QBDとは 意味・読み方・使い方

The relation between a negative stress gate voltage and an injection electron total amount QBD for bringing about a dielectric breakdown are obtained.例文帳に追加

負のストレスゲート電圧と絶縁破壊を起こす注入電子総量Ｑ_BDとの関係を求める。 - 特許庁

The total electron injection quantity QBD in the case when the occurrence rate of dielectric breakdown of a 7 nm thick silicon oxide film reaches 63.2% is obtained.例文帳に追加

膜厚が７ｎｍのシリコン酸化膜の絶縁破壊発生率が６３．２％になるときの総電子注入量Q_BDを求める。 - 特許庁

To provide a method of forming a silicon oxide film of good quality having both excellent Qbd characteristics and Rd characteristics, and then to provide a semiconductor device with high reliability.例文帳に追加

優れたＱｂｄ特性とＲｄ特性を兼ね備えた良質な酸化珪素膜を形成する方法を提供し、もって信頼性の高い半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

A great deal of hydrogen existing in the second silicon nitride film 23 which penetrates into gate film 4, 6 is reduced by the first silicon nitride film 22, thereby, the values of Qbd for the gate oxide films 4, 6 can be elevated.例文帳に追加

第１層目のシリコン窒化膜２２で、第２層目のシリコン窒化膜２３内にある多量の水素を、ゲート酸化膜４、６に入り込むことを低減することで、ゲート酸化膜４、６のＱbd値を大幅に大きくすることができる。 - 特許庁