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意味・対訳 統合型航法攻撃システム
「-inas」を含む例文一覧
該当件数 : 64件
A second InGaAs well layer 404 is grown over the InAs islands to embed the quantum dots.例文帳に追加
前記量子ドットを埋め込むために、前記InAs島上に第2のInGaAs井戸層404が成長させられる。 - 特許庁
Then, InAs is almost not deposited on the slopes of the projecting portions, S-K mode growth of InAs is performed on the bottoms of the grooves 54, and mutually isolated InAs islands are formed.例文帳に追加
そして、凸部の傾斜面にはInAsが殆ど堆積せず、溝54の底部にInAsがS−Kモード成長して、相互に離隔したInAs島が形成される。 - 特許庁
A sufficient monolayer thickness of InAs is grown on the InGaAs, to form self-assembled islands.例文帳に追加
InAsの十分なモノレイヤ等価厚みが前記InGaAs上に成長させられることによって、自己組織化島が形成される。 - 特許庁
An InAs layer is grown on the surface of the sample, on which this strained distribution exists, an InAs layer is selectively grown on the exposed part of the layer 3 and microstructures, such as InAs quantum fine wires and InAs quantum dots, are formed.例文帳に追加
この歪分布が存在する試料表面にInAsを成長させ、露出したInGaAs層3上にInAsを選択的に成長させ、InAs量子細線やInAs量子ドットなどの微細構造を形成する。 - 特許庁
InAs/AlSb QUANTUM CASCADE LASER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
InAs/AlSb量子カスケードレーザー及びその作製方法 - 特許庁
In the optical semiconductor device, an InAs layer 4b including a quantum dot equal to or smaller than a quantum dot included in an InAs layer 4a is multilayered on the InAs layer 4a through an InGaAs layer 5a.例文帳に追加
InAs層4aに含まれる量子ドットの大きさと等しいかまたは小さい量子ドットを含むInAs層4bがInGaAs層5aを介してInAs層4a上に多層化される。 - 特許庁
The quantum dots are self-assembled InAs quantum dots 406 formed in InGaAs quantum wells 404 that are grown on a GaAs substrate by molecular beam epitaxy.例文帳に追加
量子ドットは、分子ビームエピキタシによってGaAs基板上に成長させられたInGaAs量子井戸404に形成された自己組織化InAs量子ドット406である。 - 特許庁
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「-inas」を含む例文一覧
該当件数 : 64件
The InAs islands are covered with i-type GaAs to form the quantum dots.例文帳に追加
このInAs島をi型GaAsで覆うと量子ドットが形成される。 - 特許庁
In a mechanical semiconductor detecting element which is equipped with an InAs thin film 1 processed into a beam shape, and detects a minute force applied to the InAs film 1 with high sensitivity, by detecting the change in the physical properties of a semiconductor caused by elastic deformation of the InAs film 1, the InAs film 1 has jointing portions with niobium electrodes 2, 3 of superconducting materials.例文帳に追加
梁状に加工したInAs薄膜1を備え、InAs薄膜1の弾性的な変形による半導体の物性変化を検出することにより、InAs薄膜1に加わった微小な力を高感度に検出するメカニカルな半導体検出素子において、InAs薄膜1が超伝導材料のニオブ電極2、3との接合部分を有する。 - 特許庁
The preferable thickness of the InAs layer or the InSb layer is 3 nm to 10 nm.例文帳に追加
InAs層又はInSb層の好ましい厚みは3nmから10nmである。 - 特許庁
A plurality of quantum dots 5 made of InAs are formed on an intermediate layer 4.例文帳に追加
中間層4上に、InAsからなる複数の量子ドット5が形成されている。 - 特許庁
The quantum dot 611 is made of InAs, and the quantum dot 621 is made of InGaAs.例文帳に追加
量子ドット611は、InAsからなり、量子ドット621は、InGaAsからなる。 - 特許庁
To appropriately control the size of InAs quantum dot formed on GaAs layer.例文帳に追加
GaAs層上に形成されるInAs量子ドットのサイズを適切に制御する。 - 特許庁
According to this method, As/P substitution on the InAs quantum dot is prevented effectively, and the InAs quantum dots in the thickness direction of the layer can be jointed readily and electronically to each other.例文帳に追加
これにより、InAs量子ドット上におけるAs/P置換が効果的に防止され、層厚方向のInAs量子ドット同士を容易に電子的に接合することができる。 - 特許庁
The Hall element comprises a GaAs substrate 101, an InAs layer 102 formed on the GaAs substrate 101, a surface layer 103 formed on the InAs layer 102, a passivation layer 104 formed on the surface layer 103, and electrodes 105 that ohmic-contact the InAs layer 102.例文帳に追加
GaAs基板101と、GaAs基板101の上に形成されたInAs層102と、InAs層102の上に形成された表面層103と、表面層103の上に形成されたパッシべーション層104と、InAs層102とオーミック接触する電極105とを備える。 - 特許庁
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