「diffusion of」に関連した英語例文の一覧と使い方(164ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a prism sheet improved in optical characteristics such as light diffusion property, refractivity and scattering property and specifically usable for a retroreflection sheet usable for a traffic sign, a construction sign, or the like, and for a light guide plate and a diffusion plate used for a backlight of a liquid crystal display device.例文帳に追加

光拡散性、屈折性、散乱性などの光学特性の改善にあり、具体的な用途としては、交通標識や工事標識等に用いることのできる再帰反射シートおよび液晶表示装置のバックライトに用いる導光板、拡散板に用いることのできるプリズムシートを提供する。 - 特許庁

Since a plurality of through holes are formed on the diffusion layer 201 and the filling material having heat insulating and hydrophilic performance is filled in each through hole, the reaction product (mainly generated water) generated in the diffusion layer 201 is moved and discharged toward the air passage side by capillary action and wettability.例文帳に追加

前記拡散層２０１に複数の貫通孔が形成され、該各貫通孔に、断熱性及び親水性を有する充填材が充填されるので、拡散層２０１内で生成された反応生成物（主に生成水）は、毛管現象及び濡れ性によって空気供給路側に向けて移動させられ、排出される。 - 特許庁

A reference voltage Vr divided by a resistance R1 (diffusion resistor) with a positive resistance value variation characteristic to a variation in ambient temperature and a resistance R2 (diffusion resistor) with a larger positive resistance value variation characteristic to the variation of ambient temperature than the resistance R1 is positive relative to a variation in ambient temperature.例文帳に追加

周囲温度の変化に対する抵抗値の変化の特性が正特性である抵抗Ｒ１（拡散抵抗）と、抵抗Ｒ１よりも周囲温度の変化に対する抵抗値の変化が大きな正特性を有する抵抗Ｒ２（拡散抵抗）とによって分圧された基準電圧Ｖｒは、周囲温度の変化に対して正特性となる。 - 特許庁

Consequently, a thermal diffusion into a backing-layer region containing the active layer 5 having a multiple quantum well structure progresses when the clad layer 12 is grown in Zn doped as an acceptor during the growth of the clad layer 12 but the thermal diffusion is inhibited largely by Si doped to the diffraction grating layer 8.例文帳に追加

このため、ｐ導電型のクラッド層１２の成長中にアクセプタとしてドーピングされたＺｎは、クラッド層１２の成長時に多重量子井戸構造の活性層５を含む下地層領域への熱拡散が進行するが、回折格子層８にドーピングされたＳｉによってその熱拡散が大幅に抑制される。 - 特許庁

This capacitive element is provided with a diffusion preventing layer 10a, a capacitive lower electrode 12 formed on the diffusion preventing layer 10a, a capacitive film 13 constituted of a ferroelectric having a bismuth layer-shaped structure formed on the capacitive lower electrode 12, and a capacitive upper electrode 14 formed on the capacitive film 13.例文帳に追加

容量素子は、拡散防止層１０ａと、拡散防止層１０ａの上に形成された容量下部電極１２と、容量下部電極１２の上に形成されたビスマス層状構造を有する強誘電体よりなる容量膜１３と、容量膜１３の上に形成された容量上部電極１４とを備える。 - 特許庁

When erasing information in the non-volatile semiconductor memory device, the semiconductor substrate 1 is made to be in a floating state, and a voltage having a first polarity is applied to the first diffusion region 2 or the second diffusion region 3, and a pulsing voltage having a second polarity which is the opposite polarity of the first polarity is applied to the gate electrode 7.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置の消去時は、半導体基板１をフローティングの状態とし、第１の拡散領域２または第２の拡散領域３に第１の極性を持つ電圧を印加し、ゲート電極７に第１の極性とは逆の極性である第２の極性を持つパルス状の電圧を印加する。 - 特許庁

The screen 500 can select, independently in respective portions of the display surface 500a, a light transmission state in which the light is transmitted and a light diffusion state in which the light is diffused, and is configured so that the portion where address light is radiated becomes to be the light diffusion state and the portion where the address light is not radiated becomes to be the light transmission state.例文帳に追加

スクリーン５００は、表示面５００ａの各部位にて独立して、光を透過する光透過状態と光を拡散する光拡散状態とを選択でき、アドレス光が照射された部位が光拡散状態となり、アドレス光が照射されない部位が光透過状態となるように構成されている。 - 特許庁

The semiconductor device has silicon substrates (N-type well 8 and P-type well 9), on which a trench 2 is formed and impurity regions (N-type well contact diffusion layer region 4 and P-type well contact diffusion layer region 6) that are conductive, similar to the well and is formed so as to be more heavily concentrated across the area, from the side surface of the trench 2 to the silicon substrate surface.例文帳に追加

半導体装置は、トレンチ２が形成されたシリコン基板（Ｎウェル８、Ｐウェル９）と、トレンチ２の側面からシリコン基板表面にかけて、ウェルと同じ導電型で、当該ウェルより高濃度で形成された不純物領域（Ｎ型ウェルコンタクト拡散層領域４、Ｐ型ウェルコンタクト拡散層領域６）と、を備える。 - 特許庁

In the electrode structure composed of a polymer electrolyte membrane, and an anode and a cathode having a catalyst layer and a diffusion layer, ruthenium is dispersedly distributed on a boundary surface between an anode catalyst layer and the anode diffusion layer and/or on a boundary surface between the polymer electrolyte membrane and the anode catalyst layer.例文帳に追加

高分子電解質膜、触媒層および拡散層を有するアノードおよびカソードからなる固体高分子型燃料電池用電極構造体において、アノード触媒層とアノード拡散層との界面、または／および、高分子電解質膜とアノード触媒層との界面に、ルテニウムを分散配置する。 - 特許庁

The process steps from forming the diffusion-barrier base film to forming the first copper film are performed continuously in vacuum without exposing the semiconductor substrate to the atmospheric air, and during the process steps, the diffusion barrier base film is heated after the vacuum condition is reached to a vacuum level of 1 × 10^-4 Pa or lower.例文帳に追加

拡散バリア用下地膜の形成から前記第１の銅膜形成までの工程が、前記半導体基板を大気に晒すことなく真空一貫の状態で行われると供に、当該工程の間に、到達真空度で１×１０^-4Ｐａ以下の真空状態にしてから前記拡散バリア用下地膜が加熱される。 - 特許庁

The photodiode unit PD includes a light reception portion 11 comprising an N conductivity type diffusion layer for accumulating signal charges obtained by photoelectrically converting incident light, and an accumulation layer 12 comprising a diffusion layer region (P-layer) of low impurity concentration having, for example, a P conductivity type for suppressing a dark current.例文帳に追加

フォトダイオード部ＰＤは、入射光を光電変換して得た信号電荷を蓄積するためのＮ導電型の拡散層からなる受光部１１と、暗電流を抑制するための、たとえばＰ導電型を有する低不純物濃度の拡散層領域（Ｐ−層）からなるアキューミュレーション層１２と、を有して構成されている。 - 特許庁

Thereafter, titanium silicide layers 9a, 9b, and 9c are respectively formed on the surfaces of the gate electrode 3 and P^+ type diffusion layers 6a and 6b by partially silicifying the titanium layer 8 which is in contact with the gate electrode 3 and diffusion layers 6a and 6b by performing heat treatment as shown in Fig (b).例文帳に追加

その後、図３（ｂ）に示すように熱処理を行うことにより、ゲート電極８及びＰ＋型拡散層６ａ，６ｂと接触したチタン層８が部分的にシリサイド化され、ゲート電極３上の表面にチタンシリサイド層９ａ、Ｐ＋型拡散層６ａ，６ｂの表面にそれぞれチタンシリサイド層９ｂ，９ｃが形成される。 - 特許庁

The deodorizing apparatus 1 includes a deodorizing layer 4 containing a deodorizing and cleaning medium (M) containing microorganisms decomposing malodor substances, and a diffusion layer 3 supporting the deodorizing layer 4 thereon and diffusing the treating object gas, the diffusion layer 3 is composed of a three-dimensional gas-flowable net-like structure 2.例文帳に追加

本発明にかかる脱臭装置１は、臭気物質を分解する微生物を含む脱臭浄化媒体（Ｍ）を含む脱臭層４と、脱臭層４を下方から支持するとともに被処理ガスを拡散可能とする拡散層３とを備え、この拡散層３は、ガス流通可能な立体網状構造体２からなる。 - 特許庁

This air diffuser is provided with the air diffusion membranes on its surface, a cylindrical air dispersion cylinder generation bubbles from the inside, blades attached to the air dispersion cylinder and rotated by up-flowing water stream generated by bubbles released from the air diffuser, and washing brushes sliding on the surfaces of the air diffusion membranes.例文帳に追加

散気膜を表面に備え、内部より気泡を発生する円筒型散気筒を有する散気装置において、円筒型散気筒に付設され、散気装置より放出される気泡によって生ずる上昇水流により回動する羽根と、この羽根の回動によって散気膜の表面を摺動する洗浄ブラシを備えるようにした。 - 特許庁

An optical functional member 402 and a light diffusion layer 401 stuck by an adhesive or a binder 403 are supported by pressing in a lamination direction by a supporting member 404 to suppress the camber due to thermal expansion in the optical sheet 40 constituted of the optical functional member 402 and the light diffusion layer 401.例文帳に追加

接着剤もしくは粘着剤４０３により貼り合わされた光学機能部材４０２と光拡散層４０１を支持部材４０４により積層方向に押圧支持してこれら光学機能部材４０２と光拡散層４０１からなる光学シート４０の熱膨張による反りを抑制するように構成した。 - 特許庁

Further, the semiconductor substrate 1 contains a conductive source region 14 which is located on an opposite side of the contacts 11, 12 with respect to the word line 4 and extends in the first direction, and an embedded diffusion layer 15 which extends in a second direction perpendicular to the first direction from the source region 14 to be connected with the source diffusion layer 13.例文帳に追加

半導体基板１は，更に，ワード線４に対して上記コンタクト１１，１２の反対側に位置し，且つ，第１方向に延伸する導電性のソース領域１４と，ソース領域１４から第１方向と垂直な第２方向に延伸してソース拡散層１３に接続する埋め込み拡散層１５とを含む。 - 特許庁

A frequency diffusion control section 24 repeatedly switches a carrier frequency fc to five stages to disperse a frequency component of switching noise accompanied with PWM control; however, during a period with a low duty ratio, such as a start period and a period before stop, stops frequency diffusion control and controls the carrier frequency fc to be constant.例文帳に追加

周波数拡散制御部２４は、キャリア周波数ｆｃを５段階に繰り返し切り替えて、ＰＷＭ制御に伴うスイッチングノイズの周波数成分を分散化するが、起動期間および停止前期間のようにデューティ比が小さい期間で周波数拡散制御を停止し、キャリア周波数ｆｃを一定に制御する。 - 特許庁

The isolation region 30 between the analog circuit region 10 and the digital circuit region 20 is constituted so as to comprise heavily doped P^+ type impurity regions 4 and an N type diffusion layer 2, which is formed so as to be apart from the impurity regions 4 and have portions of a P^- type substrate region 1 between the diffusion layer and the impurity regions.例文帳に追加

アナログ回路領域１０とデジタル回路領域２０との間の分離領域３０は、高不純物濃度のＰ^+ 型の不純物領域４と、不純物領域４から離間して間にＰ^- 型基板領域１の部分を有して形成されたＮ型の拡散層２とを具備して構成されている。 - 特許庁

The light diffusion film contains light diffusion elements or air bubbles in the film, wherein the minimum variable angle θ_60min at incident angle 60° is 12° or more, the maximum variable angle θ_60max at incident angle 60° is 108° or less and the total thickness of the film is 10 μm to 1,000 μm.例文帳に追加

本発明の光拡散フィルムは、フィルム内部に光拡散素子あるいは気泡を含有するフィルムであって、入射角度６０°での最小変角度（θ_６０min）が１２°以上及び最大変角度（θ_６０max）が１０８°以下、並びに、フィルムの総厚みが１０μｍ〜１０００μｍであることを特徴とするものである。 - 特許庁

The cell 2 of the fuel cell has the MEA comprising an anode having an anode catalyst layer 5 and an anode gas diffusion layer 6, a cathode having a cathode catalyst layer 7 and a cathode gas diffusion layer 8, and a proton conductive electrolyte membrane 9 interposed between the anode catalyst layer 5 and the cathode catalyst layer 7.例文帳に追加

燃料電池セル２は、アノード触媒層５とアノードガス拡散層６とを有するアノードと、カソード触媒層７とカソードガス拡散層８とを有するカソード、およびアノード触媒層５とカソード触媒層７とで挟持されたプロトン伝導性の電解質膜９とから構成されるＭＥＡを有している。 - 特許庁

In the electrolyte membrane electrode assembly for a polyelectrolyte fuel cell which is equipped with a gas diffusion layer, a catalyst layer, and a polyelectrolyte membrane, a carbon layer constructed of carbon powder and a binder containing a fluorine based elastic copolymer is provided between the gas diffusion layer and the catalyst layer.例文帳に追加

ガス拡散層、触媒層および高分子電解質膜とを具備する高分子電解質型燃料電池用電解質膜電極接合体において、前記ガス拡散層と前記触媒層との間に、カーボン粉末と、フッ素系弾性共重合体を含む結着剤とで構成されたカーボン層を設ける。 - 特許庁

Thus, since a processing result can be obtained approximately similarly to the case of continuously applying error diffusion processing to the entire source image, when the divided regions are composed after error diffusion processing, stripes or the like which deteriorate the image quality, do not occur in its joint portion, so that a high-quality image can be obtained.例文帳に追加

これによって、原画像全体に対して連続して誤差拡散処理を行った場合とほぼ同様な処理結果を得ることができるため、誤差拡散処理後に分割領域を合成した際にその継ぎ目部分に画質を劣化させるスジ等が発生することがなくなり、高品質な画像を得ることができる。 - 特許庁

To provide a light-diffusing polymer gel and a light diffusion sheet capable of using for a curved part and easily being adhered to a member without applying special working to impart light-diffusing properties so that a light diffusion function may be easily given and at the same time, flexibility and adhesiveness are imparted.例文帳に追加

光拡散機能を容易に付与できると同時に柔軟性と粘着性を併せて付与出来るために、光拡散性付与に対しての特別な加工を施す必要がなく、また曲面部への使用、部材への容易な粘着が可能である光拡散性高分子ゲルおよび光拡散シートを提供することにある。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which diffusion of impurity ions into an organic function layer can be prevented without elevating the drive voltage and deterioration in emission efficiency or reliability due to such diffusion can be eliminated, and to provide a light emitting device, a process for fabricating a semiconductor device, and a process for fabricating a light emitting device.例文帳に追加

駆動電圧を高めることなく、有機機能層内への不純物イオンの拡散を防止でき、かかる拡散に起因する発光効率の低下や信頼性の低下を解消可能な半導体装置、発光装置、半導体装置の製造方法、および発光装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Concretely, first, a grindstone wheel 2 and a mold 1 are relatively moved so that the grindstone wheel 2 is reciprocated in the direction crossing the diffusion direction of light almost at a right angle in the state that the grindstone wheel 2 is brought into contact with the mold 1 to form a fine uneven surface for forming the uniaxial diffusion surface.例文帳に追加

具体的には、まず、金型１に砥石車２を接触させた状態で光の拡散方向に対してほぼ直交する方向に砥石車２が往復するように砥石車２と金型１を相対的に移動させることにより一軸拡散面を形成するための微小凹凸面を形成する。 - 特許庁

The fuel cell is provided with a power generating body including an electrolyte layer and an electrode layer, a diffusion layer equipped with a flow channel for passing gas through used for power generation and supplying gas to the power generating body, a separator supplying gas to the diffusion layer, and a sealing part formed along an end face of the power generating body.例文帳に追加

燃料電池は、電解質層と電極層とを含む発電体と、発電に用いられるガスを流通させるための流路を内部に有し、発電体にガスを供給する拡散層と、拡散層にガスを供給するセパレータと、発電体の端面に沿って形成されたシール部と、を備える。 - 特許庁

The reflective screen is formed by laminating a surface diffusion layer 1, a transparent tacky adhesive layer 2, and the aluminum foil reflection layer 5, wherein a diffusion material is added to the transparent tacky adhesive layer 2 and the transparent layer 3 of a prescribed thickness is disposed between the transparent tacky adhesive layer 2 and the aluminum foil reflection layer 5.例文帳に追加

表面拡散層１、透明粘着剤層２及びアルミ箔反射層５を積層してなる反射型スクリーンであって、前記透明粘着剤層２には拡散材が添加され、この透明粘着剤層２とアルミ箔反射層５との間には所定厚の透明層３が設けられているものである。 - 特許庁

The semiconductor device further comprises: a second-conductivity-type high-concentration impurity region 111 in the impurity region 104 between the adjacent trenches; and a diffusion suppressing element (for example, carbon) doped region 106 that includes the high-concentration impurity region 111 and prevents the diffusion of a second-conductivity-type impurity.例文帳に追加

さらに隣接するトレンチ間における不純物領域１０４中に、第２導電型高濃度不純物領域１１１と、高濃度不純物領域１１１を包含すると共に第２導電型不純物の拡散を抑制する拡散抑制元素（例えば炭素）ドープ領域１０６とが形成されている。 - 特許庁

The receiving/diffusing member is provided with a diffusion channel 40 obtained by laminating a ground film 38 and a liquid repellent film 39 on the inner walls 37a of a diffusion pore 37 and with a liquid repellent property by imparting a long-chain polymer group 39b having a fluorine atom as a liquid repellent group 39a to the liquid repellent film 39.例文帳に追加

そしてその受容拡散部材は、拡散細孔３７の内壁３７ａに下地膜３８と撥液膜３９とを積層した拡散流路４０を備え、さらにその撥液膜３９に撥液基３９ａとしてフッ素原子を有する長鎖高分子基３９ｂを付与して撥液性を備えるようにした。 - 特許庁

By connecting a gas introduction parts 4 and a gas diffusion parts 6 to the reinforcement rib 3 prepared for breakage prevention of the dielectric top board 2, a structure is constituted that gas is made to distribute uniformly on a substrate 9 in a vacuum processing room 8 from a gas blow-off hole 7 arranged in the gas diffusion parts 6.例文帳に追加

誘電体天板２の破損防止のために設けた補強リブ３にガス導入部品４およびガス拡散のための部品６を接続することで、ガス拡散のための部品６に設けたガス吹き出し穴７から真空処理室８内の基板９上にガスを均一に分布できる構造とした。 - 特許庁

In the electrode structure composed of a polymer electrolyte membrane, and an anode and a cathode having a catalyst layer and a diffusion layer, the anode side diffusion layer has a CO decomposition reaction layer, and the pressure difference measured by a pressure difference measuring method is not less than 60 mmaq and not more than 120 mmaq.例文帳に追加

高分子電解質膜、触媒層と拡散層を有するアノードおよびカソードからなる固体高分子型燃料電池用電極構造体であって、アノード側の拡散層は、一酸化炭素分解反応層を備え、かつ、差圧測定法により測定された差圧が６０ｍｍａｑ以上１２０ｍｍａｑ以下である。 - 特許庁

The horizontal prism sheet 2 and the vertical prism sheet 3 have linear Fresnel lens areas 2a, 2c, 3a, and 3c, and prism areas 2b and 3b whose cross sections are isosceles triangle shapes, and because the video light is vertically emitted to the diffusion plate 1, the diffused light diffused by the diffusion plate 1 becomes equal irrespective of the position on the screen.例文帳に追加

水平プリズムシート２と、垂直プリズムシート３とは、リニアフレネルレンズ領域２ａ，２ｃ，３ａ，３ｃと、断面が二等辺三角形形状のプリズム領域２ｂ，３ｂを有し、映像光を拡散板１に対して垂直に射出するので、拡散板１により拡散する拡散光は、スクリーン上の位置によらず等しくなる。 - 特許庁

Light emitted from a light-emitting area A of the group III nitride compound semiconductor light-emitting element 201, which is a primary light source, is directly discharged upwards through the sealing resin 5c into which a light diffusion material is dispersed and is also diffused by the light diffusion material dispersed into the sealing resin 5c.例文帳に追加

一次光源であるIII族窒化物系化合物半導体発光素子２０１の発光領域Ａから発せられた光は、光拡散材料が分散された封止樹脂５ｃを透過して直接上方に放出される他、封止樹脂５ｃに分散された光拡散材料により拡散される。 - 特許庁

A titanium film 10 is formed on an interlayer insulating film 3, where a contact hole 6 and an interconnection trench 9 are formed and on an impurity diffusion layer 2 exposed from the contact hole 2, then a titanium silicide film 11 is formed at the bottom of the contact hole 6 by causing a reaction between the titanium film 10 and the impurity diffusion layer 2.例文帳に追加

コンタクトホール６と配線溝９とが形成された層間絶縁膜３上、及びコンタクトホール６から露出した不純物拡散層２上に、チタン膜１０を形成し、このチタン膜１０と不純物拡散層２とを反応させ、コンタクトホール６の底に、チタンシリサイド層１１を形成する。 - 特許庁

It is desirable to construct the thermal diffusion layer 11 by a super hard material having at least a higher heat conductivity than the metal material forming the base plate, or by a thermal diffusion material containing a super hard material of a granular shape or powder shape having at least a higher heat conductivity than the metal material forming the base plate.例文帳に追加

熱拡散層１１は、少なくとも基台を形成する金属材料よりも熱伝導率の高い超硬材料か、または少なくとも基台を形成する金属材料よりも熱伝導率の高い粒状または粉状の超硬材料を含む熱拡散材料で構成することが好ましい。 - 特許庁

A fuel absorber 100 for internal diffusion is wound together with a strip heating element consisting of a flat sheet and a corrugated sheet to form a heater 31 for vaporization and with the fuel absorber 100 for internal diffusion brought into contact with a fuel absorbing substance 29b for a bottom, a liquid fuel vaporizing device 7 is constituted.例文帳に追加

平板と波板とからなる帯状発熱体とともに内部拡散用燃料吸収体１００を巻き込んで蒸発用ヒータ３１を形成し、その内部拡散用燃料吸収体１００を底用燃料吸収体２９ｂに当接した状態で液体燃料気化装置７を構成した。 - 特許庁

The photoresist composition for extreme ultraviolet light and/or electron beam includes a cyclic compound represented by a general formula (1), a photoacid generator, an acid diffusion inhibitor, and a solvent, wherein the photoacid generator and acid diffusion inhibitor are each contained in the amount of 0-40 wt.% in the composition except the solvent.例文帳に追加

下記一般式（１）で示される環状化合物と、少なくとも光酸発生剤、酸拡散抑制剤及び溶剤を含み、前記光酸発生剤及び酸拡散抑制剤がそれぞれ溶剤を除く組成物中０〜４０重量％含まれる極端紫外光用及び／又は電子線用フォトレジスト組成物。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor element includes: a step for forming a diffusion prevention film in a laminated structure including at least a first metal film 22A and a metal silicide film 22C containing nitrogen on a first conductive layer 21; and a step for forming a second conductive layer 23 on the diffusion prevention film.例文帳に追加

本発明に係る半導体素子の製造方法は、第１導電層（２１）上に、少なくとも第１金属膜（２２Ａ）および窒素含有の金属シリサイド膜（２２Ｃ）を含む積層構造で拡散防止膜を形成するステップと、該拡散防止膜上に第２導電層（２３）を形成するステップとを含む。 - 特許庁

The diode element comprises a P type silicon layer 3 formed at a part positioned in an underlayer of the partial separation insulating film 4 in the active region 30, and a P type diffusion layer 5 and an N type diffusion layer 6 formed to reach the buried insulating film 2 while sandwiching the partial separation insulating film 4 and the P type silicon layer 3.例文帳に追加

ダイオード素子は、活性領域３０における部分分離絶縁膜４の下層に位置する部分に形成されるＰ型シリコン層３と、埋込み絶縁膜２に達し、部分分離絶縁膜４およびＰ型シリコン層３を挟むように形成された、Ｐ型拡散層５およびＮ型拡散層６とを有する。 - 特許庁

Alternatively, the discharge equipment for water water comprises: a disinfectant injecting means; a bubble diffusing means located on the down stream to the disinfectant injection port in the disinfectant injecting means and diffusing bubbles; and a stirring/diffusion promoting means promoting the stirring and diffusion of a disinfectant injected by the disinfectant injecting means.例文帳に追加

または、消毒剤注入手段と、該消毒剤注入手段の消毒剤注入口より下流に位置し、気泡を散気する気泡散気手段と、前記消毒剤注入手段により注入された消毒剤の撹拌、拡散を促進する撹拌・拡散促進手段とを有することを特徴とする排水の放流設備。 - 特許庁

To prevent the threshold voltage of an E-FET from becoming substandard while sharing a gate diffusion process determining the threshold voltage in a semiconductor device where a D-FET and an E-FET, each having a channel layer, are provided on one semiconductor substrate and each channel layer is provided with a gate diffusion layer.例文帳に追加

同一の半導体基板上に、それぞれチャネル層を有するＤ−ＦＥＴとＥ−ＦＥＴとが設けられ、前記各チャネル層にゲート拡散層が設けられた半導体装置において、閾値電圧を決定するゲート拡散工程を共有しながら、Ｅ−ＦＥＴの閾値電圧が規格外になってしまうことを防止すること。 - 特許庁

The gas diffusion layer is composed by forming a water repellent layer 120 on a gas diffusion substrate 110, containing carbon particles 121 coated with a water repellent material in the water repellent layer, and continuously passing carbon particles 122 subjected to hydrophilic treatment through in the thickness direction in at least one part of the water repellent layer.例文帳に追加

ガス拡散基材上１１０に撥水層１２０が形成された構成を有し、前記撥水層は撥水剤にコーティングされてなるカーボン粒子１２１を含み、さらに前記撥水層の少なくとも一部に親水処理されたカーボン粒子１２２が連続して厚さ方向に向かって貫通したガス拡散層となっている。 - 特許庁

A light diffusion sheet arranged between a principal light guide plate and a light guide plate for color mixture with an LED element is arranged only on a face opposed to the face on which the LED element of the light guide plate for color mixture is mounted and its vicinity, and furthermore, the light diffusion sheet is connected by a transparent pressure sensitive adhesive.例文帳に追加

主導光板とＬＥＤ素子を備えた混色用導光板の間に配置した光拡散シートを、混色用導光板のＬＥＤ素子が実装された面と対向する面及びその近傍のみに光拡散シートを配置し、更に光拡散シートを透明粘着剤により接続する。 - 特許庁

After a process, in which a cobalt silicide film 8 which covers a source/drain diffusion layer region 7 as well as a gate electrode 4 of a polycrystal silicon is formed, there are provided process where an impurity ion is implanted in the region between the source/drain diffusion layer region and a channel region, which is thermally processed to form an SD extension 61.例文帳に追加

多結晶シリコンのゲート電極４及びソース・ドレイン拡散層領域を７覆うコバルトシリサイド膜８を形成する工程の後に、ソース・ドレイン拡散層領域とチャネル領域との間の領域に不純物イオンを注入してこれを熱処理してＳＤエクステンション６１を形成する工程を備える。 - 特許庁

The TAT DRAM cell portion 40 of the semiconductor device is equipped with the same structure as a conventional TAT DRAM cell portion 10, except that diffusion-layer extracting electrode 22 penetrates a first interlayer dielectric film 38 and has a conductive sidewall 42 stopped at a SiN cap layer 36 around the diffusion-layer extracting electrode 22.例文帳に追加

本半導体装置のＴＡＴ・ＤＲＡＭセル部４０は、拡散層取り出し電極２２が、第１の層間絶縁膜３８を貫通し、ＳｉＮキャップ層３６で停止する導電性サイドウォール４２を拡散層取り出し電極２２の周りに有することを除いて、従来のＴＡＴ・ＤＲＡＭセル部１０と同じ構成を備えている。 - 特許庁