3-50Pとは 意味・読み方・使い方

A titanium nitride film 6 is later formed on the gate insulating film 3 in the PFET forming area 50P.例文帳に追加

その後、ＰＦＥＴ形成領域５０Ｐにおけるゲート絶縁膜３の上に窒化チタン膜６を形成する。 - 特許庁

A first polysilicon film 4 is next formed on the gate insulating film 3, and the part of the first polysilicon film 4 formed which is within the PFET forming area is removed to expose the gate insulating film 3 from the PFET forming area 50P.例文帳に追加

続いて、ゲート絶縁膜３の上に、第１のポリシリコン膜４を形成し、形成した第１のポリシリコン膜４におけるＰＦＥＴ形成領域に含まれる部分を除去することにより、ＰＦＥＴ形成領域５０Ｐからゲート絶縁膜３を露出する。 - 特許庁

The gate insulating film 3 is first formed on the semiconductor substrate 1 having an NFET forming area 50N for forming an N type field effect transistor and a PFET forming area 50P for forming a P type field effect transistor.例文帳に追加

まず、Ｎ型電界効果トランジスタを形成するＮＦＥＴ形成領域５０ＮとＰ型電界効果トランジスタを形成するＰＦＥＴ形成領域５０Ｐとを有する半導体基板１の上に、ゲート絶縁膜３を形成する。 - 特許庁