる多管式固定床反応装置を提供する。 - 特許庁

A reaction gas forming chamber 130 is partitioned by a first wall part 132A, a second wall part 132C, the inner surface of a reaction tube 11 and the inner surface of a closing member 19, and is set to be a semi-closed space.例文帳に追加

反応ガス生成室１３０は、第一壁部１３２Ａ、第二壁部１３２Ｃと、反応管１１の内面と、および閉鎖部材１９の内面とで区画され、半密閉空間となっている。 - 特許庁

A film depositable gas feed port 24A in a film depositable gas feed tube 24 is arranged so as to be located in a reaction inactive region 48, and a film depositable gas is fed to the reaction inactive region 48.例文帳に追加

成膜性ガス供給管２４の成膜性ガス供給口２４Ａを反応不活性領域４８に位置するように配置し、反応不活性領域４８に成膜性ガスを供給する。 - 特許庁

The gaseous metal chloride is introduced into a feed tube 5 in which carrier gas is directly flowed into a reaction chamber 1B by utilizing netative pressure generated by a venturi mechanism 6 and is fed to the reaction chamber 1B.例文帳に追加

この金属塩化物ガスを、キャリアガスが反応室１Ｂに直接流されている供給管５に、ベンチュリー機構６によって発生する負圧を利用して導入し、反応室１Ｂに供給する。 - 特許庁

A reforming reaction tube 18 houses linearly the reformer 12, the shift reactor 14 and the selective oxidation unit 16 in this order.例文帳に追加

改質反応筒１８は、改質部１２と、シフト変成部１４と、選択酸化部１６とをこの順番に直線状に収納する。 - 特許庁

With the spraying, force to rock the rocking tube 30 acts on the spraying port 38 by the reaction when the pressurized fluid is sprayed.例文帳に追加

これと共に、噴射口３８には、加圧流体が噴射されるときの反動により、揺動チューブ３０を揺動させる力が作用する。 - 特許庁

The treating gas introduction pipe 13 is provided with a first pressure sensor 14 for measuring the pressure in the reaction tube 2 on the inlet side thereof.例文帳に追加

処理ガス導入管１３には、反応管２内の入口側の圧力を測定する第１圧力センサ１４が設けられている。 - 特許庁

A plurality of wafers 200 as a substrate are mounted and stored on a boat 217 in a processing chamber 201 formed inside a reaction tube 11.例文帳に追加

反応管１１内に形成される処理室２０１に、複数の基板としてのウェハ２００がボート２１７上に積載収容される。 - 特許庁

To improve within-wafer nonuniformity of oxide film thickness even when a hydrogen-containing gas or an oxygen-containing gas is not supplied from an upper part of a reaction tube.例文帳に追加

反応管上部から、水素含有ガスや酸素含有ガスを供給しなくても、酸化膜厚の面内均一性を向上する。 - 特許庁

The heat treatment equipment 1 is provided with a thermal insulation body 15 and a heater constituted of a plurality of heater elements 18 around a reaction tube 2.例文帳に追加

熱処理装置１は、反応管２の周囲に断熱体１５と複数のヒータエレメント１８から構成されたヒータとを供えている。 - 特許庁

Ultrapure water 6 bubbled with the gas to be measured in a bubbling tank 5 is irradiated with the ultraviolet ray in a reaction tube 13.例文帳に追加

被測定ガスでバブリング槽５においてバブリングされた超純水６は、反応管１３において紫外光の照射を受ける。 - 特許庁

In this case, the slit-shaped exhaust vent of the reaction tube may be installed at two places or more in the circumference direction at even intervals.例文帳に追加

この場合、前記反応管の下部のスリット状排気口は、それを周方向に等間隔に２カ所以上設置することもある。 - 特許庁

A substrate 1, in which crystalline carbon is formed on a catalytic metal, is placed inside of a reaction tube 2 equipped with a vacuum pump 3 for exhaust.例文帳に追加

触媒金属上に結晶性炭素が生成された基板１を反応管２内に配置し、真空ポンプ３にて排気する。 - 特許庁

This plasma treatment device is composed by providing a cylindrical reaction tube 2 having one side opened as a jetting hole 1, and a pair of electrodes 3, 4.例文帳に追加

片側が吹き出し口１として開放された筒状の反応管２と一対の電極３、４とを具備して構成される。 - 特許庁

The central axis of the ring boat acting as a support mechanism of a wafer, the rotational axis of the boat and the central axis of the reaction tube are identical axis.例文帳に追加

ウエハの支持機構としてのリングボートの中心軸と同ボートの回転軸および反応管の中心軸が同一軸である。 - 特許庁

An analyzer includes a radiation optical part radiating light from a light source to a mixture in a reaction tube.例文帳に追加

実施形態に記載の分析装置は、反応管内の混合液に対して、光源からの光を照射する照射光学部を有する。 - 特許庁

A heater 2 is disposed between the inner wall of the reaction tube 5 and the substrate 1 and 1, and a heat insulating material 7 is disposed so that it encloses the heater 2.例文帳に追加

基材１，１と反応管５の内壁との間にヒータ２を配置し、ヒータ２を包囲するように断熱材７を配置する。 - 特許庁

An irradiation part 52 irradiates a photometric beam toward the reaction tube storing a test solution having an approximately minimum liquid quantity necessary for photometry.例文帳に追加

照射部５２は、測光に必要な略最小液量の試験溶液が収容された反応管に向けて測光ビームを照射する。 - 特許庁

In a hollow reaction tube 110, a substrate 122 is pivoted and rotationally driven by a substrate rotation mechanism 120 from the downstream side.例文帳に追加

中空の反応管１１０の内部で基板１２２が下流側から基板回転機構１２０により軸支されて回転駆動される。 - 特許庁

This method comprises packing the fine catalyst particles into the reaction tube, and on apparatus used in the method is provided.例文帳に追加

本発明は、微粒子触媒材料を反応管に充填するための方法とこの方法で使用するための充填装置に関する。 - 特許庁

Plasma 3 is generated in the reaction tube 4 by applying a voltage between the electrodes 6 and 7, under the pressure close to atmospheric pressure.例文帳に追加

電極６、７間に電圧を印加することによって大気圧近傍の圧力下で反応管４内にプラズマ３を生成する。 - 特許庁

A reagent dispensing arm/probe 4a sucks the reagent inside the reagent bottle 6a, and the reagent is dispensed into the reaction tube in which a specimen sample is put.例文帳に追加

試薬分注アーム／プローブ４ａは、試薬ボトル６ａ内の試薬を吸引し、検体試料が入った反応管に分注する。 - 特許庁

Continuously, the controller 100 supplies gas containing hydrogen fluoride from the treatment gas leading pipe 17 while maintaining the inside of the reaction tube 2 to room temperature.例文帳に追加

続いて、反応管２内を室温に維持するとともに処理ガス導入管１７からフッ化水素を含むガスを供給する。 - 特許庁

Then, a titanium nitride film is formed on the semiconductor wafer W by supplying film forming gas including a titanium raw material into the reaction tube 2.例文帳に追加

続いて、反応管２内にチタン原料を含む成膜用ガスを供給して半導体ウエハＷに窒化チタン膜を形成する。 - 特許庁

Ammonia and dimethylhydrazine are so switched to each other as to feed them to a reaction tube 11 and grow a nitride-based III-V compound semiconductor.例文帳に追加

アンモニアとジメチルヒドラジンとを切り替えて反応管１１に供給し、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させる。 - 特許庁

The reaction tube 4 is installed in the inside of an exhaust gas flow duct 2 in which an exhaust gas from an iron-manufacturing furnace 1 in an iron-manufacturing plant flows.例文帳に追加

このうち反応管４は、製鉄プラントの製鉄炉１からの排ガスが流れる排ガス流路ダクト２内部に設けられている。 - 特許庁

The powder production apparatus 1 produces a powder by utilizing a plasma generated by microwave energy, and has a plasma-generating gas feed mechanism 12 that feeds a plasma-generating gas b into a reaction tube 10, a raw material feed mechanism 11 that feeds a powdery raw material a into the reaction tube 10, and a microwave propagation mechanism 50 that propagates the microwave energy into the reaction tube 10.例文帳に追加

マイクロ波のエネルギーにより発生させたプラズマを利用して粉体を製造する粉体製造装置１であって、反応管１０内にプラズマ生成ガスｂを供給するプラズマ生成ガス供給機構１２と、反応管１０内に粉体原料ａを供給する原料供給機構１１と、反応管１０内にマイクロ波のエネルギーを伝播させるマイクロ波伝播機構５０を有する。 - 特許庁

The heater 16 is controlled so that the temperature in the quartz tube 14 becomes 500-800°C, for instance, and a gas is fed from an inlet of the quartz tube 14 in an arrow A direction in a figure to drive chemical reaction with the catalyst.例文帳に追加

そして、石英管１４内が例えば５００〜８００°Ｃとなるようにヒータ１６を制御し、石英管１４の入口から、図中矢印Ａ方向にガスを入れ、触媒と化学反応させる。 - 特許庁

The discharge port is connected with an exhaust port formed at a side wall of the exhausting line and includes a collecting tube for storing the collected reaction byproducts and a joining member for joining the collecting tube to the exhausting line.例文帳に追加

排出ポートは、排気ラインの側壁に形成された排出口に連結され、捕集された反応副産物を格納する捕集筒と捕集筒を排気ライン上に連結する締結部材を含む。 - 特許庁

A high-voltage electrode 9 and a ground electrode 10 are disposed on a cylindrical dielectric reaction tube 7 so as to be opposed to each other, the tube having one end thereof opened as a purging port 12.例文帳に追加

片側が吹き出し口１２として開放された筒状誘電体の反応管７に、高圧電極９と接地電極１０とを互いに対向するように反応管７の外側に配置する。 - 特許庁

A transparent quartz reaction tube 1 in which a catalyst 8 is filled is provided at the inside of a coil heater 2, and a reaction gas comprising carbon dioxide and methane or hydrogen is introduced from a gas flow inlet 5 provided at the lower part and the reaction gas is heated to 400 to 700°C by the coil heater 2.例文帳に追加

コイルヒータ２の内側に、触媒８を充填した透明な石英反応管１が設けられ、下部のガス流入口５から二酸化炭素とメタンもしくは水素の反応ガスが導入され、コイルヒータ２によって４００〜７００℃に加熱される。 - 特許庁

Two or more catalytic layers having different activities are laid in a laminar state in the reaction direction in each reaction tube of the fixed bed multitubular reactor, a catalytic layer nearest to a reaction raw material gas inlet is provided with a catalytic layer having activity higher than that of an adjacent next catalytic layer.例文帳に追加

固定床多管型反応器の各反応管内に活性の異なる２以上の触媒層を反応方向に層状に設け、反応原料ガス入口に最も近い触媒層に、隣接する次の触媒層よりも活性の高い触媒層を設ける。 - 特許庁

In the fuel reform system FRS, an air pump 11 and a stop valve 12 are controlled by an ECU (electronic control unit) 30 so as to feed air from the bypass tube L2 to the reforming reaction part 23 even after the stop of the reforming reaction in the reforming reaction part 23.例文帳に追加

燃料改質システムＦＲＳでは、改質反応部２３における改質反応を停止させた後にも、バイパス管Ｌ２から改質反応部２３に空気が供給されるようにＥＣＵ３０によってエアポンプ１１および開閉弁１２が制御される。 - 特許庁

To stabilize temperature inside a reaction tube by shielding the radiant heat of the reaction tube, to enhance product quality, at the same time, to expand a product wafer region for improving productivity, to reduce the number of dummy wafers for cutting down manufacturing costs, and to decrease the contamination source of the product wafer.例文帳に追加

反応管の輻射熱を遮断することにより、前記反応管内部の温度を安定化し、製品品質を高めると共に製品ウェーハ領域を拡大して生産効率を向上し、且つダミーウェーハ数を減少して製造コストを削減し、製品ウェーハの汚染源を低減する。 - 特許庁

When the group III-V compound semiconductor such as a GaN semiconductor is grown by using the organometallic chemical vapor growth device, the impurity concentration of a carrier gas for supplying a reaction tube 11 with a raw material gas is set to 10 ppb or less before the reaction tube 11.例文帳に追加

有機金属化学気相成長装置を用いてＧａＮ系半導体などのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長を行う場合に、反応管１１に原料ガスを供給するためのキャリアガスの不純物濃度を反応管１１の手前で１０ｐｐｂ以下にする。 - 特許庁

To prevent the deformation of a reforming reaction tube by absorbing the thermal expansion of a heat transfer particle filling layer in a casing and that of the reforming reaction tube caused by heating in a reforming device for producing a hydrogen-enriched reformed gas from a gaseous mixture of a hydrocarbon raw material gas and steam.例文帳に追加

炭化水素原料ガスと水蒸気の混合ガスから水素リッチな改質ガスを生成する改質装置において、加熱によるケーシング内の伝熱粒子充填層及び改質反応管の熱膨張を吸収し、改質反応管の変形を防止する。 - 特許庁

The production process of the titanium dioxide comprises a step of reacting a titanium tetrachloride-containing gas with an oxidative gas by a vapor phase method, wherein when the titanium tetrachloride-containing gas and the oxidative gas are introduced into a reaction tube and reacted with each other, the temperature in the reaction tube is ≥1,050°C and <1,300°C.例文帳に追加

気相法で四塩化チタンを含むガスと酸化性ガスとを反応させることにより二酸化チタンを製造する方法において、四塩化チタンを含むガス及び酸化性ガスをそれぞれ反応管に導入し反応させたとき、該反応管内の温度が１，０５０℃以上１，３００℃未満である。 - 特許庁

An arrangement is provided wherein ammonia gas is fed by a gas feeding device 50 to a reaction tube 1 in which a semiconductor wafer W given with etching and ashing treatments is accommodated, and the semiconductor wafer W is subjected to heat treatment in an ammonia atmosphere by heating the reaction tube 1 with a heater 3.例文帳に追加

エッチング、アッシング処理が施された半導体ウエハＷが収容された反応管１にガス供給装置５０でアンモニアガスを供給し、更に反応管１をヒータ３で加熱することにより、アンモニア雰囲気中で半導体ウエハＷを加熱処理する構成である。 - 特許庁