β emitterとは 意味・読み方・使い方

By inclining the impurity density to increase in the direction from the emitter to the collector while keeping base resistance in the inclined base layer fixed, the current amplification factor β is improved.例文帳に追加

傾斜ベース層におけるベース抵抗を一定に保ちつつ、不純物濃度をエミッタからコレクタに向かう方向に増大するように傾斜させることにより、電流増幅率βを向上させることができる。 - 特許庁

In the epitaxial wafer for the HBT provided with a GaAs base layer 6 and an emitter layer 5 consisting of InGa or AlGaAs, a super lattice spacer layer 11 consisting of AlGaAs/GaAs is inserted between the base layer 6 and the emitter layer 5 to improve a current amplification factor β.例文帳に追加

ＧａＡｓベース層６とＩｎＧａＰ又はＡｌＧａＡｓから成るエミッタ層５を備えたＨＢＴ用エピタキシャルウェハにおいて、ベース層６とエミッタ層５との間に、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓより成るスーパーラティススペーサー層１１を挿入し、電流増幅率βを向上させる。 - 特許庁

This semiconductor temperature sensor forms a collector surrounding an emitter in the base, and carries out Darlington connection of two or more bipolar transistors with structure making the current amplification factor β small by taking it out as base current.例文帳に追加

ベース中にエミッタを囲むようにコレクタを設け、それをベース電流としてとりだすことにより電流増幅率βを小さくした構造をもつバイポーラトランジスタを複数個ダーリントン接続した半導体温度センサー。 - 特許庁

To provide an HBT of high current gain β by allowing no increase in re-coupling central concentration in an InGaP intrinsic emitter layer even if the layer is grown at such low temperature as 500°C or higher for the continuous growth of a GaAs base layer and the InGaP intrinsic emitter layer.例文帳に追加

ＧａＡｓベース層とＩｎＧａＰ真性エミッタ層を連続成長するために、ＩｎＧａＰ真性エミッタ層を５００℃台の低温で成長しても、ＩｎＧａＰ真性エミッタ層中の再結合中心濃度を増加させないことで、電流利得βが高いＨＢＴを提供することを目的とする。 - 特許庁

A semiconductor device, which can improve VEBO on a substrate surface and can maintain a current amplification rate β, as is, by installing the low concentration base area 32 on the surface of the base region 22 adjacent to an emitter region 23 can be provided.例文帳に追加

エミッタ領域２３に隣接するベース領域２２表面に低濃度ベース領域３２を設けることにより基板表面でのＶEBOを上げることができ、電流増幅率βも従来のまま維持できる半導体装置を提供できる。 - 特許庁

The light emitting device contains an n-type β-Ga_2O_3 substrate or n-type (AlGa)_2O_3 substrate, an interface control layer formed on the substrate, and a light emitter arranged with an AlGaN semiconductor layer formed on the interface control layer.例文帳に追加

ｎ型β−Ｇａ_２Ｏ_３基板あるいはｎ型（ＡｌＧａ）_２Ｏ_３基板と、前記基板上に形成された界面制御層と、前記界面制御層上に形成されたＡｌＧａＮ半導体層によって構成された発光部とを含む発光素子。 - 特許庁

Thus, the generation of a Ga defect can be controlled in the sub-emitter layer 45, and the semiconductor wafer 1 can be manufactured so that a bipolar semiconductor element with a hetero joint can be manufactured without reducing a current amplification factor of β.例文帳に追加

これによりサブエミッタ層４５におけるＧａ欠陥の発生を制御することができ、この結果、電流増幅率βを低下させることのないヘテロ接合バイポーラ半導体素子の製作を可能とするように半導体ウェーハ１を製造することができる。 - 特許庁

To provide a hetero joint bi-polar transistor whose current gain βcan be prevented from being deteriorating even at the time of using material similar to InGaP or InGaP as an emitter layer or an etching stop layer.例文帳に追加

エミッタ層やエッチングストッパ層としてＩｎＧａＰやＩｎＧａＰに類似した材料を用いても電流利得βが低下しないヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁