SLsとは 意味・読み方・使い方

Shunt lines SLs are additionally provided over the laminate 14, together with bit lines BLs.例文帳に追加

また、積層体１４の上方には、ビット線ＢＬと共に、シャント配線ＳＬを設ける。 - 特許庁

To improve productivity by saving time for manufacturing an element by improving a conventional SLS apparatus.例文帳に追加

従来のＳＬＳ装置を改善して素子を製作する時間を節減して生産性を改善する。 - 特許庁

A first buffer layer 12, a second buffer layer 14, an SLS layer 16, an MQW light emitting layer 18, an SLS layer 20, an electrode forming layer 22, a p-type electrode 24, and an n-type electrode 26 are formed on a substrate 10.例文帳に追加

基板１０上に第１バッファ層１２、第２バッファ層１４、ＳＬＳ層１６、ＭＱＷ発光層１８、ＳＬＳ層２０、電極形成層２２、ｐ電極２４、ｎ電極２６を形成する。 - 特許庁

The mask pattern is a mask pattern for sequential lateral solidification (SLS), and the mask pattern includes a first set slit for achieving a first 2-shot SLS process (a), and a second set slit for forming a desired angle to the first set slit for achieving a second 2-shot SLS process.例文帳に追加

本発明のマスクパターンは、逐次横成長結晶化（ＳＬＳ）のためのマスクパターンであって、ａ）第１の２ショットＳＬＳプロセスを達成するための第１のセットのスリットと、ｂ）第２の２ショットＳＬＳプロセスを達成するための、該第１のセットのスリットに対して所望の角度をなす第２のセットのスリットとを含む。 - 特許庁

Since an INT system is independent of the SLS system, a question signal transmitted from an INT antenna 12 is transmitted with constant power by either SLS or ISLS, not changing SSR coverage.例文帳に追加

このとき、ＩＮＴ系はＳＬＳ系とは独立しているため、ＩＮＴアンテナ１２から送出される質問信号は、ＳＬＳ／ＩＳＬＳのいずれでも一定の電力で送信され、ＳＳＲ覆域は変化しない。 - 特許庁

In the GaN-based light emitting element, an n-type GaN layer 12, n-type SLS layer 14, light emitting layer 16, p-type SLS layer 17, p-type GaN layer 18, p-type electrode pad 20, n-type electrode pad 22, and transparent electrode 24 are successively formed on a substrate 10.例文帳に追加

基板１０上にｎ型ＧａＮ層１２、ｎ型ＳＬＳ層１４、発光層１６、ｐ型ＳＬＳ層１７、ｐ型ＧａＮ層１８、ｐ型電極パッド２０、ｎ型電極パッド２２、透明電極２４を形成する。 - 特許庁

In time of ISLS transmission, P1, P2 and P3 signals are transmitted from the SLS antenna 13 via the power amplifier 15.例文帳に追加

ＩＳＬＳ送信時には、Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３信号が電力増幅器１５を介してＳＬＳアンテナ１３から送出される。 - 特許庁

In this memory, tunnel magneto resistance elements TMRs constituting an MTJ (magnetic tunneling junction) memory cell are connected among sub-bit lines SBLs and straps SLs.例文帳に追加

ＭＴＪメモリセルを構成するトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲは、サブビット線ＳＢＬとストラップＳＬとの間に接続される。 - 特許庁