| 意味 | 例文 (450件) |
P 33とは 意味・読み方・使い方
追加できません
(登録数上限)
意味・対訳 P33 (HMS P33) は第二次世界大戦中の1941年に就役したイギリス海軍の潜水艦。
遺伝子名称シソーラスでの「P 33」の意味 |
|
p33
| fission_yeast | 遺伝子名 | p33 |
| 同義語（エイリアス） | png1 | |
| SWISS-PROTのID | --- | |
| EntrezGeneのID | --- | |
| その他のDBのID | GeneDB_SPombe:SPAC3G9.08 |
| human | 遺伝子名 | P33 |
| 同義語（エイリアス） | FKSG14; CENP-K; CENPK; AF5alpha; Interphase centromere complex protein 37; centromere protein K; Protein AF-5alpha; Centromere protein K; ICEN37; SOLT; Solt | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:Q9BS16 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:64105 | |
| その他のDBのID | HGNC:29479 |
| mouse | 遺伝子名 | p33 |
| 同義語（エイリアス） | TNF-C; Lymphotoxin-beta; Tumor necrosis factor C; Tnfc; Tumor necrosis factor ligand superfamily member 3; AI662801; Tnfsf3; LTbeta; lymphotoxin B; Ltb; LT-beta; lymphotoxin beta | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:P41155 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:16994 | |
| その他のDBのID | MGI:104796 |
| zfish | 遺伝子名 | p33 |
| 同義語（エイリアス） | ing5b; si:busm1-40g1.1; ING1; inhibitor of growth; zgc:100910; wu:fc94a02; fc94a02; si:dz40g1.1; inhibitor of growth family, member 5b; tumor suppressor | |
| SWISS-PROTのID | --- | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:368450 | |
| その他のDBのID | ZFIN:ZDB-GENE-030616-462 |
本文中に表示されているデータベースの説明
- SWISS-PROT
- スイスバイオインフォマティクス研究所と欧州バイオインフォマティクス研究所によって開発・運営されているタンパク質のアミノ酸配列のデータベース。
- EntrezGene
- NCBIによって運営されている遺伝子データベース。染色体上の位置、配列、発現、構造、機能、ホモロジーデータなどが含まれている。
- GeneDB_SPombe
- サンガー研究所により運営されている、分裂酵母の一種であるS. pombe の遺伝子情報に関するデータベース。
- HGNC
- HUGO遺伝子命名法委員会により運営される、ヒト遺伝子に関するデータベース。
- MGI
- 様々なプロジェクトによる、研究用マウスの遺伝的・生物学的なデータを提供するデータベース。
- ZFIN
- ゼブラフィッシュ遺伝子命名法委員会により運営されている、研究用の淡水魚ゼブラフィッシュの遺伝子・ゲノム情報のデータベース。
「P 33」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 450件
In the molding apparatus (1), a frame (33) that is positioned around a mold (32) and is movable relative to the mold is contacted with a thermoplastic resin (P) extruded from an extruding machine (12) in a sheet form, and the frame 33 is moved in such a manner that the thermoplastic resin (P) is sagged downward while making contact with the frame (33).例文帳に追加
本実施形態の成形装置（1）は、押出装置（12）からシート状に押し出した熱可塑性樹脂（P）に金型（32）の周囲に位置して当該金型に対して移動可能な型枠（33）を接触させ、熱可塑性樹脂（P）が型枠（33）に接触しながら下方に垂下するように型枠（33）を移動する。 - 特許庁
The p+ type impurity region 33 has a higher impurity concentration than the p-type well 29 and the p+ type impurity region 33 is formed shallower than the p-type well 29.例文帳に追加
ｐ^+型不純物領域３３の不純物濃度はｐ型ウェル２９の不純物濃度よりも高く、また、ｐ^+型不純物領域３３はｐ型ウェル２９よりも浅く形成されている。 - 特許庁
The impurity concentration of the p+-type impurity region 33 is higher than the impurity concentration of the p-type well 29, and the p+-type impurity region 33 is formed shallower than that in the p-type well 29.例文帳に追加
ｐ^+型不純物領域３３の不純物濃度はｐ型ウェル２９の不純物濃度よりも高く、また、ｐ^+型不純物領域３３はｐ型ウェル２９よりも浅く形成されている。 - 特許庁
The impurity concentration of the p^+-type impurity region 33 is higher than the impurity concentration of the p-type well 29, and the depth of the p^+-type impurity region 33 is shallower than the depth of the p-type well 29.例文帳に追加
ｐ^＋型不純物領域３３の不純物濃度はｐ型ウェル２９の不純物濃度よりも高く、また、ｐ^＋型不純物領域３３はｐ型ウェル２９よりも浅く形成されている。 - 特許庁
A p-side electrode 33 is connected to this region of the left end part.例文帳に追加
この左端部の領域にはｐ側電極３３が接続されている。 - 特許庁
In the case of q[i]≥div+p-1 in a step 33, p-1 is added to a value of div in a step 34.例文帳に追加
ステップ３３で、ｑ[ｉ]≧ｄｉｖ＋ｐ−１の場合、ステップ３４で、ｄｉｖの値にｐ−１を加算する。 - 特許庁
A semiconductor layer 30 of a semiconductor device 1 includes an n-type drift region 33 and p-type body region 34.例文帳に追加
半導体装置１の半導体層３０は、n型のドリフト領域３３とp型のボディ領域３４を有している。 - 特許庁
-
履歴機能過去に調べた
単語を確認! -
語彙力診断診断回数が
増える! -
マイ単語帳便利な
学習機能付き! -
マイ例文帳文章で
単語を理解! -
「P 33」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 450件
The gate protection diode 30 includes a first p-type region 31, an n-type region 32, and a second p-type region 33.例文帳に追加
ゲート保護ダイオード３０は、第１のｐ型領域３１とｎ型領域３２と第２のｐ型領域３３とを含む。 - 特許庁
When an FIFO read enable signal P is input, the memory read control part 33 generates a memory read address and outputs it to a memory.例文帳に追加
メモリリード制御部33はFIFOリードイネーブル信号Ｐが入力するとメモリリードアドレスを生成してメモリに出力する。 - 特許庁
The estimating section 33 estimates an action amount of the user P based on information of the number of steps.例文帳に追加
推定部３３は、歩数情報に基づいて、利用者Ｐの活動量を推定する。 - 特許庁
The second semiconductor substrate 3 includes a P+ diffusion layer 24 and an N+ diffusion layer 33.例文帳に追加
第２半導体基板３はＰ^+拡散層２４とＮ^+拡散層３３を含んでいる。 - 特許庁
A P-type substrate region right under a gate electrode of high side switches 31 to 33 is grounded.例文帳に追加
ハイサイドスイッチ３１〜３３のゲート電極直下のＰ型基板領域を接地する。 - 特許庁
The bill P in the bill accumulation section 31 is fed-out from the upper part and high inclination side of the bill accumulation section 31 with the feed-out means 33.例文帳に追加
紙幣集積部31の上部でかつ傾斜の高い側から繰出手段33で紙幣集積部31内の紙幣Ｐを繰り出す。 - 特許庁
When the bucket 33 positions at the receiving position, the postures of the buckets 33 are adjusted by a rotationally moving lever 32a in such a manner that the buckets 33 can receive the photographic paper P.例文帳に追加
また、バケット３３が受取位置に位置した際、バケット３３が印画紙Ｐを受け取り可能なようにバケット３３の姿勢が回動レバー３２ａによって調整される。 - 特許庁
A line sensor 11 detecting the end position of the recording paper P is provided on the upstream side of resist rollers 10 and 10 located on a more upstream side in a recording paper transporting direction than a transfer point G on a photoreceptor drum 33.例文帳に追加
感光体ドラム33の転写ポイントGよりも記録用紙搬送方向上流側にあるレジストローラ10,10の上流側に、記録用紙Pの端部位置を検出するラインセンサ11を設ける。 - 特許庁
| 意味 | 例文 (450件) |
|
|
P 33のページの著作権
英和・和英辞典
情報提供元は
参加元一覧
にて確認できます。
| DBCLS Home Page by DBCLS is licensed under a Creative Commons 表示 2.1 日本 License. |
ピン留めアイコンをクリックすると単語とその意味を画面の右側に残しておくことができます。 |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
「P 33」のお隣キーワード |
weblioのその他のサービス
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|