「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The first additional semiconductor region 36 contains a p-type impurity, is in contact with the gate insulation film 42, and is arranged in the drift region 26 separated from the body region 32 by the drift region 26.例文帳に追加

第１付加半導体領域３６は、ｐ型の不純物を含んでおり、ゲート絶縁膜４２に接するとともにドリフト領域２６によってボディ領域３２から隔てられているドリフト領域２６内に配置されている。 - 特許庁

At a part where the drain region ND and the drain region PD adjoin each other, one contact hole 121 is formed and the drain region ND and the drain region PD are electrically connected with a signal line 12 simultaneously.例文帳に追加

ドレイン領域ＮＤとドレイン領域ＰＤとの隣接部分に１つのコンタクトホール１２１が形成されて、ドレイン領域ＮＤとドレイン領域ＰＤとが、同時に信号線１２と電気的に接続されている。 - 特許庁

The wide inter-line region 107A is an enlarged line width region 111 of a bit line 110 and provided with a contact 107F, and the common connection region 107B is a discontinuous region 107E of the bit line 110.例文帳に追加

線間幅広領域１０７Ａはビット線１１０の線幅拡大領域１１１とされてコンタクト１０７Ｆが設けられ、共通接続領域１０７Ｂはビット線１１０の不連続領域１０７Ｅとされる。 - 特許庁

As a result, an inversion layer is formed at a site of the p-type silicon region 11 in contact with the insulating region 9 to prevent a surge voltage in the circuit region 5 from being transmitted to the circuit region 7.例文帳に追加

これにより、ｐ形シリコン領域１１のうちトレンチ溝型絶縁領域９に接触した部位に反転層を形成し、回路領域５内のサージ電圧が回路領域７に伝わるのを防止できる。 - 特許庁

In an upper layer of the P-type region 7a, a P-type doped polysilicon film 12 having an impurity concentration higher than that of the P-type region 7a and equivalent to that of the P-type region 4 is formed in contact with the P-type region 7a.例文帳に追加

Ｐ型領域７ａの上層には、不純物濃度はＰ型領域７ａより高く、Ｐ型領域４と同程度のＰ型ドープトポリシリコン膜１２がＰ型領域７ａに接触して形成されている。 - 特許庁

Moreover, each diffusion region 31 is separated from a region for forming thereon such elements as transistors (an element forming region), by using each thermal oxidation film 40 so formed as to contact it with each diffusion region 31.例文帳に追加

そして、この拡散領域３１は、同拡散領域３１と接するようにして形成されている熱酸化膜４０によって、トランジスタ等の素子の形成される領域（素子形成領域）と分離されている。 - 特許庁

The hollow part of the gate electrode 3 is formed as the formation scheduled region of a source diffusion region 3 and a diffusion area 9 for a body contact, and the source diffusion region 3 is selectively formed in the body diffusion region 2.例文帳に追加

そのゲート電極３の中抜き部分をソース拡散領域３及びボディーコンタクト用拡散領域９の形成予定領域とし、ボディー拡散領域２内にソース拡散領域３を選択的に形成する。 - 特許庁

After a high-concentration impurity region 23 is formed (g), an inter-layer dielectric layer 25 is deposited, contact holes 27 are formed on a region of the low resistance portion 15 and a region of the high- concentration impurity region 23 (h).例文帳に追加

高濃度不純物領域２３を形成した後（ｇ）、層間絶縁膜２５を堆積し、低抵抗部１５上の領域及び高濃度不純物領域２３上の領域にコンタクトホール２７を形成する（ｈ）。 - 特許庁

The contact has a plug for applying the reference voltage and a semiconductor region of the second conductivity type, and also has a semiconductor region of the second conductivity type having lower impurity density than the semiconductor region of the second conductivity type of the contact between the semiconductor region of the second conductivity type of the contact and the semiconductor region of the first conductivity type constituting the photoelectric conversion section.例文帳に追加

このコンタクトは、基準電圧を供給するためのプラグと第２導電型の半導体領域とを有し、コンタクトの第２導電型の半導体領域と光電変換部を構成する第１導電型の半導体領域との間に、コンタクトの第２導電型の半導体領域に比べて不純物濃度が低い第２導電型の半導体領域を有する。 - 特許庁

To provide an element structure of a semiconductor device for securing sufficient contact area between an electrode, which is in contact with the source region or the drain region, and the source region or the drain region, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device that has the element structure.例文帳に追加

ソース領域又はドレイン領域と接触する電極と、ソース領域又はドレイン領域との接触面積を十分に確保するための半導体装置の素子構造及び該素子構造を有する半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

An n-type MOS transistor has an active region STN surrounded by the element isolation region 3 where a width Xc in the longitudinal direction of the gate in the entire region Wc including the contact forming region with a contact plug 10b formed is formed of the same width in the breadthwise direction of the gate.例文帳に追加

一方、Ｎ型ＭＯＳトランジスタは、素子分離領域３に囲まれた活性領域ＳＴＮが、ゲート幅方向において、コンタクトプラグ１０ｂが形成されるコンタクト形成領域を含めた全領域Ｗｃでゲート長方向の幅Ｘｃが同じ幅で形成されている。 - 特許庁

The ESD protection element has an n-type well region 19 superposed on the formation position of a contact hole 15a below an n-type drain region 15, and the MOS transistor has an n-type low concentration impurity region 17 superposed on the formation position of a contact hole 7a below an n-type drain region 7.例文帳に追加

静電保護素子はＮ型ドレイン領域１５の下にコンタクトホール１５ａの形成位置に重畳してＮ型ウェル領域１９を備え、ＭＯＳトランジスタはＮ型ドレイン領域７の下にコンタクトホール７ａの形成位置に重畳してＮ型低濃度不純物領域１７を備えている。 - 特許庁

The NMOS switch element 2's N-type source diffusion region 9s and P-type substrate contact diffusion region 7 are arranged such that they are adjacent, and the NMOS protection element 3's N-type source diffusion region 15s and P-type substrate contact diffusion region 20 are arranged such that they are spaced.例文帳に追加

ＮＭＯＳスイッチ素子２のＮ型ソース拡散領域９ｓとＰ型基板コンタクト拡散領域７は隣接して配置されており、ＮＭＯＳ保護素子３のＮ型ソース拡散領域１５ｓとＰ型基板コンタクト拡散領域２０は間隔をもって配置されている。 - 特許庁

In a stage of clamping the polarizing plate 25 between the bezel 13 and the frame 14, the display region 33a is covered with the display region protective part 35a, while the bezel contact region protective part 35b is peeled to expose the surface of the bezel contact region 33b.例文帳に追加

ベゼル１３とフレーム１４との間で偏光板２５を挟み付ける段階では、表示領域３３ａが表示領域保護部３５ａにより覆われるのに対し、ベゼル当接領域保護部３５ｂが剥離されてベゼル当接領域３３ｂの表面が露出している。 - 特許庁

Also, since this can eliminate the necessity of increasing an overlapping quantity between the n^+-source region 7 and the p^+-type contact region 9 and increasing a heat treatment time, the diffusion of the p^+-type contact region 9 up to a channel region can be prevented and the fluctuation of the operation threshold Vt can be prevented.例文帳に追加

また、ｎ^+型ソース領域７とｐ^+型コンタクト領域９とのオーバラップ量を増やしたり、熱処理時間を増やしたりする必要がないため、チャネル領域までｐ^+型コンタクト領域９が拡散してしまうことを防止でき、動作しきい値Ｖｔの変動を防止できる。 - 特許庁

Accordingly, the field region is prevented from being excessively etched and a contact is stably formed.例文帳に追加

これにより、フィールド領域が過度にエッチングされることを防止して安定的にコンタクトを形成する。 - 特許庁

The coil spring 56 has a small pitch part 56a in a region brought into contact with the guide surface 58b.例文帳に追加

コイルバネ５６は、ガイド面５８ｂが接触する範囲に、小ピッチ部５６ａを有している。 - 特許庁

In the supporting member 13, at least a region corresponding to the contact pad 11b is made flat.例文帳に追加

支持部材１３は、少なくともコンタクトパッド１１ｂと対応する領域が平坦でである。 - 特許庁

A p-side electrode 17 is in contact with a p-type diffused region 15 in the opening 19a.例文帳に追加

ｐ側電極１７は開口部１９ａにおいてｐ型拡散領域１５にコンタクトしている。 - 特許庁

A light-emitting region is disposed between a top contact 160 and a conductive holder 190.例文帳に追加

発光領域が上部接触子１６０および伝導性ホルダ１９０の間に配置される。 - 特許庁

A semipermeable region comes into contact with the passage and the aneurysmal sac so that the fluid comes and goes.例文帳に追加

半透過性領域が、流路及び動脈瘤嚢と流体が行き来できるように接している。 - 特許庁

The second body region 10 is brought into contact with at least a part of the side of the dummy trench 24.例文帳に追加

第２ボディ領域１０は、ダミートレンチ２４の側面の少なくとも一部に接している。 - 特許庁

The mask seal can be inwardly deformed by contact with a face region of a user.例文帳に追加

マスクシールは、ユーザの顔の領域と接触することにより内方に変形することができる。 - 特許庁

The shadow ring 40 covers the peripheral edge of the substrate 50 and a region inside it in a non-contact manner.例文帳に追加

シャドーリング４０は、基板５０の周縁部及びその内側の領域を非接触で覆う。 - 特許庁

To enable layout in an active region also under contact pads of a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

半導体集積回路のコンタクト・パッドの下側にも能動的領域の配置を可能にする。 - 特許庁

A surge protective region (16) is connected electrically with the emitter electrode under ohmic contact state.例文帳に追加

サージ保護領域（１６）は、オーミックコンタクトをとった状態でエミッタ電極と電気的に接続する。 - 特許庁

To enhance a polishing effect by increasing the contact region of the outer circumferential part of a work to a polishing member.例文帳に追加

研磨用部材に対しワーク外周部の接触領域を増大させ、研磨効果を高める。 - 特許庁

The contact opening 213 is coupled with a second diffusion region 204 of the switching transistor 2.例文帳に追加

接触開口部２１３は、スイッチング用トランジスタ２の第２拡散領域２０４に結合している。 - 特許庁

Each source/drain region is connected electrically to a bit line through one bit line contact.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域は、各々１個のビットラインコンタクトを通じてビットラインと電気的に連結されうる。 - 特許庁

The width of the n^+ diffusion region 1 becomes smaller at the position where the contact portion 3a is formed.例文帳に追加

ｎ^+拡散領域１の幅は、コンタクト部３ａが形成される位置において狭くなっている。 - 特許庁

The device includes a contact lens comprising a region that disperses a force applied to the eye by the eyelid.例文帳に追加

このデバイスは、瞼により眼にかかる力を分散させる領域を備えるコンタクトレンズを含む。 - 特許庁

Then, a second metallic film 110 is selectively formed on a lower region of the contact hole 109.例文帳に追加

次に、コンタクトホール１０９の下部領域に第２の金属膜１１０を選択的に形成する。 - 特許庁

Photographic paper 5 changes in region of contact with the mesh belts before and after transfer between the mesh belts.例文帳に追加

印画紙５は、メッシュベルト間の受け渡しの前後で、メッシュベルトとの接触領域が変化する。 - 特許庁

A P+ ohmic contact region is formed by sublimating metallic salt on a CdTe layer.例文帳に追加

金属塩をＣｄＴｅ層上へ昇華することによってｐ＋オーム接点領域を形成する。 - 特許庁

A region where each N-well 108 is in contact with the embedded P-well 104 has a width of ≤2 μm.例文帳に追加

各Ｎウェル１０８が埋込Ｐウェル１０４と接する領域の幅は、２μｍ以下である。 - 特許庁

A first contact plug 41 electrically connects the first wiring layer and the first diffusion region.例文帳に追加

第１コンタクトプラグ４１は第１配線層と第１拡散領域とを電気的に接続する。 - 特許庁

A link file 29 for a non-contact data file for accessing the non-contact data file, and a link file 27 for non-contact authentication for acquiring an authentication key for accessing a contact data file, are prepared in a contact data storage region 13.例文帳に追加

接触用データ格納領域１３内に、非接触用データファイルへアクセスするための非接触データファイル用リンクファイル２９や、接触用データファイルへのアクセスのための認証鍵を取得するための非接触認証用リンクファイル２７が用意される。 - 特許庁

Thereby, an uneven contact state where the surface of the rear polarizing plate 4 and the reflection polarizing sheet 11 partially come in face contact with each other is prevented and inconvenience that display visibility is reduced by the boundary between a surface contact region and a non-contact region on the periphery thereof is eliminated.例文帳に追加

これにより、後偏光板４表面と反射偏光シート１１とが部分的に面接触する不均一な接触状態の発生が防止され、面接触領域とその回りの非接触領域との境界が表示の視認性を低下させる不具合が解消される。 - 特許庁

A contact area of the atmospheric air of the route 20 with the rotor 6 is provided so that the air can heat exchange by bringing the air into contact with the rotor 6 previously from the indoor air between the contact region of the atmospheric air of the route 8 and the contact region of the indoor air of the route 10.例文帳に追加

外気導入経路２０の外気と顕熱ロータ６との接触領域は、給気経路８の外気との接触領域と、排気経路１０の室内空気との接触領域との間に、室内空気よりも先に顕熱ロータ６と接触して熱交換し得るように設けられる。 - 特許庁

The gate wiring 105 has a dummy contact 105b, having a symmetrical shape to the contact 105a as holding the p-type impurity diffusion region 101, while having the dummy contact 105c, having the symmetrical shape to the contact 105a as holding the n-type impurity diffusion region 102.例文帳に追加

また、ゲート配線１０５は、Ｐ型不純物拡散領域１０１を挟んでコンタクト部１０５ａと対称な形状を有するダミーコンタクト部１０５ｂを有すると共に、Ｎ型不純物拡散領域１０２を挟んでコンタクト部１０５ａと対称な形状を有するダミーコンタクト部１０５ｃを有する。 - 特許庁

When the floating type optical head is positioned in the cleaning region, the light emitting side surface of the floating type optical head floating on the cleaning region and the surface of the cleaning region are brought into contact with each other.例文帳に追加

浮上型光ヘッドをクリーニング領域に位置付けるとクリーニング領域上を浮上する浮上型光ヘッドの光射出側の面とクリーニング領域表面とが接触する。 - 特許庁

This p^+-type body contact diffusion region 7B is formed at the center of the n^+-type source diffusion region 9 in plan view, and has an electric connection relation with the p-type body region protrusion 3a.例文帳に追加

このＰ^+型ボディコンタクト拡散領域７ＢはＮ^+型ソース拡散領域９の平面視中心部に形成され、Ｐ型ボディ領域突出部３ａと電気的接続関係を有する。 - 特許庁

In other words, a PN-type parasitic diode is formed by a P-type base region 12 and the N-type region 21 at the lower part of the boundary part of the base contact region 14.例文帳に追加

言い換えれば、ベースコンタクト領域１４の境界部の下方において、Ｐ型のベース領域１２およびＮ型領域２１によりＰＮ型の寄生ダイオードが形成されている。 - 特許庁

In the semiconductor device, a projecting region 16 is formed at the connection region of the fixed potential insulating electrode 5 connected to a metal layer, and a region for ohmic contact is increased.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、金属層と接続する固定電位絶縁電極５の接続領域に突起領域１６を形成し、オーミックコンタクトする領域を増大させている。 - 特許庁

A body region 25 of the channel region 10A includes an emitter region 26 which is in contact with a side surface of a trench gate 30 and electrically connected to an emitter electrode 28.例文帳に追加

チャネル区域１０Ａのボディ領域２５には、トレンチゲート３０の側面に接するとともにエミッタ電極２８に電気的に接続しているエミッタ領域２６が設けられている。 - 特許庁