「end oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

In the closed-end cylindrical drinking cup with a drum part 1 and a bottom part 2 where an upper edge side is a lip 1a of cups, the drinking cup is made of titanium or a titanium alloy, at the same time the upper edge side of the lip 1a of cups is provided with a hollow part 3, and further the surface of the drinking cup is subjected to oxidation color development machining.例文帳に追加

本発明は、上方縁辺を飲み口部１ａとした胴部１と底部２とを備えた有底筒状の飲用カップにおいて、飲用カップの材質にチタン又はチタン合金を用いると共に、飲み口部１ａとする上方縁辺に中空部３を備えたものであり、更に、飲用カップの表面に酸化発色加工を施したものである。 - 特許庁

This exhaust emission control device includes: a metallic case of symmetrical shape; a metallic honeycomb disposed in the case and supporting oxidation catalyst; and an exhaust emission dispersing cylinder fitted to an inlet part of the case, wherein a number of through holes are formed in the outer peripheral part opened to the interior of the case and an abutting end part in the exhaust emission dispersing cylinder.例文帳に追加

この排気ガス浄化装置は，左右対象の形状を有する金属製ケース，前記ケースに配設され且つ酸化触媒が担持された金属製ハニカム，及び前記ケースの入口部に嵌合された排気ガス分散筒体を有し，前記排気ガス分散筒体の前記ケース内に開口する外周部と突き当たり端部には多数の通孔が形成されている。 - 特許庁

The hydrogen containing water vapor is supplied to a main surface of a semiconductor wafer 1A heated at a predetermined temperature or to its neighborhood to improve a profile of the side wall end of the gate electrode, then, the water is produced by reacting the hydrogen contained in the exhaust gas after oxidation treatment and the oxygen introduced from outside through catalysis, and discharged.例文帳に追加

そして、所定の温度に加熱された半導体ウエハ１Ａの主面またはその近傍に水蒸気を含む水素ガスを供給してゲート電極の側壁端部のプロファイルを改善した後、酸化処理後の排ガスに含まれる水素と外部より導入した酸素とを触媒作用によって反応させて水を生成し、排出する。 - 特許庁

To provide the manufacture of a semiconductor device, which can cope with micronization by enabling a thin oxide film to be formed on the surface of a silicon substrate by the same thermal oxidation process before ion implantation process for formation of source and drain diffused layers, and enabling an oxide film of sufficient thickness to secure reliability to be formed at the sidewall of a gate electrode, and the end of a gate.例文帳に追加

ソース、ドレイン拡散層形成のためのイオン注入工程前に、同一の熱酸化工程によりシリコン基板表面に薄膜の酸化膜を形成できると共に、ゲート電極側壁及びゲートエッジ端に信頼性を確保するのに十分な膜厚の酸化膜を形成できることより、微細化に対応可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device having a BiCMOS, a base region 14 is formed through implantation of ions, then a thermal treatment, is carried out for recovering from defects caused by implantation of ions, and then an oxide film is formed near the end of a gate electrode 11 on the surface of a substrate 1 or an oxide film formed on the surface is improved in film quality by a thermal oxidation treatment.例文帳に追加

また、ＢｉＣＭＯＳを有してなる半導体装置の製造方法の場合、イオン注入法によってベース領域１４を形成した後、イオン注入による欠陥回復のための熱処理を施し、その後、熱酸化処理を施すことによって基板１表面のゲート電極１１端近傍に酸化膜を形成しあるいはここの酸化膜の膜質を改善する。 - 特許庁