「boron ion」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A boron ion flow is used for an ion implantation like a boron ion to the sidewall of an active region like the active region of the FET.例文帳に追加

ボロンイオン流が、ＦＥＴの活性領域のような活性領域の側壁に対するボロンイオンのようなイオン注入に使用される。 - 特許庁

METHOD AND INSTRUMENT FOR MEASURING BORON HYDRIDE ION CONCENTRATION例文帳に追加

水素化ホウ素イオン濃度の測定方法及び測定装置 - 特許庁

The lithium ion polymer battery uses the ion conductive boron-polymer complex electrolyte membrane.例文帳に追加

上記イオン伝導性ボロン‐高分子複合電解質膜を用いたリチウムイオンポリマー電池。 - 特許庁

Furthermore, boron may be ion-injected in the second pocket area.例文帳に追加

さらに、第２のポケット領域にボロンをイオン注入してもよい。 - 特許庁

(2) The cosmetic composition comprises a crosslinked product obtained by crosslinking galactomannan or a derivative thereof using boron and/or a multivalent ion of a metal other than boron (particularly preferably a titanium ion, zirconium ion, yttorium ion, aluminum ion and cerium ion).例文帳に追加

２）ガラクトマンナン又はその誘導体を、ホウ素又は／及びホウ素以外の多価金属イオン（特にチタンイオン、ジルコニウムイオン、イットリウムイオン、アルミニウムイオン、セリウムイオンが好ましい）を用いて架橋した架橋物を含有する化粧品組成物。 - 特許庁

ION CONDUCTION MEDIUM, POWER STORAGE DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING ION CONDUCTION MEDIUM, AND ORGANIC BORON BASE POLYMER例文帳に追加

イオン伝導媒体、蓄電デバイス、イオン伝導媒体の製造方法及び有機ホウ素系高分子 - 特許庁

SIMPLE AND QUICK MEASURING METHOD OF BORON IN SOLUTION USING ION ELECTRODE例文帳に追加

イオン電極を用いた溶液中ホウ素の簡易・迅速測定方法 - 特許庁

GRAPHITE MATERIAL CONTAINING BORON, METHOD OF MANUFACTURING IT, AND LITHIUM ION SECONDARY CELL例文帳に追加

ホウ素含有黒鉛材料、その製造方法及びリチウムイオン二次電池 - 特許庁

PRODUCTION METHOD FOR GRAPHITE MATERIAL CONTAINING BORON, AND LITHIUM ION SECONDARY BATTERY例文帳に追加

硼素含有黒鉛質材料の製造方法およびリチウムイオン二次電池 - 特許庁

ION-ZIRCONIUM-BORON-SILVER SOFT MAGNETIC MATERIAL AND METHOD FOR DEPOSITION OF THIN FILM例文帳に追加

鉄−ジルコニウム−ホウ素−銀系軟磁性材料及び薄膜の製造方法 - 特許庁

REGENERATED ION EXCHANGING COLUMN FOR ADSORBING BORON AND ITS MANAGING METHOD例文帳に追加

再生処理されたホウ素吸着用イオン交換塔及びその管理方法 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR RECOVERING BORON ADSORVED ON ION EXCHANGE RESIN例文帳に追加

イオン交換樹脂に吸着したホウ素の回収方法及び回収装置 - 特許庁

After that, ion implantation of boron fluoride is performed for forming an extension region.例文帳に追加

その後、エクステンション領域を形成するためにフッ化ボロンをイオン注入する。 - 特許庁

The sheet-shaped wound cover material 1 has a galactomannan crosslinked porous body 3 as a body fluid absorbing layer which consists of galactomannan, a boron ion, and an ion, other than the boron ion, of a polyvalent metal with a valence of three or higher.例文帳に追加

ガラクトマンナン、ホウ素イオン、及びホウ素イオン以外の三価以上の多価金属イオンから成るガラクトマンナン架橋多孔体３を体液吸収層として有するシート状創傷被覆材１。 - 特許庁

The boron ion cluster type cholesterol is represented by the formula.例文帳に追加

ホウ素イオンクラスター型コレステロールは、化学式（化１）にて表わされることを特徴とする。 - 特許庁

BORON-CONTAINING COMPOUND FOR ELECTROCHEMICAL DEVICE, ION-CONDUCTING POLYMER AND POLYMER ELECTROLYTE例文帳に追加

電気化学デバイス用含ホウ素化合物、イオン伝導性高分子及び高分子電解質 - 特許庁

The liposome consists of a boron ion cluster (however, at least one of boron atoms in a molecule is boron-10 isotope) and a polyhydric amine or its salt.例文帳に追加

ホウ素イオンクラスター（但し分子中のホウ素原子の少なくとも１つはホウ素１０同位体である）と多価アミンまたはその塩からなるアンモニウム塩を内封してなるリポソーム。 - 特許庁

ION IMPLANTATION DEVICE AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD EMPLOYING IMPLANTATION OF BORON HYDRIDE CLUSTER IONS例文帳に追加

水素化ホウ素クラスターイオンの注入によるイオン注入装置及び半導体製造方法 - 特許庁

To provide a vapor phase synthesis method for cubic boron nitride in a weak state of ion impact.例文帳に追加

イオン衝撃の弱い状態での立方晶窒化ホウ素の気相合成法の提供。 - 特許庁

In the case a small quantity of boron is to be doped also to the pixel part, initially boron is ion implanted into all regions without any mask and subsequently it is ion implanted into all parts except the pixel part by arranging the mask.例文帳に追加

また、画素部にも少しボロンをドープする場合には、最初にマスクなしで全面にボロンをイオン注入後した後、マスクを配置して画素部以外にボロンをイオン注入する。 - 特許庁

Next, boron ion is implanted in multiple stages using the resist mask in order to form the p-type well layer.例文帳に追加

次に、レジストマスクを用いて、多段階で、ボロンをイオン注入し、Ｐ型ウエル層を形成する。 - 特許庁

The mask 13M for ion implantation is sued to perform the selective ion implantation of boron (^11B^+) deep into the n-type epitaxial growth layer 12.例文帳に追加

イオン注入用マスク１３Ｍを用いて、ｎ型エピタキシャル成長層１２の深い位置に、ボロン（^11Ｂ^+）の選択イオン注入を行う。 - 特許庁

Then, the cluster ion beam 20 containing boron and germanium is radiated to form a layer 12 containing the boron and germanium above a surface of the silicon substrate 1.例文帳に追加

次に、ホウ素とゲルマニウムを含むクラスターイオンビームを照射２０して、ホウ素とゲルマニウムを含む層１２をシリコン基板１の表面よりも上に形成する。 - 特許庁

A working electrode is opposed to a reference electrode in the aqueous alkaline solution containing the boron hydride ion, a cation exchange membrane is arranged therebetween, a potential difference is measured between the both, a measured value therein is collated with an analytical curve prepared preliminarily based on known boron hydride ion concentrations to be converted into the boron hydride ion concentration in the aqueous solution, and the boron hydride ion concentration is measured thereby.例文帳に追加

水素化ホウ素イオン含有アルカリ水溶液中に作用電極と参照電極を対向して、かつカチオン交換膜を介して配置し、両者間の電位差を計測し、その計測値をあらかじめ既知の水素化ホウ素イオン濃度に基づいて作成した検量線と対比することにより上記水溶液中の水素化ホウ素イオン濃度に換算して水素化ホウ素イオン濃度を測定する。 - 特許庁

A satin finishing solution includes a boron compound, a substance for supplying nitrate ion and/or nitrite ion, and a substance presenting alkalinity.例文帳に追加

ホウ素化合物と、硝酸イオン及び／又は亜硝酸イオンを供給する物質と、アルカリ性を呈する物質とを含む梨地処理液を用いる。 - 特許庁

The polysilicon films 3, 4 are covered with a resist 6a and only the polysilicon film 2 is doped with low concentration B (boron) ion.例文帳に追加

ポリシリコン膜３，４をレジスト６ａで覆い、ポリシリコン膜２のみに低濃度のＢ（ホウ素）イオンをドープする。 - 特許庁

The P-type embedded region 2 is formed by a high-energy boron ion implantation method or a heat diffusion method.例文帳に追加

Ｐ型埋込領域２は、高エネルギーボロンイオン注入法または熱拡散法によって形成される。 - 特許庁

The ion conduction medium 27 may further include ionic liquid in addition to the organic boron base polymer.例文帳に追加

イオン伝導媒体２７は、有機ホウ素系高分子に加え、更にイオン液体を含むものとしてもよい。 - 特許庁

In the case boron doping to P channel transistors is not desired the ion is implanted with the additional mask.例文帳に追加

また、Ｐチャネルトランジスタにボロンを入れたくない場合には、マスクを追加した状態でイオン注入する。 - 特許庁

The invention discloses an osteogenesis promotion composition produced from deep ocean water at least containing a calcium ion, magnesium ion, boron ion, silicon ion and alkali metal ion by desalting the alkali metal ion (especially the treatment by a dialyzer using a mosaic charge membrane) and a method for the production of the composition.例文帳に追加

カルシウムイオン、マグネシウムイオン、ホウ素イオン、珪素イオンおよびアルカリ金属イオンを少なくとも含む海洋深層水から、アルカリ金属イオンを脱塩除去（特に、モザイク荷電膜を有する透析装置により処理）する骨形成促進用組成物および該組成物の製造方法。 - 特許庁

In the processing method of ion-containing water, an ion- containing water of an ion including an element to be removed, particularly boron is contacted with the ion exchange body to adsorb the ion and the regeneration liquid is contacted with the adsorbing ion exchange body at a higher temperature than an environment temperature to desorb the adsorbed ion.例文帳に追加

除去すべき元素、特にホウ素を含むイオンのイオン含有水を、イオン交換体に接触させて当該イオンを吸着させ、ついで吸着したイオン交換体に環境温度より高温度において、再生液を接触させて吸着イオンを脱着させることを特徴とするイオン含有水の処理方法。 - 特許庁

To provide a method capable of increasing the ratio of B^+ in an ion beam when the ion beam is extracted by using a gas containing boron trifluoride for an ion source gas, and to provide a device for the same.例文帳に追加

イオン源ガスとして三フッ化ホウ素を含むガスを用いてイオンビームを引き出すときに、イオンビーム中のＢ^+ の比率を高めることができる方法および装置を提供する。 - 特許庁

Concretely, after being performed in a manner not to increase the number of processes, ion injection for threshold control is performed, and a positive charge is charged by boron ion.例文帳に追加

具体的には、工程増を招くことのないように、デスカムを行った後に閾値制御のイオン注入を行い、ホウ素イオンにより正電荷に帯電させる。 - 特許庁

The ion implantation boron at room temperature is enriched from a shallow domain to a deep domain in accordance with the rise of ion implantation temperature.例文帳に追加

室温でイオン注入されたボロンは、イオン注入温度の上昇に従って浅い領域から深い領域のボロンの高濃度化が進むようになる。 - 特許庁

With a photoresist layer 7 as a mask, the ion injection of boron (11B+) (first implantation) and the ion injection of phosphorus (31P+) are continuously performed.例文帳に追加

このホトレジスト層７をマスクとして、ボロン（^11Ｂ^+）のイオン注入（第１のイオン注入）、リン(^31Ｐ^+)のイオン注入（第２のイオン注入）を連続して行う。 - 特許庁

To provide a silicon film, a forming method thereof, etc., capable of preventing the punch-through of a boron ion when the ion is implanted in manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造におけるイオン注入の際にホウ素イオンの突き抜けを防止できるシリコン膜及びその形成方法等を提供する。 - 特許庁

Particles of the size which can be filtered with the reverse osmosis membrane 29 are obtained by the conversion of boron into the form of borate ion, and the boron is removed by the reverse osmosis membrane 29.例文帳に追加

ホウ素をホウ酸イオンの形態にすることにより逆浸透膜２９でろ過可能な大きさの粒子となり、逆浸透膜２９でホウ素を除去する。 - 特許庁

Thus, the concentration of the boron ions in the center part of the opening 13b increases in the substrate 3 to form a gradient index lens 5 made of the hemispheric distribution of the boron ion concentration.例文帳に追加

基板３において開口部１３ｂの中心部分のボロンイオン濃度が高くなり、半球状のボロンイオン濃度分布からなる屈折率勾配レンズ５が形成される。 - 特許庁

To produce an ion exchange resin exhibiting remarkably reduced boron elution in particular, by highly purifying the same.例文帳に追加

イオン交換樹脂を高度に精製して、特にホウ素溶出量が著しく低減されたイオン交換樹脂を得る。 - 特許庁

Boron is ion-implanted in a substrate through this aperture 6, to form a p-type layer 7 for preventing punch-throughs in the substrate.例文帳に追加

そして、この開口部６から、ボロンをイオン注入して、パンチスルー防止用のｐ型層７を形成する。 - 特許庁

It is preferable that the mixed gas further contains BCl3 66 so that sputter-etching by boron ion can be carried out.例文帳に追加

ガス混合物は、ホウ素イオンによるスパッタエッチングが行われるように、更にＢＣｌ_3６６を含むことが好ましい。 - 特許庁

Calcium and a sulphate ion-containing compound (for example, a sulfuric acid diluted to 10-60 wt.%) or a compound containing the sulphate ion and aluminum ion (for example, a liquid sulfate band) are mixed into boron-containing waste or soil to insolubilize the boron.例文帳に追加

ホウ素を含有する廃棄物または土壌に、カルシウムと、硫酸イオンを含む化合物（例えば１０〜６０重量％程度に希釈した硫酸）または硫酸イオンとアルミニウムイオンを含む化合物（例えば液体硫酸バンド）とを混合することにより、ホウ素を不溶化する。 - 特許庁

In this treating method for boron-containing waste water, the boron-containing waste water is treated in the presence of an alkaline earth metal ion and an alkaline earth metal silicate to generate a precipitate, and then the resultant precipitate is subjected to solid-liquid separation to remove boron.例文帳に追加

ホウ素含有排水をアルカリ土類金属イオンとアルカリ金属珪酸塩の共存下に処理して沈殿を生成させ、生じた沈殿を固液分離してホウ素を除去することを特徴とするホウ素含有排水の処理方法。 - 特許庁

POLYMERIZABLE BORON COMPOUND FOR ELECTROCHEMICAL DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, POLYMERIZABLE COMPOSITION AND ION CONDUCTIVE POLYELECTROLYTE例文帳に追加

電気化学デバイス用重合性ホウ素化合物、その製造方法、重合性組成物及びイオン伝導性高分子電解質 - 特許庁

An ion exchange resin is purified by washing the same with water having been treated to contain boron at a concentration of 1 ppt or lower.例文帳に追加

ホウ素濃度１ｐｐｔ以下に処理した水を用いてイオン交換樹脂を洗浄することにより精製する。 - 特許庁