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QS-21とは 意味・読み方・使い方
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「QS-21」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
The compositions are designed (1) to minimize the cell-lysing activity of QS-21, (2) to improve the tolerance of QS-21 containing formulations in humans or other animals, (3) to stabilize the QS-21 from alkaline hydrolysis and/or (4) to maintain the high adjuvant potency of the QS-21 product.例文帳に追加
本発明の組成物は、(1)QS-21の細胞溶解活性の減少、(2)ヒトまたは他の動物におけるQS-21含有製剤の耐容性の改善、(3)QS-21のアルカリ加水分解からの安定化および/または(4)QS-21生産物の高アジュバント有効性の維持のために設計される。 - 特許庁
To provide certain novel compositions of the adjuvant saponin QS-21 having improved properties.例文帳に追加
改善された特性を有するアジュバントサポニンQS-21のある種の新規組成物を記載する。 - 特許庁
COMPOSITION COMPRISING ADJUVANT QS-21 AND POLYSORBATE OR CYCLODEXTRIN AS EXCIPIENT例文帳に追加
アジュバントQS−21および賦形剤としてポリソルベートまたはシクロデキストリンを含む組成物 - 特許庁
When detecting the failure of the motor terminal voltages M1, M2, the CPU 21 calculates the Id, Ih, and If with the steering angle speed Qs set as a fixed value.例文帳に追加
CPU21はモータ端子電圧M1,M2の異常を検出した際、操舵角速度Qsを固定値に設定して前記Id、Ih、Ifを演算する。 - 特許庁
An EL display device has a display panel part 21 and each pixel 30 of the display panel part 21 is provided with one switching transistor Qs, an organic EL element 31, and a holding capacitor C1.例文帳に追加
EL表示装置は表示パネル部21を有し、表示パネル部21の各画素30には、一つのスイッチング用トランジスタQsと、有機EL素子31と、保持用キャパシタC1とが設けられている。 - 特許庁
Then, the selective MISFET Qs of the DRAM memory cell region keep connecting holes 19 and 21, opened in the first sidewall spacers 14 in a self-aligned manner so that a junction is formed which connects a conductor 20 to a bit-line BL.例文帳に追加
次に、DRAMのメモリセル領域の選択MISFETQsにおいては接続孔19,21が第1サイドウォールスペーサ14に対して自己整合で開口され、導電体20およびビット線BLの接続部が形成される。 - 特許庁
The CPU 21 calculates damper current Id, steering wheel return current Ih, and friction compensation current If respectively which are compensation control current values, based on steering angle speed Qs calculated based on the inter-terminal voltage Vm of a motor 6.例文帳に追加
CPU21はモータ6の端子間電圧Vmに基づいて演算された操舵角速度Qsに基づき補償制御電流値であるダンパ電流Id、ハンドル戻し電流Ih、摩擦補償電流Ifをそれぞれ演算する。 - 特許庁
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「QS-21」の部分一致の例文検索結果
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A through-hole 43 and a contact hole 21, which connect the lower electrode 49 of the noise reduction capacitor Cn to an N+-type semiconductor region 6 are wider in opening area than a through-hole 43 and a contact hole 21 which connect the data storage capacitor element Cs to either of the source and drain (N--type semiconductor region 11) of the memory cell selection MISFET Qs.例文帳に追加
また、ノイズ対策用容量素子Cn の下部電極49とn^+ 型半導体領域6とを接続するスルーホール43とコンタクトホール21の開孔面積は、情報蓄積用容量素子Cs とメモリセル選択用MISFETQs のソース、ドレイン(n^- 型半導体領域11)の一方とを接続するスルーホール43とコンタクトホール21の開孔面積よりも広い。 - 特許庁
The amount of the saturated electric charges Qs is increased by changing the power supply voltage AVD of a pixel 20 by ΔV to the positive side for a read period of the signal electric charges by a read transistor 22 so as to make the voltage between a photodiode 21 and the floating diffusion region FD larger than the voltage between the photodiode 21 and the floating diffusion region FD in a reset state.例文帳に追加
読み出しトランジスタ22による信号電荷の読み出し期間で画素20の電源電圧AVDをΔVだけプラス側に変動させ、フォトダイオード21と浮遊拡散領域FDとの間の電位差(ポテンシャル)を、リセット状態でのフォトダイオード21と浮遊拡散領域FDとの間の電位差よりも大きくすることによって飽和電荷量Qsを上げる。 - 特許庁
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