「diffusion of」に関連した英語例文の一覧と使い方(150ページ目) - Weblio英語例文検索

Adjustment of observed b-value (250) is accomplished by initially scaling a diffusion lobe amplitude (254) and comparing a recalculated b-value to the prescribed b-value (262).例文帳に追加

観測ｂ−値の調整（２５０）は、最初に拡散ローブ振幅を拡大縮小させ（２５４）、再計算されたｂ−値を指定ｂ−値と比較する（２６２）ことによって達成される。 - 特許庁

To provide a system for membrane separation activated sludge and a method for the membrane separation activated sludge which reduce the amount of diffusion necessary for biological treatment and membrane separation.例文帳に追加

生物処理及び膜分離に必要な散気量の低減化を図る膜分離活性汚泥システム及び膜分離活性汚泥方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a fuel cell diagnostic device and method to detect water content status inside a fuel cell, in particular, in a gas diffusion layer and in a minute pore of a catalyst layer.例文帳に追加

燃料電池内部の特にガス拡散層や触媒層微細空孔中の含水状態を検出する燃料電池診断装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide optical glass capable of easily giving the optical glass having a high refractive index characteristic, a low diffusion characteristic, a low yield point Ts and a low liquid phase temperature L.T.例文帳に追加

高屈折率特性および低分散特性を有し、かつ屈伏点Ｔ_Sおよび液相温度Ｌ．Ｔが共に低いものを得ることが容易な光学ガラスを提供する。 - 特許庁

Preferably, a colored layer is formed on the magnetic recording layer of the transfer material after transfer and further, an anti-diffusion layer serving as a protecting layer is formed on the colored layer.例文帳に追加

転写後の転写材の磁気記録層上に着色層が形成され、さらにその上に保護層を兼ねた拡散防止層が形成されることが好ましい。 - 特許庁

The solid state imaging device includes a plurality of modulation transistors Tm which output a pixel signal according to the optical generation charge held to a floating diffusion region.例文帳に追加

本発明の固体撮像装置は、フローティングディフュージョン領域に保持された光発生電荷に応じた画素信号を出力する複数の変調トランジスタＴｍを有する。 - 特許庁

A plurality of impeding portions 8 to impede a gas flow in the direction along the face in contact with a diffusion layer 5 are provided in gas passage layers 6a, 6b formed by a porous body.例文帳に追加

多孔体によって形成されたガス流路層６ａ、６ｂ内に、拡散層５に接触する面に沿った方向のガスの流れを阻害する阻害部８を複数設ける。 - 特許庁

In the method for manufacturing the semiconductor wafer, or in the method for manufacturing the display device, air diffusion pipes 26, 27 and 28 are arranged on the bottom of a raw water tank 1.例文帳に追加

本発明の半導体ウェハの製造方法に於いて、または表示装置の製造方法に於いて、原水タンク１底部に散気管２６、２７、２８を設置する。 - 特許庁

Diffusion of the thermal energy generated in the flow passage 14 by the burning reaction can be inhibited by the burning glass base plate 18 covering the flow passage 14.例文帳に追加

また、流路１４を覆っている燃焼用ガラス基板１８により、流路１４内で燃焼反応により発生した熱エネルギーの拡散を抑制することができる。 - 特許庁

To provide a wiring material which is extremely little in diffusion of Cu and/or Ag to adjacent Si films and low gesistance and a sputtering target for forming the same.例文帳に追加

隣接するＳｉ膜へのＣｕ及び／又はＡｇの拡散が非常に少なく、かつ、低抵抗の配線材料及びそれを形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To realize a semiconductor device equipped with a gate protecting function while restraining an increase of an array area in a transistor array equipped with diffusion bit lines and word lines intersecting the bit lines.例文帳に追加

拡散ビット線とこれに交差するワード線を備えたトランジスタアレイにおいて、アレイ面積の増大を抑制しつつ、ゲート保護機能を備えた半導体装置を実現する。 - 特許庁

To provide a vegetable-originated adhesive that can control diffusion of formaldehyde and has high adhesion, and to provide a vegetable-originated composition and a wood composite material.例文帳に追加

ホルムアルデヒドの放散を抑制することが可能な高い接着性を有する植物由来接着剤と植物由来組成物および木質複合材料を提供する。 - 特許庁

Since the catalyst layer 60 is a diffusion reflection surface, the reflected light is more scattered than the case of a mirror surface, and absorption rate by the dyes is high and power generation efficiency is good.例文帳に追加

触媒層６０は拡散反射面であるので、鏡面の場合よりも反射光は散乱され、色素による吸収率が高く発電効率が良い。 - 特許庁

In the low temperature area, the self-excited oscillation type heat pipe can achieve both of high heat conductivity and high heat diffusion rate in comparison with a case when heat conduction by solid is utilized.例文帳に追加

低温域において、自励振動式ヒートパイプは、固体による熱伝導を利用した場合に比して大きな熱伝導率と熱拡散率を両立することができる。 - 特許庁

To fabricate a high performance silicon carbide power device enabling preferable diffusion from a deep p-type implant region to a surface of a silicon carbide surrounding a shallow n-type implant region.例文帳に追加

深いｐ型注入領域から浅いｎ型注入領域を囲む炭化シリコンの表面への好ましい拡散が可能な高性能炭化シリコン・パワーデバイスを製造する。 - 特許庁

A surface of the silicon substrate 2 formed with the second-conductivity diffusion layer 3 has unevenness, and the unevenness is formed so that projections 17 are continued when seen in two dimensions.例文帳に追加

第２導電型拡散層３が形成されたシリコン基板２の表面に凹凸が設けられ、凹凸は、平面的に見て、凸部１７が連続するように設けられている。 - 特許庁

The cluster ions implanted in the FIN type semiconductor portion 10 are activated thereafter to form a diffusion region that constitutes parts of a source region and a drain region.例文帳に追加

その後、ＦＩＮ状の半導体部１０に注入されたクラスタイオンを活性化して、ソース領域およびドレイン領域の一部を構成する拡散領域を形成する。 - 特許庁

To provide a screen which has a diffusion function of diffusing incident light and also includes a pattern for coordinate recognition wherein coordinates on a surface are patterned by a predetermined algorithm.例文帳に追加

入射した光を拡散させる拡散機能を持つとともに、表面上の座標が所定のアルゴリズムでパターン化された座標認識用パターンを含むスクリーンを提供する。 - 特許庁

The membrane electrode assembly 301 has at least one membrane, and the two gas diffusion layers are combined with both sides of the membrane electrode assembly 301.例文帳に追加

前記膜電極接合体３０１は、膜を少なくとも１つ有し、２つのガス拡散層は、膜電極接合体３０１の両側に、それぞれ結合されている。 - 特許庁

Then the P clad and N clad have higher diffusion coefficients of carriers in a second direction orthogonal to the first direction than in the first direction.例文帳に追加

そして、ＰクラッドおよびＮクラッドにおいて、第１の方向に直交する第２の方向でのキャリアの拡散係数が、第１の方向でのキャリアの拡散係数よりも高い。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion device which suppresses diffusion of oxygen from a transparent electrode layer to a microcrystalline silicon p layer, thereby having high electric power generation efficiency.例文帳に追加

透明電極層から微結晶シリコンｐ層への酸素の拡散を抑制することで、高い発電効率を有する光電変換装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A gas diffusion layer for fuel cells is structured with a porous member mainly composed of conductive particles such as acetylene black or graphite and a polymer resin such as PTFE.例文帳に追加

アセチレンブラックやグラファイトなどの導電性粒子と、ＰＴＦＥなどの高分子樹脂とを主成分とした多孔質部材で燃料電池用ガス拡散層を構成する。 - 特許庁

In the channel width direction D, the semiconductor device has a semiconductor region (silicon region 20) connecting the pair of diffusion regions 5 between the gate groove 4 and element isolation region 3.例文帳に追加

チャネル幅方向Ｄにおいて、ゲート溝４と素子分離領域３との間に、一対の拡散領域５を繋ぐ半導体領域（シリコン領域２０）を有している。 - 特許庁

To provide a gas diffusion layer having a reduced cost, high conductivity, high gas permeability, and sufficient mechanical strength, in view of a problem in a conventional technology.例文帳に追加

従来の技術における問題点に鑑み、低コスト性、高導電性、高ガス透過性および十分な機械的強度を有するガス拡散層を提供する。 - 特許庁

To provide an electronic component device which prevents thermal diffusion when soldering, with a simple configuration, and at the same time, improves the high frequency characteristics of a high frequency device.例文帳に追加

簡易な構成で半田付け時の熱拡散を防止すると共に高周波デバイスの高周波特性を改善することが可能な電子部品装置を提供する。 - 特許庁

The position identification mark is formed in a convex-concave shape in the side face portion (side part) of a linear pattern 11 for substrate potential supply which is formed using a diffusion layer.例文帳に追加

本発明の位置識別マークは、拡散層で形成される直線状の基板電位供給用パターン１１の側面部（辺側）に、凹凸形状を設けて形成される。 - 特許庁

The solid-state imaging device has a floating diffusion region FD of the second conductivity type formed in a region isolated by the element isolation region 28 in the first semiconductor region.例文帳に追加

第１の半導体領域の素子分離領域２８で分離された領域内に形成された第２導電型のフローティングディフージョン領域ＦＤを有する。 - 特許庁

To provide a gas diffusion layer including a gas flow passage formed at one main surface thereof, which is capable of achieving further improvement in power generation performance.例文帳に追加

一方の主面にガス流路が形成されたガス拡散層において、発電性能の一層向上させることができるガス拡散層を提供することにある。 - 特許庁

To provide an image reader preventing an illuminance of a reading surface from being reduced, by suppressing bright spot non-uniformity and suppressing diffusion in a sub scanning direction to the minimum.例文帳に追加

輝点ムラを抑えるとともに、副走査方向の拡散を最小限に抑えて読取面の照度低下を防ぐことができる画像読取装置を提供する。 - 特許庁

Shapes of the respective photoelectric conversion portions 11 correspond to the color filters 17, 18 and 19 and differ depending on the high-concentration p-type layers constituting the isolating diffusion layers 10.例文帳に追加

各光電変換部１１の形状は、カラーフィルタ１７、１８及び１９と対応して、分離拡散層１０を構成する高濃度ｐ型層により異なる。 - 特許庁

To realize a coating line having variability in the positioning of vacuum pumps in a vacuum apparatus so as to deal with a turbopump, an oil diffusion pump or the like in which operational methods are different.例文帳に追加

真空装置においてターボポンプ、油拡散ポンプなど作動方法の異なるポンプに対応できるように真空ポンプの位置決め可変性のあるコーティングラインを実現する。 - 特許庁

The diffusion plate 13 performs as a hardware filter to interrupt the background of vehicle ahead, thereby treating load to determine the raindrop deposition is reduced in a control part 17.例文帳に追加

拡散板１３が車両前方の背景を遮断するハードウェアのフィルタとして機能することにより、制御部１７における雨滴付着判定の処理負荷が低くなる。 - 特許庁

The unit 20 for forming a cut-off line, the units 40A, 40B for forming a hot zone, and the unit 60 for forming a diffusion area are used as a plurality of lighting fixture units.例文帳に追加

その際、これら複数の灯具ユニットとして、カットオフライン形成用ユニット２０と、ホットゾーン形成用ユニット４０Ａ、４０Ｂと、拡散領域形成用ユニット６０とを用いる。 - 特許庁

Such a second transmission tuning body unit 30 is arranged between a first transmission tuning body unit 28 for inhibiting generation of brightness unevenness and a diffusion film 14.例文帳に追加

かかる第２透過率調整体ユニット３０を、輝度むらの発生を抑制するための第１透過率調整体ユニット２８と拡散フィルム１４との間に配置する。 - 特許庁

To provide a barrier layer very effective for preventing diffusion of water and/or oxygen which is easily and reliably manufactured in an integrated circuit device including a copper structure.例文帳に追加

銅構造を含む集積回路デバイス内に、容易かつ信頼性良く製造される水および／または酸素の拡散を防ぐのに非常に有効なバリア層を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a multilayer substrate for semiconductor devices excellent in thermal diffusion characteristics and heat dissipation characteristics without generating curvature and deformation, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

反り及び変形が発生せず、熱拡散性及び放熱性が優れた半導体装置用積層基板の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

On a p-type drain diffusion layer 21d, a gate lower layer 33 is formed at lower side ends on the sides of the first common gate 10G and a second gate 20G.例文帳に追加

また、ｐ型ドレイン拡散層２１ｄ上において、第１共有ゲート１０Ｇの第２共有ゲート２０Ｇ側の側端下部にはゲート下部層３３が形成されている。 - 特許庁

A 1poly type memory cell 10 has a pair of source-drain region 11, a floating gate electrode layer 13, and an impurity diffusion region 14 for control gate.例文帳に追加

１ｐｏｌｙ型メモリセル１０は、１対のソース／ドレイン領域１１と、フローティングゲート電極層１３と、コントロールゲート用不純物拡散領域１４とを有している。 - 特許庁

A rice bran diffusion barrier wall plate 70 for restricting a rice bran mixing range is provided between the rice bran falling port 62a of the cyclone 60 and the unpolished rice falling port 17a.例文帳に追加

サイクロン６０の糠落下口６２ａと玄米落とし口１７ａとの間には糠のまぶし範囲を限定するための糠拡散障壁板７０が設けられている。 - 特許庁

In a region 15C to form a pn-junction therein, a resist 9B is formed on a p-type diffusion region 8D into which B (boron) ions of a first dosing amount are implanted.例文帳に追加

ｐｎ接合が形成される領域１５Ｃにおいて、第１のドーズ量のＢ（ボロン）がイオン注入されたｐ型拡散領域８Ｄ上にレジスト９Ｂが形成される。 - 特許庁

To provide an automatic gain control circuit for a direct sequence diffusion spectrum receiver optimized for use of a signal capturing period and a signal tracking period.例文帳に追加

信号捕捉期間及び信号追跡期間の使用に最適化された、直接シーケンス拡散スペクトラム受信器用の自動利得制御回路及び方法の提供。 - 特許庁

Then, after a p^+-type diffusion layer is formed on the collector region, an SiGe or SiGeC layer 10 is grown only on the one-side wall of the collector region.例文帳に追加

次に、コレクタ領域上部にＰ^+型拡散層を形成した後、コレクタ領域の片側側壁部分にのみＳｉＧｅあるいはＳｉＧｅＣ層１０を成長させる。 - 特許庁

The sample formed with an insulation film 105 on a surface where upper faces of the diffusion area 103, a well area 102 and a silicon substrate 101 are exposed is prepared by working a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置を加工して拡散領域103 およびウエル領域102 およびシリコン基板101 の上面を露呈させた表面に絶縁膜105 を形成した試料を作成する。 - 特許庁

Source/drain diffusion layers S and D involve an epitaxial layer 21, for example, and are formed thick on the side part of the lower gate electrode member 14, while being insulated by an oxide film 20.例文帳に追加

ソース／ドレイン拡散層Ｓ，Ｄは例えばエピタキシャル層２１を伴い酸化膜２０で絶縁されつつ下部ゲート電極部材１４側部に厚く形成されている。 - 特許庁

The p-type well layer 4 and the n-type buffer layer 7 have overlapped diffusion regions and the end part of the n-type buffer layer 7 reaches a position under a gate electrode 10.例文帳に追加

ｐ型ウエル層４及びｎ型バッファ層７は互いの拡散領域が重なり、且つｎ型バッファ層７の端部はゲート電極１０の下方の位置に到達する。 - 特許庁