「diffusion of」に関連した英語例文の一覧と使い方(154ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a ZnO-based semiconductor device in which diffusion of Li contained in a ZnO-based substrate into a semiconductor layer formed on the substrate, is restrained.例文帳に追加

ＺｎＯ系基板中に含まれるＬｉの、基板上方に形成された半導体層中への拡散が抑制されたＺｎＯ系半導体装置を提供する。 - 特許庁

The heat treatment step controls heat treatment conditions to control a concentration and a diffusion speed of the impurity diffused from the silicon substrate to the epitaxial layer.例文帳に追加

熱処理工程では、熱処理条件を制御することによって、シリコン基板からエピタキシャル層に拡散される不純物の濃度や拡散速度を制御することができる。 - 特許庁

The SPE process can be conducted with or without diffusion of germanium into the underlying silicon 500, and so is applicable to SOI as well as conventional semiconductor substrates.例文帳に追加

ＳＰＥプロセスは、下地のシリコン５００中へのゲルマニウムの拡散を用いてまたは用いずに実際され得、従って、ＳＯＩ及び従来の半導体基板に適用可能である。 - 特許庁

To provide a diffusion plate for a transmission screen which has excellent light diffusibility without having a see-through phenomenon and can obtain bright videos (projected images) of high quality.例文帳に追加

シースルー現象がなく、優れた光拡散性を有するとともに、高品質の明るい映像（投影画像）の得られる透過型スクリーン用拡散板を提供する。 - 特許庁

Thus a heat diffusion is efficiently performed by performing not only the heat transfer of the heat pipes 1a and 1b in the longitudinal direction but also a heat transfer between the adjacent heat pipes 1 and 1b.例文帳に追加

ヒートパイプ１ａ，１ｂの長手方向の熱移動のみならず、隣接するヒートパイプ１ａ，１ｂ同士の間で熱移動を行うことにより効率的に熱拡散を行う。 - 特許庁

The composition for forming a p-type diffusion layer is composed to contain at least one kind of boron compound selected from a boron nitride and a boron carbide, and a dispersion medium.例文帳に追加

ｐ型拡散層形成組成物を窒化ホウ素及び炭化ホウ素から選ばれる少なくとも１種のホウ素化合物と、分散媒と、を含有して構成する。 - 特許庁

This protruding thickness T, which is separation distances L between the gas diffusion layers 45a, 45b and the electrode catalyst layers 47a, 47b, is set within a range of 7 to 29 μm.例文帳に追加

この突出厚みＴ、すなわち、ガス拡散層４５ａ、４５ｂと電極触媒層４７ａ、４７ｂとの離間距離Ｌは、７〜２９μｍの範囲内に設定される。 - 特許庁

To provide a backlight device having a support which effectively supports a diffusion plate even when space is limited without deteriorating display picture quality of a liquid crystal panel and so on.例文帳に追加

液晶パネル等の表示画像の質を低下させることなく、限られたスペースであっても拡散板を効果的に支持する支持体を有するバックライト装置を提供する。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor and its manufacturing method, in which a shallow surface diffusion region is formed on the surface of a HAD region on an N-type photodiode.例文帳に追加

Ｎ型のフォトダイオード上にあるＨＡＤ領域の表面に浅い表面拡散領域が形成されているＣＭＯＳイメージセンサー及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a light emitting device wherein the diffusion range of light emitted from each LED chip can be expanded without using a light diffusing material unlike the conventional device.例文帳に追加

従来のような光拡散材を用いることなく各ＬＥＤチップそれぞれから放射された放射光の拡散範囲を広げることができる発光装置を提供する。 - 特許庁

The top face of the light guide plate body 49 has a diffusion plate 37 placed, on which, two prism sheets 38a, 38b with prisms formed on the top face are superposed.例文帳に追加

導光板本体４９の上面には、拡散板３７が置かれ、その上には上面にプリズムが形成された２枚のプリズムシート３８ａ、３８ｂが重ねられている。 - 特許庁

In the bag film 5, the injection tube 9 injecting the resin is arranged on the upper surface of the resin diffusion net 4 while being supported by an approximately sheet-shaped saddle 10 for the injection tube.例文帳に追加

バッグフィルム５内には樹脂を注入する注入管９を、樹脂拡散ネット４の上面に略平板状の注入管用サドル１０に支持させて配設する。 - 特許庁

To enable a source region, a drain region, and other impurity diffusion regions to be reduced in resistance by applying a quick means in a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、簡単な手段を適用することで、ソース領域、ドレイン領域、その他不純物拡散領域の抵抗値を低減させようとする。 - 特許庁

The method and device include the cushioning plate 170 formed with an orifice array for generating a jet flow of fuel colliding on the diffusion tip or purge air.例文帳に追加

本方法及び装置は、拡散先端上に衝突する燃料又はパージ空気の噴流を生成するオリフィス配列が形成された緩衝板（１７０）を含む。 - 特許庁

The first semiconductor element 701 functions as the heat diffusion board of heat generated from the second semiconductor element 702 as loss, and it transmits heat to the wiring board 1.例文帳に追加

第1の半導体素子７０１は第2の半導体素子７０２から損失として発生した熱の熱拡散板として機能するようにし、配線基板１に熱を伝える。 - 特許庁

To improve a joining strength between layers, relating to a membrane electrode assembly, in which a catalyst layer and a gas diffusion layer are jointed to both surfaces of an electrolyte membrane, respectively.例文帳に追加

電解質膜の両面にそれぞれ触媒層とガス拡散層とを接合してなる膜電極接合体において、各層間の接合力を向上させる。 - 特許庁

With this structure, the liquid fuel can be quickly and evenly diffused without generating the hindrance of the diffusion by the bubble due to the carbon dioxide.例文帳に追加

このため、液体燃料は、二酸化炭素による気泡によってその拡散が妨げられることがなく、燃料極２Ａに速やかに且つ均一的に拡散される。 - 特許庁

To easily, quickly and stably detect an inclination of a beam quantitatively, and to allow applicatable even to diffusion beam.例文帳に追加

容易、かつ、迅速に、安定して定量的に光束の傾きの検出が行え、また、拡散光束にも適用することができる光束の傾きの検出装置を提供する。 - 特許庁

In the transmission screen using the Fresnel lens sheet as an incident-side sheet, a lenticular lens sheet 4 having a diffusion section is superposed on the emission-side face of the base material section.例文帳に追加

このフレネルレンズシートを入射側シートとして用いる透過型スクリーンでは、基材部3の出射側の面上に、拡散部を備えるレンチキュラーレンズシート4が重ね合わせられる。 - 特許庁

Thus, the lenticular sheet 13 continuously changes the horizontal diffusion angle θt of incident light after entering from a lenticular sheet 12 in the vertical direction (Z-direction).例文帳に追加

これにより、レンチキュラーシート１３は、レンチキュラーシート１２から入射した入射光の水平拡散角θｔを垂直方向（Ｚ方向）に連続的に変化させる。 - 特許庁

The spread unit 2 generates diffusion signal, for which spread processing is applied to the atransmitting baseband signal of the communication based on the second transmission start signal, and start the communication.例文帳に追加

拡散部２は、第２送信開始信号に基づいて、その通信の送信ベースバンド信号に拡散処理を行った拡散信号を生成し、通信を開始する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an MIPS gate structure and prevented in diffusion of silicon from a polycrystalline silicon layer to a metal layer without forming a notch shape on the metal layer.例文帳に追加

金属層にノッチ形状が形成されず、多結晶シリコン層から金属層へのシリコンの拡散を防止したＭＩＰＳゲート構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To constitute a light-emitting diode in a structure with the electrodes not being peeled off a transparent conductive film which is used as a current diffusion film at manufacturing of the diode.例文帳に追加

電流分散膜として透明導電膜を用いた発光ダイオードを製造する際に、透明導電膜からの電極剥がれを起こさない構造とする。 - 特許庁

To provide a one-pack aqueous adhesive composition that is excellent in workability, adhesive properties and water resistance and is suppressed in diffusion of ammonia, acetic acid and 13 VOC substances.例文帳に追加

作業性、接着性および耐水性に優れ、アンモニア、酢酸およびＶＯＣ１３物質の放散が抑制された１液型水系接着剤組成物の提供。 - 特許庁

To practically, simply and accurately control a diffusion combustion rate at a low load and a premixed combustion rate at a medium/high load respectively according to the quality of fuel.例文帳に追加

実用的かつ簡便で精度良く、燃料の質に応じて低負荷時における拡散燃焼割合、中・高負荷時における予混合燃焼割合をそれぞれ制御する。 - 特許庁

To provide a power semiconductor device where depth of impurity diffusion in an anode electrode region can be made shallow so as to reduce recovery loss.例文帳に追加

リカバリー損失の低減を図るべく、アノード電極領域の不純物拡散深さを浅くすることができる電力用半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the mist apparatus, the nozzles are arranged in the vertical direction, and the nozzles arranged above have diffusion angles smaller than that of the nozzles arranged below.例文帳に追加

また、前記のミスト装置において、ノズルが垂直方向に配列され、上方に配置したノズルが、下方に配置したノズルよりも拡散角度の狭いミスト装置である。 - 特許庁

Further, the width of a superimposed diffusion layer 1121 for the source and drain region 112 is made larger than a distance between the gate electrode 103 and the element isolation region 109.例文帳に追加

また、ソース、ドレイン領域１１２の積み上げ拡散層１１２１の幅がゲート電極１０３と素子分離領域１０９との間の距離よりも大きくなるようにしている。 - 特許庁

To provide a preprocessing method for selectively forming a diffusion layer on the surface of a substrate while preventing a smear or a spread on a pattern after application using an inkjet system.例文帳に追加

インクジェット方式を用いて、塗布後のパターンが滲む又は広がることなく基板の表面に選択的に拡散層を形成するための前処理方法を提供すること。 - 特許庁

The film of AlTiN is formed on the base layer 3 by the sputtering method utilizing a mixed gas formed by adding N2 gas to Ar gas to form a heat diffusion layer 4.例文帳に追加

ＡｒガスにＮ_2 ガスを添加した混合ガスを用いたスパッタリング法により、下地層３上にＡｌＴｉＮを成膜することによって熱拡散層４を形成する。 - 特許庁

A resist is applied on a silicon substrate 10, ions are implanted into a source region 18 and a drain region 22, and a gate region 20 is formed by diffusion of ions through thermal treatment.例文帳に追加

シリコン基板１０上にレジストを塗布してソース領域１８、ドレイン領域２２にイオン注入し熱処理によりイオン拡散してゲート領域２０を形成する。 - 特許庁

A field effect transistor is provided with a gate insulating film 2 formed on a semiconductor substrate 1, a gate electrode 3, and a pair of source/drain diffusion regions 13a and 13b.例文帳に追加

半導体基板１上にゲート絶縁膜２と、ゲート電極３と、一対のソース／ドレイン拡散領域１３ａ，１３ｂとを有する電界効果トランジスタを備える。 - 特許庁

Respective gas diffusion layers 8 and 9 have intermediate layers 12 and 15 overlapped on the catalyst layers 6 and 7, and outside layers 13 and 16 overlapped on the outside of the intermediate layers 12 and 15.例文帳に追加

各ガス拡散層８，９は、触媒層６，７に重ねられた中間層１２，１５と、中間層１２，１５の外側に重ねられた外部層１３，１６とを有している。 - 特許庁

Gate electrodes 5A-5F have the same shapes and projections of the electrodes 5A-5F are extended to substrate contacting diffusion regions beyond an element separating region.例文帳に追加

ゲート電極５Ａ〜５Ｆを同一形状であり、ゲート電極５Ａ〜５Ｆの突き出し部は、素子分離領域を越えて基板コンタクト用の拡散領域上まで延びている。 - 特許庁

The first conductive layer 21 contains metal particles 22A and a metal deactivator for suppressing diffusion of a metal and metal ions contained in the first conductive layer 21.例文帳に追加

第１導電層２１は、金属粒子２２Ａと、第１導電層２１に含まれる金属および金属イオンの拡散を抑制する金属不活性剤とを含む。 - 特許庁

A membrane-electrode assembly 110 is provided with the cathode-side catalyst layer 114c and the cathode-side gas diffusion layer 116c on one face of an electrolyte membrane 112 as a cathode.例文帳に追加

膜電極接合１１０は、カソードとして、電解質膜１１２の一方の面に、カソード側触媒層１１４ｃと、カソード側ガス拡散層１１６ｃとを備える。 - 特許庁

Besides, since a dielectric film 22 is passivated by nitrogen materials before forming an upper electrode 21, the mutual diffusion of the electrode and the dielectric is prevented.例文帳に追加

また誘電体膜２２は、上部電極２１が形成される前に窒素材料でパッシベートされることにより、電極と誘電体との相互拡散が防止される。 - 特許庁

This parting agent for heat treatment is interposed and coated in the case of executing the heat treatment for, e.g. brazing, diffusion bonding, sintering, to pure titanium, titanium alloy and other active metals.例文帳に追加

この熱処理用の離型剤は、チタン，チタン合金，その他の活性金属を、例えばろう付け，拡散接合，焼結等の熱処理する際に、介装，塗布される。 - 特許庁

Ions are implanted with conductor layer patterns 114b as a mask to form an embedded type impurity diffusion layer 120 near the surface of the semiconductor substrate between the patterns 114b.例文帳に追加

導電層パターン１１４ｂをマスクとしてイオン打ち込みを行い、これらの間の半導体基板の表面近傍に埋め込み型不純物拡散領域１２０を形成する。 - 特許庁

To provide a method for preventing water from being polluted by scattering and diffusion of dioxins from dioxins-containing bottom sediment in harbors, rivers, and lakes, and a covering material for the prevention.例文帳に追加

本発明は、港湾や河川、湖沼のダイオキシン類を含有する底質からの、ダイオキシン類の飛散や拡散による水質汚染を防止することを目的とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the diffusion layer comprises a process for impregnating the porous body with liquid containing the nonionic polymer and an ionic monomer, and a process for polymerizing the ionic monomer.例文帳に追加

拡散層の製造方法は、非イオン性高分子と、イオン性モノマーを含有する液体を多孔質体に含浸させる工程と、イオン性モノマーを重合する工程を有する。 - 特許庁

Two diodes constituting a bridge rectification circuit are formed in each of two regions, and each diode is separated from surroundings by a p-type separation diffusion region.例文帳に追加

２つの領域には、ブリッジ整流回路を構成するダイオードが２つずつ形成されており、各ダイオードは、Ｐ型の分離拡散領域によって、周囲から分離されている。 - 特許庁

Phosphorus glass (PSG film) 2 containing phosphorus (P) is formed on an Si semiconductor substrate 1, and the formation of an emitter by diffusion is finished for a transistor to be formed on a bipolar IC.例文帳に追加

Ｓｉ半導体基板１の上に、リン（Ｐ）を含んでいるリンガラス（ＰＳＧ膜）２を形成し、バイポーラＩＣ上に形成すべきトランジスタのエミッタ拡散を終了する。 - 特許庁

A magnetic resistance part 50 is formed by filling an annular hollow part 25 of a magnetic member 23a having a diffusion prevention layer 51 formed thereon, with nonmagnetic powder, and sintering it.例文帳に追加

拡散防止層５１が形成された磁性部材２３ａの環状凹部２５内に非磁性の粉末を充填して焼結することにより磁気抵抗部５０を形成する。 - 特許庁

The photosynthesis-promoting film is a white foam resin film having a closed cell structure and promotes photosynthesis of plants by high diffusion and diffused reflection to visible light.例文帳に追加

独立気泡構造を有する白色の発泡樹脂フィルムであって、可視光に対する高い拡散乱反射により植物の光合成を促進するようにした。 - 特許庁