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.vbeとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 .vbeとは、Microsoftの開発したスクリプト言語であるVBScriptのスクリプトが記載されたプログラムファイルに付く拡張子のことである。
「.vbe」を含む例文一覧
該当件数 : 62件
This voltage is defined as Vbe 1.例文帳に追加
この電圧をVbe1とする。 - 特許庁
Thus, Vout=VDD is attained with setting base-emitter voltage of the transistor 6 Vbe 6 and that of a transistor 13 Vbe 13 as Vbe 6= Vbe 13, so that a tendency of dependence of the output H level voltage on the voltage VCC can be rejected.例文帳に追加
従って、トランジスタ6,13のベースエミッタ間電圧Vbe6=Vbe13とすることで、Vout=VDDとなり、出力Hレベル電圧についてのアナログ部電圧VCCへの依存性を排除することができる。 - 特許庁
When a base-to-emitter voltage of the pnp transistor QP4 is defined as Vbe, a base voltage of a pnp transistor QP3 becomes equal to (Vcc to Vbe).例文帳に追加
PNPトランジスタQP4のベース−エミッタ間電圧をVbeとすると、PNPトランジスタQP3のベース電圧は(Vcc−Vbe)となる。 - 特許庁
A Ta-Vbe graph is drawn, wherein Vbe is an abscissa axis and Ta is an ordinate axis, ΔTa/ΔPower is calculated, and a thermal resistance is obtained.例文帳に追加
そして、縦軸をVbe、横軸をTaとし、Ta−Vbeグラフを描き、ΔTa/△Powerを計算し、熱抵抗を求める。 - 特許庁
When the voltage VBE (Q1) is increased, the output current I1 of the current output circuit 9 is increased, and a base/emitter voltage VBE (Q2) of a transistor Q2 is also increased.例文帳に追加
電圧VBE(Q1)が高くなると、電流出力回路9の出力電流I1が増大し、トランジスタQ2のベース・エミッタ間電圧VBE(Q2)も高くなる。 - 特許庁
Contrarily, when the voltage VBE (Q1) is reduced, the output current I1 of the current output circuit 9 is reduced, and the base/emitter voltage VBE (Q2) of the transistor Q2 is also reduced.例文帳に追加
逆に、電圧VBE(Q1)が低くなると、電流出力回路9の出力電流I1が減少し、トランジスタQ2のベース・エミッタ間電圧VBE(Q2)も低くなる。 - 特許庁
Setting is conducted to satisfy VB1-VBE<Vset, where VBD1 and Vset are voltage limiting values set by the voltage limiting means 18, 19, VBE is a voltage between a base and the emitter.例文帳に追加
電圧制限制限手段18,19により設定される電圧制限値をVB1,Vset、ベース・エミッタ間の電圧をV_BEとすると、VB1−V_BE<Vsetが成立するよう設定した。 - 特許庁
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「.vbe」を含む例文一覧
該当件数 : 62件
A base/emitter voltage Vbe of the transistor Q1 is added to a tuning voltage VT outputted by the tuning voltage output step 2 and becomes a control voltage TV'=VT+Vbe of the VCO.例文帳に追加
チューニング電圧出力段2が出力するチューニング電圧VT にトランジスタQ1のベース・エミッタ間電圧Vbeが加算されてVCOの制御電圧VT'=VT +Vbeとなる。 - 特許庁
A voltage Vbe between a base and an emitter to be applied to a transistor is monitored at the respective levels.例文帳に追加
そして、トランジスタにかかるベース・エミッタ間電圧Vbeを各水準でモニタする。 - 特許庁
When a reference transistor 16 is turned ON by a reset signal, the voltage of an emitter of the reference transistor 16 becomes the voltage of 5V+VBE since the voltages of a base and the emitter are different by VBE.例文帳に追加
リセット信号によって、基準用トランジスタ16がON状態になると、ベース・エミッタ間はVBEだけ異なるので、基準用トランジスタ16のエミッタの電圧は、5V+VBEの電圧になる。 - 特許庁
The potential Vx4 of the emitter of a third bipolar transistor Q3 is given by Vx3+Vbe.例文帳に追加
第3バイポーラトランジスタQ3のエミッタの電位Vx4は、Vx3+Vbeで与えられる。 - 特許庁
After that, when a switching regulator 3 is turned on, a voltage of 3.3 V is outputted from the switching regulator 3 through a TR 39, and then when a voltage of Vbe of the TR 33 is not 0.6 V, the TR 33 comes out of continuity.例文帳に追加
その後、スイッチングレギュレータ3が立ち上がると、スイッチングレギュレータ3からTR39を通じて3.3Vの電圧が出力され、それによりTR33のVbeが0.6Vでなくなると、TR33は非導通になる。 - 特許庁
In an output circuit of A/D converter, a current I determined with {(VCC-VDD)-Vbe 13}/R14 flows through a resistor 14.例文帳に追加
抵抗14には、{(VCC−VDD)−Vbe13}/R14で決定される電流Iが流れる。 - 特許庁
A body bias control circuit couples the body of the upper NMOS transistor to a voltage source equal to HVDD-Vbe and connects the body of the lower PMOS transistor to voltage source equal to HVDD+Vbe.例文帳に追加
ボディバイアス制御回路が上側NMOSトランジスタのボディをHVDD−Vbeに等しい電圧源へ結合させ、且つ下側PMOSトランジスタのボディをHVDD+Vbeに等しい電圧源へ接続させる。 - 特許庁
To provide a multivibrator type oscillator wherein temperature variations in an oscillated frequency oscillated on the basis of a base-emitter voltage Vbe can be cancelled.例文帳に追加
Vbeによる発振周波数の温度変動をキャンセルしたマルチバイブレータ型の発振器を提供する。 - 特許庁
1
2310012I10Rik
遺伝子名称
2
AU044733
遺伝子名称
3
AW122032
遺伝子名称
4
MGC106215
遺伝子名称
5
Gummel plot
百科事典
6
WD repeat protein 18
遺伝子名称
7
WD repeat domain 18
遺伝子名称
8
WDR18
遺伝子名称
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