Separation logicとは 意味・読み方・使い方

By the method for forming the dummy layer of the semiconductor device, the element separation film 402 for composing the dummy active region 403 is formed in the logic region on the semiconductor substrate 401, the first dummy pattern 404 is formed on the element separation film 402, and the second dummy pattern 405a for surrounding the first dummy pattern 404 is formed.例文帳に追加

本発明による半導体素子のダミー層形成方法によれば、半導体基板(401)上のロジック領域に、ダミーアクティブ領域(403)を構成する素子分離膜(402)を形成し、素子分離膜(402)上に第１ダミーパターン(404)を形成し、第１ダミーパターン(404)を包囲する第２ダミーパターン(405a)を形成する。 - 特許庁

This image processor comprises a judging means 12 for judging a color separation component that needs logical operation processing in the case of needing the logical operation processing in making image formation data composed of the plurality of color separation components raster and a logic operation means 13 for applying logical operation processing only to the color separation component judged to be needed.例文帳に追加

複数の色分解成分からなる画像形成データのラスター化にあたって論理演算処理が必要となる場合に、その論理演算処理が必要となる色分解成分を判断する判断手段１２と、必要と判断した色分解成分に対してのみ論理演算処理を実行する論理演算手段１３とを備えて、画像処理装置を構成する。 - 特許庁

After a first resist pattern 52 for opening a logic element formation region 32 is formed, a third insulating film 18A made of silicon oxide is etched by a fluoric acid aqueous solution with the first resist pattern 52 as a mask, thus removing a portion for covering the logic element formation region 32 including a buried element separation film 15B of the third insulating film 18A.例文帳に追加

ロジック素子形成領域３２を開口する第１のレジストパターン５２を形成した後、第１のレジストパターン５２をマスクとして、酸化シリコンからなる第３の絶縁膜１８Ａに対して、弗酸水溶液によるエッチングを行なうことにより、第３の絶縁膜１８Ａの埋め込み素子分離膜１５Ｂを含むロジック素子形成領域３２を覆う部分を除去する。 - 特許庁

This provides a method for manufacturing the semiconductor device having the logic and the flash memory more microscopic than a level of 0.18 μm capable of easily and accurately manufacturing the groove element separation, and this provides the semiconductor device.例文帳に追加

従って、０．１８μｍレベルよりも微細なロジックとＦｌａｓｈメモリを混載した半導体装置において、溝型素子分離の製造を容易な方法で高精度に行うことのできる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供することができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having both a logic more microscopic than a level of 0.18 μm and a flash memory, capable of easily and accurately manufacturing a groove type element separation, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

０．１８μｍレベルよりも微細なロジックとＦｌａｓｈメモリを混載した半導体装置において、溝型素子分離の製造を容易な方法で高精度に行うことのできる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

Then, a second insulating film 17A made of silicon nitride is etched by a heated phosphor aqueous solution with the third exposed insulating film 18A as the mask, thus removing a portion for covering the logic element formation region 32 containing the buried element separation film 15B in the second insulating film 17A.例文帳に追加

次に、露出した第３の絶縁膜１８Ａをマスクとして、窒化シリコンからなる第２の絶縁膜１７Ａに対して、熱リン酸水溶液によるエッチングを行なうことにより、第２の絶縁膜１７Ａにおける埋め込み素子分離膜１５Ｂを含むロジック素子形成領域３２を覆う部分を除去する。 - 特許庁

The template 1 in design and manufacture processes is divided into the two of a standard template 2 and a job template 3, and in an operating system 4, a data base 5 and a development tool 6, separation from the part of job logic 7 is performed and the form of filling the two templates of the standard template 2 and the job template 3 between them is adopted.例文帳に追加

設計、製造過程におけるテンプレート１を標準テンプレート２と業務テンプレート３の二つに分け、オペレーティングシステム４、データベース５、開発ツール６に関して、業務ロジック７の部分と切り離して、これらの間には、標準テンプレート２と業務テンプレート３の二つのテンプレートを埋める形態を採る。 - 特許庁

Devices connected to the bus searched before and after detected bus reset are compared, when the printing device to execute printing is judged as the generation source of bus reset as a result, the connection of that printing device is logically separated from an IEEE1394 bus and the logic separation of the bus connection is reported (S5).例文帳に追加

検出したバスリセットの前後で探索したバスに接続したデバイスを比較して、その結果、印刷を実行する印刷デバイスがバスリセットの発生源と判断した場合は、該印刷デバイスの接続を論理的にＩＥＥＥ１３９４バスから離脱させ、バス接続が論理的に離脱したことを報知する(Ｓ5)。 - 特許庁