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NAND gateの意味・使い方・読み方 | Weblio英和辞書
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NAND gateとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 NAND回路; 否定論理積素子


研究社 英和コンピューター用語辞典での「NAND gate」の意味

AND gate <gate>

an AND [NAND, NOR, NOT] gateAND, NAND, NOR, NOT

NAND circuit <NAND>


「NAND gate」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 176



例文

a NAND circuit [gate]発音を聞く 例文帳に追加

NAND 回路[ゲート] - 研究社 英和コンピューター用語辞典

NAND GATE CIRCUIT AND DYNAMIC CIRCUIT例文帳に追加

NANDゲート回路及びダイナミック回路 - 特許庁

The first to the third logic gate may be a NAND gate or a NOR gate.例文帳に追加

第1ないし第3ロジックゲートは、各々NANDゲートあるいはNORゲートであり得る。 - 特許庁

Gate primitives perform AND, NAND, OR, NOR, XOR, XNOR, INV(signal inversion), and BUF(buffer) functions発音を聞く 例文帳に追加

ゲートプリミティブはAND,NAND,OR,NOR,XOR,XNOR,INV(信号反転),BUF(バッファ)の各機能を実行する - コンピューター用語辞典

It's an array of floating gate transistors, configured as a series of nand gates.例文帳に追加

これはフローティングゲートの トランジスタのアレイだ nandゲートの シリーズとして構成される - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

It's an array of floating gate transistors, configured as a series of nand gates.例文帳に追加

これはフローティングゲートの トランジスタのアレイだ NANDゲートの シリーズとして構成される - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

例文

The delay circuit part 30 is reset in a short time for the four stages of NAND gate 31-NAND gate 37.例文帳に追加

遅延回路部は、NANDゲート31〜NANDゲート37の4段分の短時間でリセットされる。 - 特許庁

>>例文の一覧を見る


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機械工学英和和英辞典での「NAND gate」の意味

NAND gate


Weblio英和対訳辞書での「NAND gate」の意味

NAND gate

Weblio英和対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「NAND gate」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 176



例文

CELL OPERATING METHOD USING GATE INJECTION FOR FLOATING-GATE NAND FLASH MEMORY例文帳に追加

浮遊ゲートNANDフラッシュメモリ用のゲート注入を用いるセル動作方法 - 特許庁

The control gate operates a cell array in NAND arrangement.例文帳に追加

制御ゲートがセルの配列をNAND構成で動作する。 - 特許庁

CMOS-NAND GATE CIRCUIT USING 4-TERMINAL DOUBLE INSULATION GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

四端子二重絶縁ゲート電界効果トランジスタを用いたCMOS−NANDゲート回路 - 特許庁

At an end in the row direction of a cell array of NAND cells in which selection gate transistors having a stacked gate structure are connected in series to a plurality of memory cell transistors having a stacked gate structure on a semiconductor substrate 30 of an NAND type flash memory, an STI region 20 is formed in the column direction, and dummy NAND cells are formed at an end portion in the row direction.例文帳に追加

NAND型フラッシュメモリの半導体基板30上に積層ゲート構造を有する複数のメモリセルトランジスタに直列に積層ゲート構造を有する選択ゲートトランジスタを接続したNANDセルのセルアレイの行方向端には列方向にSTI 領域20が形成され、行方向端部にダミー用NANDセルが形成されている。 - 特許庁

Logic of the POWER-ON signal and the output signal A is performed by a NAND gate 9, and logic of the output signal and an output signal of the NAND gate 4 is performed by a NAND gate 5.例文帳に追加

POWER−ON信号と出力信号Aの論理をNANDゲート9でとり、その出力信号とNANDゲート4の出力信号との論理をNANDゲート5でとる。 - 特許庁

NAND FLASH MEMORY HAVING CLOSELY-SPACED MEMORY GATE AND MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

密集したメモリゲートを有するNANDフラッシュメモリ及び製作方法 - 特許庁

The NAND gate 23 outputs a monitor signal M-0 of a H level.例文帳に追加

NANDゲート23は,Hレベルのモニタ信号M_0を出力する。 - 特許庁

例文

One input terminal of the NAND gate 102 is connected to the output terminal of the NAND gate 101 via a ferroelectric capacitor 104.例文帳に追加

NANDゲート102の一方の入力端子は強誘電体キャパシタ104を介してNANDゲート101の出力端子に接続されている。 - 特許庁

>>例文の一覧を見る


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