SBLIとは 意味・読み方・使い方

A memory cell has a first conductivity-type semiconductor step, two second conductivity-type semiconductor regions SBLi, SBLi+1 (i: natural number) functioning as the sources or drains and two mutually insulated memory gate electrodes (CGa or CGb, WL1) facing the sidewalls of the step, interposed with a gate dielectric film CS having charge-storing power.例文帳に追加

第１導電型半導体の段差と、その上部と下部に形成され、ソースまたはドレインとして機能する２つの第２導電型半導体領域ＳＢＬｉ，ＳＢＬｉ＋１（ｉ：自然数）と、電荷蓄積能力を有したゲート誘電体膜ＣＳを介在させて段差の側壁にそれぞれ対峙し、かつ互いに絶縁された２つのメモリゲート電極（ＣＧａまたはＣＧｂ，ＷＬ１）とを有している。 - 特許庁