STI2とは 意味・読み方・使い方

An STI2 is formed on a silicon substrate 1, and an active region 3 is formed as a zone.例文帳に追加

シリコン基板１にＳＴＩ２を形成し、活性領域３を区画形成する。 - 特許庁

A silicon substrate 1 is isolated into active regions 3 with STI2 that is formed by embedding a silicon oxide film 4.例文帳に追加

シリコン基板１は、シリコン酸化膜４を埋め込み形成したＳＴＩ２により活性領域３に分離される。 - 特許庁

The barrier layer 7 is so provided at the position shallower than the STI2 so that its periphery contacts to the side surface of the embedded insulating film 2.例文帳に追加

このバリア層７は、ＳＴＩ２より浅い位置に、周辺が埋め込み絶縁膜２の側面に接するように設けられる。 - 特許庁

Then, a portion near an STI2 in the heavily-doped drain region 7b comes into direct contact with a substrate region 1a, without going though the lightly- doped drain region 6b.例文帳に追加

そして、高濃度ドレイン領域７ｂのうちＳＴＩ２に近い部分は、低濃度ドレイン領域７ｂを介することなく直接基板領域１ａに接している。 - 特許庁

Since the perimeter and bottom surface of the transistor 10, 20 formation region are surrounded with the STI2 and the barrier layer 7, effects to adjacent elements voltage fluctuation of the transistor 10, 20 formation region on an adjoining element when α ray enters are suppressed.例文帳に追加

トランジスタ１０、２０形成領域の周囲及び底面がＳＴＩ２及びバリア層７により囲まれるから、α線入射時のトランジスタ１０、２０形成領域の電圧変動が、隣接する素子へ及ぼす影響が抑制される。 - 特許庁

A barrier layer 7 comprising an impurity region of the same conductive type as source-drain regions 4 and 5 is provided, just under the source-drain regions 4 and 5 of transistor 10, 20 formation region subject to element separation by an STI2 comprising an embedded insulating film.例文帳に追加

埋め込み絶縁膜からなるＳＴＩ２により素子分離されたトランジスタ１０、２０形成領域のソース・ドレイン領域４、５の直下に、ソース・ドレイン領域４、５と同一導電型の不純物領域からなるバリア層７を設ける。 - 特許庁