「diffusion vapor」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The cold cathode fluorescent lamp having an inner diameter of 1.2 mm or less is lit with high frequency, and at least one of a lamp current density J [mAmrs/m2] or a lamp tube wall temperature Tw[°C] is adjusted to obtain a diffusion coefficient D of mercury vapor in the lamp axial direction of 10-6 [m2/s] or more.例文帳に追加

内直径が１．２ｍｍ以下の冷陰極蛍光ランプを高周波点灯させるとともに、ランプ軸方向への水銀蒸気の拡散係数Ｄが１０^−６［ｍ^２／ｓ］よりも大となるようにランプ電流密度Ｊ［ｍＡｒｍｓ／ｍ^２］又はランプ管壁温度Ｔ__ｗ［℃］の少なくとも一方を調整するようにする。 - 特許庁

Further as the hydrophilic layer 26 is formed on the surfaces of the grooves 24, a liquid layer is formed by adsorbing condensed working fluid, and the power in collision of diffusion of vapor and return of fluid is reduced, a circulating speed of the working fluid in the heat pipe 20 is increased, the heat transferring performance can be improved, and efficient heat radiation can be secured.例文帳に追加

また、前記溝２４の表面に親水層２６を形成し、凝縮した作動流体を吸着して液体層を形成し、蒸気の拡散と流体の戻りとが衝突する力を減少させることで、前記ヒートパイプ２０における作動流体の循環スピードを速くし、また伝熱性能を高めて効率的な放熱を保証するようにすることができる。 - 特許庁

To solve such problems that when silicon is used as a negative active material for a lithium secondary battery, an electrode having an active material layer 1 comprising spaces and columnar particles 6 can be formed on a current collector 5 having recessed and projecting parts on the surface by vapor deposition from the diagonal direction, but since spaces in the surface part are reduced, diffusion of lithium ions through an electrolyte is made insufficient.例文帳に追加

リチウム二次電池用負極活物質としてケイ素を用いる際に、表面に凹凸を有する集電体上５に斜め方向からの蒸着により空間と柱状粒子６から成る活物質層１を有する電極を形成することができるが、表面部分での空間が小さくなるため、電解液を介してのリチウムイオンの拡散が不十分となる。 - 特許庁

The method of forming a diffusion barrier used for manufacturing the semiconductor device includes a step for depositing an iridium-doped tantalum-based barrier layer on a pattern-formed intermediate dielectric (ILD) layer by a physical vapor deposition (PVD) process, and the barrier layer is deposited to form the barrier layer into amorphous structure as a result, at least 60% of an iridium concentration in terms of atomic weight.例文帳に追加

半導体デバイス製造に用いる拡散バリアを形成する方法は、物理蒸着（ＰＶＤ）工程によって、パターン形成された中間誘電体（ＩＬＤ）層の上に、イリジウム・ドープされたタンタル・ベースのバリア層を堆積するステップを含み、該バリア層は、原子量で少なくとも６０％のイリジウム濃度で、バリア層が結果としてアモルファス構造を有するように堆積される。 - 特許庁

In a vapor deposition boat 13, a recessed groove 17 is composed of: a recessed groove for supply 19A to which at least a vapor deposition material is supplied; a recessed groove for evaporation 20 in communication with the recessed groove for supply 19A; and a recessed groove for diffusion 19B in communication with the recessed groove for evaporation 20.例文帳に追加

この目的を達成するため本発明の蒸着用ボート１３は、凹溝１７が、少なくとも蒸着材料が供給される供給用凹溝１９Ａと、この供給用凹溝１９Ａと連通する蒸発用凹溝２０と、この蒸発用凹溝２０と連通する拡散用凹溝１９Ｂとで構成され、表面に供給用凹溝１９Ａおよび拡散用凹溝１９Ｂが形成された領域のそれぞれの基体１８の抵抗値に対する、表面に蒸発用凹溝２０が形成された領域の基体１８の抵抗値の比は、蒸着材料の沸点を蒸着材料の融点で除した値以上であるものとした。 - 特許庁