P-27とは 意味・読み方・使い方
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遺伝子名称シソーラスでの「P-27」の意味 |
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P27
human | 遺伝子名 | P27 |
同義語(エイリアス) | FAM14D; Interferon-alpha-induced 11.5 kDa protein; interferon, alpha-inducible protein 27; ISG12(a) protein; ISG12; IFI27 | |
SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:P40305 | |
EntrezGeneのID | EntrezGene:3429 | |
その他のDBのID | HGNC:5397 |
mouse | 遺伝子名 | p27 |
同義語(エイリアス) | Ws3; WS-3 protein; Dctn6; WS-3; Dynactin subunit 6; Dynactin subunit p27; dynactin 6; AU044699 | |
SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:Q9WUB4 | |
EntrezGeneのID | EntrezGene:22428 | |
その他のDBのID | MGI:1343154 |
mouse | 遺伝子名 | P27 |
同義語(エイリアス) | Psmd9; 2610202L11Rik; 26S proteasome non-ATPase regulatory subunit 9; 26S proteasome regulatory subunit p27; Bridge-1; 1500011J20Rik | |
SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:Q9CR00 | |
EntrezGeneのID | EntrezGene:67151 | |
その他のDBのID | MGI:1914401 |
mouse | 遺伝子名 | p27 |
同義語(エイリアス) | Cdkn1b; AA408329; AI843786; Cyclin-dependent kinase inhibitor p27; Kip1; p27Kip1; cyclin-dependent kinase inhibitor 1B; Cyclin-dependent kinase inhibitor 1B | |
SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:P46414 | |
EntrezGeneのID | EntrezGene:12576 | |
その他のDBのID | MGI:104565 |
rat | 遺伝子名 | p27 |
同義語(エイリアス) | P27KIP1; Cyclin-dependent kinase inhibitor 1B (p27 Kip1); Cyclin-dependent kinase inhibitor 1B (p27); Cdkn1b; Kip1; Cdki1b; cyclin-dependent kinase inhibitor 1B; CDKN4 | |
SWISS-PROTのID | --- | |
EntrezGeneのID | EntrezGene:83571 | |
その他のDBのID | RGD:69062 |
本文中に表示されているデータベースの説明
「P-27」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 336件
Then, a p-Ga1-z1 Alz1N/GaN superlattice second clad layer 27 and a p-GaN contact layer 28 are formed.例文帳に追加
p-Ga_1-z1Al_z1N/ GaN超格子第二クラッド層27、p-GaNコンタクト層28を形成する。 - 特許庁
April 27: The ATS-P was introduced between Obaku Station and Yamashiro-Aodani Station.発音を聞く 例文帳に追加
4月27日-黄檗~山城青谷間でATS-P導入。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
The p-p amplitude value is averaged by an averaging processing circuit 26, and it is quantized by a quantization circuit 27.例文帳に追加
平均化処理回路26でこのp−p振幅値の平均化し、量子化回路27で量子化する。 - 特許庁
The aluminum-based material needs not to be used for the gate electrode 27 for p-types.例文帳に追加
P型用ゲート電極27にアルミニウム系の材料を用いなくて済む。 - 特許庁
The mold 1 has a runner 27 and a plurality of gate valves 30 for filing a resin P' in the respective cavities 3 from the runner 27 via a gate 27.例文帳に追加
固定型1にランナー27およびこのランナー27から各キャビティ3にそれぞれ樹脂P´をゲート33を介して充填する複数のゲートバルブ30を設ける。 - 特許庁
On an n-GaAs substrate 21, an n-AlGaAs clad layer 22, an undoped AlGaAs optical guide layer 23, an undoped active layer 24, an undoped AlGaAs optical guide layer 25, a p-AlGaAs clad layer 25, and a p-GaAs cap layer 27 are in sequence laminated.例文帳に追加
n-GaAs基板21の上に、n-AlGaAsクラッド層22、アンドープAlGaAs光ガイド層23、アンドープ活性層24、アンドープAlGaAs光ガイド層25、p-AlGaAsクラッド層26、p-GaAsキャップ層27を順次積層する。 - 特許庁
Then, the first trench is filled with a p-type semiconductor 27.例文帳に追加
次いで、第1のトレンチをp型半導体27で埋める。 - 特許庁
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ウィキペディア英語版での「P-27」の意味 |
P-27
出典:『Wikipedia』 (2010/11/12 17:15 UTC 版)
「P-27」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 336件
Then P-type semiconductors 26 and N-type semiconductors 27 are arranged alternately, and electrodes 23 are formed on both sides of the P-type semiconductors and N-type semiconductors.例文帳に追加
P型半導体26とN型半導体27とが交互に配置され、電極23がP型半導体およびN型半導体の両側に配置される。 - 特許庁
A p-type layer 27 having a lower impurity concentration than a substrate p+ layer 26 using a high concentration p-type semiconductor substrate (e.g. silicon substrate) is formed on the substrate p+ layer 26 with n-type photoelectric conversion regions 14 provided at upper portions of the p-type layer 27.例文帳に追加
高濃度のP型の半導体基板(例えばシリコン基板)である基板P^+層26上に、基板P^+層26よりも不純物濃度が低いP型層27を形成し、P型層27の上側位置にN型光電変換領域14を設ける。 - 特許庁
The ridge includes part of a p-type guide layer 26, a p-type clad layer 27, a p-type contact layer 28, part of the insulating film 4 and part of the p-side electrode 5.例文帳に追加
リッジ部9は、p型ガイド層26の一部と、p型クラッド層27と、p型コンタクト層28と、絶縁膜4の一部と、p側電極5の一部とを含む。 - 特許庁
A first base region (16) includes a first conductive type (P) and a peripheral base region (27) formed adjacent to a side (31c) of a semiconductor substrate (31).例文帳に追加
第1のベース領域(16)は、第1導電型(P)を有し且つ半導体基体(31)の側面(31c)に近接して形成される周辺ベース領域(27)を有する。 - 特許庁
By embedding a p-type semiconductor 27 in the trenches in this state, the surface of the mask laminated film is prevented from being covered with the p-type semiconductor 27.例文帳に追加
この状態で、トレンチ内をp型半導体27で埋め込むことで、マスク積層膜の表面にp型半導体27が覆い被さるのを防ぐ。 - 特許庁
Therefore, the position in a radiation direction in the operation body 27 of the operation point P corresponding to the contact point PO is detected.例文帳に追加
よって、接触点P0に対応する操作点Pの操作体27における放射方向の位置が検知される。 - 特許庁
Of these leads P(n), the leads P(13) extending outside from a sidewall 215 of the package main body 21 is a holding lead which connects the stage part 231 with a frame board 27 at a position different from those where the part 231 and the board 27 are connected by the other leads P(1)-P(12).例文帳に追加
これらのリードP(n)のうち、パッケージ本体21の側壁215から外側に延びるリードP(13)は、他のリードP(1)〜P(12)は異なる位置でステージ部分231とフレーム板27を繋いでいる保持用リードである。 - 特許庁
An image reading apparatus comprises a light source device 27 for radiating light to a manuscript P.例文帳に追加
原稿Pに対して光を照射する光源装置27を有している。 - 特許庁
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