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ω-oxidationとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 ω酸化
「ω-oxidation」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 4件
An oxidation treatment layer 2 is formed on the surface of a carrier core material 1 having a resistance of ≤10^4 Ω cm to increase the resistance to ≥10^6 Ω cm, and a resin coating layer is formed on the oxidation treatment layer 2 by way of a coupling agent layer 3.例文帳に追加
抵抗値が10^4Ω・cm以下のキャリア芯材1の表面に酸化処理層2を形成して抵抗値を10^6Ω・cm以上とし、その酸化処理層2の上にカップリング剤層3を介して樹脂被覆層を形成する。 - 特許庁
The method for producing a saturated dicarboxylic acid or an ester thereof includes: producing, from a natural oil and fat, a mixture of an unsaturated fatty acid and a saturated fatty acid or a mixture of the esters thereof; reducing the mixture; and culturing a microorganism having a fatty acid ω-oxidation activity in a culture medium to which the mixture is added together with glycerol.例文帳に追加
天然油脂から不飽和脂肪酸と飽和脂肪酸の混合物又はそれらのエステルの混合物を生成し、該混合物を還元処理し、それをグリセロールとともに添加した培地中で、脂肪酸ω酸化活性を有する微生物を培養することを含む、飽和ジカルボン酸又はそのエステルを生産する方法。 - 特許庁
In an active layer formation process of the semiconductor device using a ZnO film 40 for an active layer, laser annealing L1 is executed to the ZnO film 40 by a pulse laser of ultraviolet light to reduce resistance thereof, and a specific resistance value of a channel part of the ZnO film 40 excessively reduced in resistance then is increased to a value ≥10^3 Ω cm by an oxidation treatment.例文帳に追加
ZnO膜40を活性層に用いた半導体素子の活性層形成過程において、ZnO膜40に対して紫外光のパルスレーザによってレーザアニールL1を行い低抵抗化し、このとき過度に低抵抗化したZnO膜40のチャネル部の比抵抗値を酸化処理によって10^3Ω・cm以上にまで上げる。 - 特許庁
In a solid electrolytic capacity, having an anode 1 made of valve action metal, a dielectric oxide film 3 formed on the surface of the anode 1 through anode oxidation and a conductive polymer layer (solid electrolyte) 5 provided on the dielectric oxide film 3, an insulating layer 4 in particular with a resistivity of 1012 Ω cm or more is provided between the dielectric oxide film 3 and the solid electrolytic layer 5.例文帳に追加
弁作用金属からなる陽極1と、この陽極の表面に陽極酸化により形成された誘電体酸化膜3と、この誘電体酸化膜上に導電性高分子層(固体電解質)5を備えている固体電解コンデンサにおいて、前記誘電体酸化膜3と固体電解質との間に、絶縁層,特に比抵抗が10^12Ωcm以上の絶縁層4を設けるようにした。 - 特許庁
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