「collector region」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

A p-well region 9 is formed at a substrate surface layer section around a device formation region on a semiconductor substrate 1, and at the same time rings GFP and FP5 at the innermost- and outermost-periphery sides of a group 11 of field plate rings are electrically connected to gate and collector terminals, respectively, on a LOCOS oxide film 10 around the device formation region.例文帳に追加

半導体基板１でのデバイス形成領域の周囲における基板表層部にｐウェル領域９が形成されるとともに、デバイス形成領域の周囲のＬＯＣＯＳ酸化膜１０の上において、フィールドプレートリング群１１の最も内周側のリングＧＦＰがゲート端子と、最も外周側のリングＦＰ５がコレクタ端子と電気的に接続されている。 - 特許庁

This cell of the fuel cell is equipped with a membrane electrode assembly including a fuel electrode, an air electrode, and an electrolyte membrane and having a power generating region, a collector including a fuel electrode conductive layer and an air electrode conductive layer, a pressing plate to press the collector against the membrane electrode assembly, and a fuel supply part to supply fuel to the fuel electrode.例文帳に追加

燃料電池セルは、燃料極と、空気極と、電解質膜と、を含み、発電領域を有した膜電極接合体と、燃料極導電層と、空気極導電層と、を含んだ集電体と、集電体を膜電極接合体に押し付ける押圧板と、燃料極に燃料を供給する燃料供給部と、を備えている。 - 特許庁

After forming a collector layer 7, a base layer 8, an etching stopper layer 12 for forming an opening in an ion transmission suppressing layer 14, and the ion transmission suppressing layer 14 on the etching stopper layer 12 in order; impurity ions 38 of a first conductivity type are injected into the collector layer 7 through the opening 14a formed in the ion transmission suppressing film to form an SIC region 21.例文帳に追加

コレクタ層７、ベース層８、イオン透過抑制層１４開口のためのエッチングストッパ層１２、エッチングストッパ層１２の上にイオン透過抑制層１４を順に形成した後、イオン透過抑制膜の開口１４ａを通じて第１の導電型の不純物のイオン３８をコレクタ層７に注入して、ＳＩＣ領域２１を形成する。 - 特許庁

A phototransistor forming a Schottky barrier diode between the base and collector by the contact of the exposed region 11 with the base electrode 6 on a semiconductor substrate 1 composing a collector layer exposed to the surface is surrounded by the metallic layers 7, 8, 9 in an emitter potential almost at the whole periphery of the base electrode 6.例文帳に追加

表面に露出したコレクタ層を構成する半導体基板１の露出領域１１とベース電極６との接触によりベース・コレクタ間にショットキーバリアダイオードを形成してなるフォトトランジスタにおいて、前記ベース電極６の略全周囲近傍をエミッタ電位の金属層７、８、９にて取り囲んでなることを特徴とする。 - 特許庁

Since the trench 62 in the IGBT of the central part is shallow, the amount of majority carriers accumulated in a part along a gate insulating film 64 of a second conductivity type low concentration drift region 54 is smaller than that accumulated in the IGBT's in the peripheral part, and the amount of minority carriers to a region in the central part from a collector electrode is reduced.例文帳に追加

中央部のＩＧＢＴではトレンチ６２が浅いため、周辺部のＩＧＢＴより第二導電型低濃度ドリフト領域５４のゲート絶縁膜６４に沿う部分に蓄積する多数キャリアの量が少なくなり、中央部の領域へのコレクタ電極からの少数キャリアの量も少なくなる。 - 特許庁

To provide a technique for improving controllability of a base width regarding a method for manufacturing a semiconductor device where a vertical PNP transistor in that a P-type semiconductor substrate composes a collector region is formed on a semiconductor substrate where an epitaxial growth layer for composing an N-type base region is formed on the P-type semiconductor substrate.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板の上にＮ型のベース領域を構成するエピタキシャル成長層を形成した半導体基体に、Ｐ型半導体基板がコレクタ領域を構成する縦型のＰＮＰトランジスタを形成する半導体装置の製造方法について、ベース幅の制御性を改善する技術を提供する。 - 特許庁

An N-type first single-crystal silicon layer (collector region) 10c is provided on a silicon substrate 10a via a first insulating film 10b, and a P-type first polysilicon layer (base extracting region) 12 is provided on the N-type first single-crystal silicon layer 10c through the intermediary of a second insulating film 11.例文帳に追加

シリコン基板１０ａの上に第１の絶縁膜１０ｂを介してｎ型の第１の単結晶シリコン層（コレクタ領域）１０ｃが設けられており、該第１の単結晶シリコン層１０ｃの上には第２の絶縁膜１１を介してｐ型の第１のポリシリコン層（ベース用引き出し領域）１２が設けられている。 - 特許庁

A p^+-type base region 108, n^+-type emitter region 109, a gate insulating film 110, a gate electrode film 111, an interlayer insulating film 112, p^+-type collector layer 113, and an emitter electrode film 114, are formed on an implanted substrate 102 on which n^--type drift layer 106 and n^+-type buffer layer 107 are formed.例文帳に追加

Ｎ^−型ドリフト層１０６及びＮ^＋型バッファ層１０７を形成した注入基板１０２に、Ｐ^＋型ベース領域１０８及びＮ^＋型エミッタ領域１０９、ゲート絶縁膜１１０、ゲート電極膜１１１、層間絶縁膜１１２、Ｐ^＋型コレクタ層１１３、エミッタ電極膜１１４を形成する。 - 特許庁

Radicals such as H radicals are generated in one or both of the volumes 12 and 14, and a pressure region in a range of 1 to 10 Pa is used to produce a flux such that the radicals are moved in the collector CO.例文帳に追加

体積１２、１４の一方または両方の中で、Ｈラジカルなどのラジカルが作り出され、ラジカルがコレクタＣＯ中を動くように流束を作り出すために、１〜１０Ｐａの間の範囲の圧力領域が用いられる。 - 特許庁

An emitter structure (134) is formed on the base structure (122), and an external base structure (156) is formed near the emitter structure (134) with a space from the emitter structure on the base structure (122) and the collector region (113).例文帳に追加

エミッタ構造（１３４）はベース構造（１２２）の上に形成され、外部ベース構造（１５６）は、ベース構造（１２２）の上およびコレクタ領域（１１３）の上で、エミッタ構造（１３４）のそばにありエミッタ構造から間隔をあけて形成される。 - 特許庁

When the active material film is deposited on a metal film 1 as the collector, tension is applied to the metal film 1 to pull a region, in which the active material film of the metal film 1 is deposited, from both sides.例文帳に追加

活物質薄膜を集電体である金属箔１の上に堆積する際、金属箔１の活物質薄膜が堆積される領域を両側から引っ張るように金属箔１に対して張力をかけることを特徴としている。 - 特許庁

To provide sprinkling dust collector which sucks the dust generated in a dust generation region from a suction port of a funnel, spraying water to dust-containing air and separates the dust by the centrifugal force generated in the funnel.例文帳に追加

この散水式集塵装置は，粉塵発生領域で発生する粉塵をロートの吸引口から吸引し，粉塵含有空気に対して散水してロート内で発生する遠心力で粉塵を空気から分離し，空気を浄化する。 - 特許庁

An n+ collector region 2, an n- epitaxial layer 3, an element isolating oxide silicon film 4, a silicon oxide film 5, etc., are formed on a p-type silicon substrate 1, and then a silicon nitride film 51 through low-pressure CVD technique to serve as a stress relaxing layer is made.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１にＮ＋のコレクタ領域２、Ｎ−エピタキシャル層３、素子分離酸化シリコン膜４、酸化シリコン膜５等を形成した後、応力緩和層となる減圧ＣＶＤ技術によるシリコン窒化膜５１を形成する。 - 特許庁

The intrinsic gettering performance of an IGBT 1 is inspected by measuring the current amplification rate (HFE) of an PNP transistor 30 formed of a channel region 12, a drift layer 11, a buffer layer 17 and a collector layer 18.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１のイントリンシックゲッタリング能力の検査は、チャネル領域１２、ドリフト層１１、バッファ層１７及びコレクタ層１８により形成されたＰＮＰトランジスタ３０の電流増幅率（ＨＦＥ）を測定することにより行う。 - 特許庁

A base electrode 11, in a collector top heterojunction bipolar transistor is brought into contact with the side plane of a base layer 5 which has not been subjected to ion implantation and with the front surface of a high resistance parasitic emitter region 14, which has been subjected to the ion implantation.例文帳に追加

コレクタトップヘテロ接合バイポーラトランジスタにおけるベース電極１１がイオン打ち込みがなされていないベース層５の側面およびイオン打ち込みがなされた高抵抗寄生エミッタ領域１４の表面に接するようにする。 - 特許庁

A bipolar transistor is provided with a polysilicon layer 21 connected to one of the emitter, collector, and base inside an element isolation region, and uses the polysilicon layer 21 as a resistance, so that although it is constituted with the resistance is connected to one of the emitter, collector; and base, the element area is prevented from increasing and the high integration can be actualized.例文帳に追加

本発明のバイポーラトランジスタは、素子分離領域の内側において、エミッタ、コレクタまたはベースの中のいずれか１つと接続されるようにポリシリコン層２１を設け、このポリシリコン層２１を抵抗として使用するように構成したので、エミッタ、コレクタまたはベースの中のいずれか１つに抵抗を接続するように構成しながら、素子面積が増えることを防止でき、高集積化を実現できる。 - 特許庁

In a horizontal bipolar transistor, containing thermally diffused impurities provided on the upper part of a base region, contains a semiconductor layer, and has a collector diffusion layer and an emitter diffusion layer juxtaposed, and a semiconductor device that has such a transistor, the semiconductor layer is laid down to further implant impurities, and then, subjected to heat treatment, to make a collector diffusion layer and an emitter diffusion layer.例文帳に追加

ベース領域の上部に設けた不純物を含有する半導体層の前記不純物を熱拡散させてコレクタ拡散層とエミッタ拡散層とを並設してなる横型バイポーラトランジスタ、およびそれを有する半導体装置において、半導体層を横断させて不純物をさらにイオン注入した後に熱処理することによってコレクタ拡散層とエミッタ拡散層とを設ける。 - 特許庁

By causing the reference voltage to be compared with the output voltage to be dropped, the output of a comparator drops the output voltage and increases the voltage between a collector and an emitter of the first transistor to restore the transistor to the action of the stable active region.例文帳に追加

出力電圧と比較されるこの基準電圧が低下することにより、コンパレータの出力は出力電圧を下げて第１のトランジスタのコレクタ・エミッタ間電圧を増加させて該トランジスタを安定な活性領域の動作に復帰させる。 - 特許庁

ESD protection is provided in a first polarity, by a bipolar transistor 4C formed in an n-well (64; 164), having a collector contact (72; 172) to one signal terminal (PIN1) and its emitter region (68; 168) and base (66; 166) connected to a second signal terminal (PIN2).例文帳に追加

ESD保護は、第１の極性において、第１の信号端子（PIN1）に接続されたコレクタコンタクト（72;172）、及び第２の信号端子（PIN2）に接続されたそのエミッタ領域（68;168）とベース（66;166）を有する、ｎウエル（64;164）に形成されたバイポーラトランジスタ４Ｃによって、設けられる。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 1 forming a collector region, a p-type first Si layer 2 having an impurity concentration lower than that of the semiconductor substrate 1 is laminated, and moreover a p-type second Si layer 3 having an impurity concentration lower than that of the first Si layer 2 are also laminated.例文帳に追加

コレクタ領域となる半導体基板１上には、半導体基板１より不純物濃度が低いｐ型の第１Ｓｉ層２が積層され、更に、第１Ｓｉ層２より不純物濃度が低いｐ型の第２Ｓｉ層３が積層されている。 - 特許庁

To provide an electric dust collector capable of suppressing the flow of air in a region where normal corona discharge does not occur because of the absence of a part of a counter electrode, thereby improving the efficiency of charging and improving the efficiency of dust collection.例文帳に追加

対向電極を一部有しないため正常なコロナ放電が発生しない領域における空気の流れを抑制し、それにより荷電効率を向上させ、集塵効率の向上を図ることのできる電気集塵機を提供する。 - 特許庁

A metal mask is put so as to cover the upper part of the n-type amorphous silicon film 6 except a region where the p-type amorphous silicon film 5 exists, and a back electrode 8 and a collector electrode 10 are formed by a sputtering method on parts except the metal mask.例文帳に追加

次に、ｐ型非晶質シリコン膜５が存在する領域を除いてｎ型非晶質シリコン膜６上を覆うようにメタルマスクを被せ、メタルマスクを除く部分にスパッタリング法により裏面電極８および集電極１０を形成する。 - 特許庁

Liquid phase flow that flow down through the tower are collected at a funnel-shaped collector (40) and distributed to the entire region of the transverse surface inside the tower at the lower side by distribution tubes (32, 33) of a distributor for a liquid phase flow (30) via a vertical tube (31) from an exit opening (42) of the center of the funnel.例文帳に追加

塔内を流下する液相流は漏斗形捕集器(40)で捕集されて漏斗中央の出口開口(42)から縦管(31)を介して液相流用分配器(30)の分配管(32, 33)により下方の塔内横断面全域に分配される。 - 特許庁

The negative electrode 40 comprises a glass substrate 41 covered by a transparent conductive film 42, a current collector electrode 43 of metallic system which is formed on this glass substrate 41 and demarcates the region on the glass substrate 41 into a plurality of light receiving regions, and a porous oxide semiconductor film 45 which is formed respectively in each light receiving region and has a sensitized dye.例文帳に追加

負極４０は、透明導電膜４２で被覆されたガラス基板４１と、このガラス基板４１上に形成されてこのガラス基板４１上の領域を複数の受光領域に区画する金属系の集電極４３と、前記各受光領域内にそれぞれ形成され、増感色素を有する多孔質の酸化物半導体膜４５とを有している。 - 特許庁

Further, the method may also have a step of forming a collector region 32 positioned at the offset region 31 of a bipolar transistor by introducing the first-conductivity-type impurities to the semiconductor layer 20 with an element isolation film 25, a gate electrode 44, and a mask film as masks, and for forming a source and a drain 42a, 45 of a MOS transistor.例文帳に追加

さらに、素子分離膜２５、ゲート電極４４、及びマスク膜をマスクとして半導体層２０に第１導電型の不純物を導入することにより、バイポーラトランジスタのオフセット領域３１に位置するコレクタ領域３２を形成するとともに、ＭＯＳトランジスタのソース及びドレイン４２ａ，４５を形成する工程とを具備してもよい。 - 特許庁

To solve the problem that a high frequency semiconductor device having alternately arranged base contact regions and emitter regions increases the emitter region number to ensure an emitter peripheral length for increasing the current capacity, but this needs to increase the base contact region number according to that number and inevitably to enlarge base regions, resulting in an increased base-collector junction capacitance CBC causing high frequency characteristics to be deteriorated.例文帳に追加

ベースコンタクト領域とエミッタ領域が交互に配置された高周波半導体装置では電流容量を上げるためにエミッタ領域を増やしてエミッタ周辺長を確保するとベースコンタクト領域もその数に応じて必要で、必然的にベース領域が大きくなり、ベース-コレクタ間接合容量Ｃ_BCを増やしてしまう。 - 特許庁

And a uniforming means for uniforming the battery reaction distribution in the thickness direction of the battery reaction region, which is made of a sulfur electrode 9 formed by installing between the solid electrode 1 and the collector electrode 10, is provided, thereby high output and large capacity are realized.例文帳に追加

そして、固体電解質１と集電極１０間に装着して形成した硫黄電極９なる電池反応領域の厚さ方向電池反応分布を一様化する一様化手段を設けることにより、高出力、大容量化を図っている。 - 特許庁

The collector plate fitting parts 52 of the connection lead plate 50 have three joining parts 51a1 to 52a3 formed therein, and the connection lead plate 50 is disposed in a plane position including a center O of a shaft core 25 within a region surrounding by the joining parts 51a1 to 52a3.例文帳に追加

接続リード板５０の集電板取付部５２には、３つの接合部位５１ａ１〜５２ａ３が形成され、接続リード板５０は、各接合部位５１ａ１〜５２ａ３により囲まれる領域内に軸芯２５の中心Ｏが含まれる平面位置に配置されている。 - 特許庁

To provide a metal oxide electrochemical pseudo-capacitor, that is increased in stored energy by substituting its electrolytic solution with an organic electrolytic solution, which has a wide electrochemically stable region and for which aluminum can be used in a current collector.例文帳に追加

電気化学安定領域が広くてアルミニウムを集電体（ｃｕｒｒｅｎｔ ｃｏｌｌｅｃｔｏｒ）で使用することができる有機系電解液で代替することにより貯蔵エネルギーが増加された金属酸化物電気化学擬似キャパシタを提供するものである。 - 特許庁

A p-type SiGe alloy layer 6a and a p-type silicon film 7a of a protruding cross-sectional shape are formed on the active region of an n-type collector layer 2, wherein an n-type emitter diffused layer 13 which functions as an emitter layer, is formed inside the upper part of the silicon film 7a.例文帳に追加

ｎ型のコレクタ層２の活性領域上にｐ型のＳｉＧｅ合金層６ａと断面凸状のｐ型のシリコン膜７ａとが形成され、シリコン膜７ａ内の上部にはエミッタ層として機能するｎ型のエミッタ拡散層１３が形成されている。 - 特許庁

The collector region 1 is doped such that the semiconductor area 4 is fully depleted, and the magnitude of the intrinsic electric field in the semiconductor area 4 is at least substantially independent of the applied doping types and the doping concentration in the semiconductor area 4.例文帳に追加

コレクタ領域１は、半導体領域４が完全に空乏化されると共に、半導体領域４における真性電界の大きさが、半導体領域４におけるドーピング濃度及びもたらされるドーピング形から少なくともほぼ独立するようにドーピングされる。 - 特許庁

A p-base layer 3, an n-source layer 4, a gate electrode 11 and an emitter electrode 14a which serves as an IGBT are formed in a first region R1 on a first principal plane of an n-type semiconductor substrate 1, and a collector electrode 15 is formed on a second principal plane.例文帳に追加

ｎ型の半導体基板１の第１主表面の第１領域Ｒ１には、ＩＧＢＴとなる、ｐベース層３、ｎソース層４、ゲート電極１１、エミッタ電極１４ａが形成され、第２主表面には、コレクタ電極１５が形成されている。 - 特許庁

A first electrode 7 to be an emitter electrode and the metal plugs 10 and 23 to be a collector electrode are provided on the same side as the control electrode 8 with the collector electrode positioned remoter from the control electrode 8, so that most of the carriers injected into the sixth semiconductor region 12 for conductivity modulation are able to reach the emitter electrode without passing through a location just under the third semiconductor 6.例文帳に追加

エミッタ電極となる第１の電極７と金属プラグ１０，２３よりなるコレクタ電極を制御電極８に対して同じ側で、かつコレクタ電極の方が制御電極８から遠くなるように設けることによって、第６の半導体領域１２から注入された伝導度変調に必要なキャリアの大部分を第３の半導体領域６の直下を通らずにエミッタ電極に到達させる。 - 特許庁

The collector 10 for cells in a block comprises mesh-like receivers 12 and 14 receiving a block 30 containing cells, a bottomed cylinder part 16 housing the receivers 12 and 14 and having a cell trapping region 24, and an elastic protector part 18 protecting the cell trapping region 24 of the bottomed cylinder part 16 from ultrasonic radiation.例文帳に追加

細胞を含む塊状物３０を収納するメッシュ状収納部１２，１４と、 前記収納部１２，１４を収容し、該収納部１４下部に細胞トラップ領域２４を有する有底筒状部１６と、 前記有底筒状部１６の細胞トラップ領域２４を超音波照射より保護する柔軟性保護部１８と、を備えた塊状物内細胞採取装置１０。 - 特許庁

This semiconductor device manufacturing method is composed of a process wherein the collector region is formed from the first conductivity type semiconductor substrate 1, and a process wherein the first conductivity type emitter region 6 is formed in the vicinity of the surface of the impurity diffusion layer 5 using a side wall 4 as a mask.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１からコレクタ領域を形成する工程と、前記コレクタ領域の表面近傍に、配線３をマスクとして第２導電型の不純物拡散層５を形成する工程と、前記不純物拡散層５の表面近傍に、サイドウオール４をマスクとして第１導電型のエミッタ領域６を形成する工程とを備える半導体装置の製造方法。 - 特許庁

A lateral PNP transistor is formed in such a manner that an emitter diffused layer 14 having a p-type impurity and a collector diffused layer 13 having a p-type impurity are arranged via an n^--type epitaxial layer 12 of a base region in a planar inward direction of a semiconductor substrate (p^--type substrate 10).例文帳に追加

ｐ型不純物を有するエミッタ拡散層１４と、ｐ型不純物を有するコレクタ拡散層１３とが半導体基板（ｐ^−型基板１０）の面内方向にベース領域であるｎ^−型エピタキシャル層１２を介して配設されてなる横型ＰＮＰトランジスタを形成する。 - 特許庁

Thus, the depth of the contact trench 10 can be prevented from being deepened too much and recovery loss can be reduced, and recovery characteristics can be improved while preventing deterioration in withstand voltage between a collector and an emitter due to punch through of a base region 3 below the contact trench 10.例文帳に追加

このため、コンタクト用トレンチ１０の深さを深くし過ぎることなくリカバリ損失の低減を図ることが可能となり、コンタクト用トレンチ１０の下のベース領域３がパンチスルーしてしまうことによるコレクタ−エミッタ間耐圧の低下を抑制しつつ、リカバリ特性を改善することができる。 - 特許庁

Consequently, the amplitude of collector-emitter voltage is suppressed by generating resonance with the second resonance capacitor 18, and zero-voltage switching region of the first switching element 19 is enlarged greatly resulting in a high efficiency power converter where the switching loss is reduced.例文帳に追加

これにより第２の共振コンデンサ１８との共振動作を発生させて、コレクタ−エミッタ電圧の振幅を抑えるとともに、第１スイッチング素子１９のゼロ電圧スイッチング領域を大幅に拡大し、スイッチング損失を低減した高効率の電力変換装置を提供できるものである。 - 特許庁

The semiconductor device, having the vertical PNP bipolar transistor, formed in a prescribed element area on a semiconductor substrate, is provided with a high-density embedded N+layer 3 formed in the prescribed element region and a P-type collector layer 5, formed on the layer 3 in close contact.例文帳に追加

半導体基板上の所定の素子領域に縦型ＰＮＰバイポーラトランジスタが形成された半導体装置であって、所定の素子領域に形成された高濃度の埋め込みＮ＋層３と、埋め込みＮ＋層３上に密着して形成されたＰ型のコレクタ層５とを備える。 - 特許庁

Also, a Locos oxide film 12 is formed on the element region by thermal oxidation treatment, an interlayer insulation film 13 is formed on the Locos oxide layer 12, and a collector electrode 14, a base electrode 15, and an emitter electrode 16 through the interlayer insulation film 13 are connected.例文帳に追加

また、素子領域の上には、熱酸化処理によってＬｏｃｏｓ酸化膜１２が形成されており、このＬｏｃｏｓ酸化層１２の上には層間絶縁膜１３が形成され、層間絶縁膜１３を貫通するコレクタ電極１４、ベース電極１５、エミッタ電極１６が接続されている。 - 特許庁

A back electrode 14 is formed on the second principal surface 20b such that it has contact with both the p-type collector area 9 and the n-type cathode region 10, and has a titanium layer 11, a nickel layer 12 and a gold layer 13 laminated in turn from the side of the second principal surface 20b.例文帳に追加

裏面電極１４は、ｐ型コレクタ領域９およびｎ型カソード領域１０との双方に接するように第２主面２０ｂ上に形成され、かつ第２主面２０ｂ側から順に積層されたチタン層１１、ニッケル層１２および金層１３を有している。 - 特許庁

Although, a parasitic diode is formed in the IGBT by PN junction of a p^+ collector region 1 and the n^+ type buffer layer 2, the n^+ type buffer layers 2 floating in an actual device are connected through the resistor 13.例文帳に追加

すなわち、ＩＧＢＴにはｐ^+型コレクタ領域１とｎ^+型バッファ層２とによるＰＮ接合によって寄生ダイオードが形成されることになるが、この寄生ダイオードのうち実際のデバイスではフローティング状態となる各ｎ^+型バッファ層２が抵抗１３を介して接続された構成とする。 - 特許庁

This battery 1 is composed by using a positive electrode 9 formed by two-dimensionally distributing a low support region set to a low support amount relative to an average support amount in relation to the whole of active material layers, in the active material layers 12 and 13 arranged on principal surfaces 11a and 11b of a collector 11.例文帳に追加

集電体１１の主面１１ａ及び１１ｂに設けられた活物質層１２及び１３において、活物質層全体に関する平均担持量に比して低い担持量とされた低担持領域が、２次元的に分布して形成された正極９によって、電池１を構成する。 - 特許庁

To enable the practical use of a thermionic generating device (10) functioning in a low temperature region in a thermionic generator by connecting a plurality of thermionic generating devices (10) in series to increase the output voltage, and on the other hand by deterring the heat transfer from the emitter to the collector to prevent the deterioration of generating efficiency.例文帳に追加

熱電子発電装置において、複数の熱電子発電素子（10）を直列に接続することにより出力電圧を高める一方でエミッタからコレクタへの熱の伝達を阻止して発電効率の低下を防止し、低温度域で機能する熱電子発電素子（10）を実用化できるようにする。 - 特許庁

The positive electrode 21 has a double-side active material region 21D having an outer positive active material layer 21B and an inner positive active material layer 21C on a positive collector 21A, and the inner positive active material layer 21C is thinner than the outer positive active material layer 21B.例文帳に追加

正極２１は、正極集電体２１Ａに外面正極活物質層２１Ｂと内面正極活物質層２１Ｃとが設けられた両面活物質領域２１Ｄを有し、内面正極活物質層２１Ｃの厚みは外面正極活物質層２１Ｂの厚みよりも薄くなっている。 - 特許庁