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Si substrateとは 意味・読み方・使い方
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「Si substrate」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 2003件
To solve the problem of occurrence of stress when an Si oxide film and Si on an Si substrate are bonded to each other, due to a difference in thermal expansion coefficient between Si and the Si oxide film.例文帳に追加
Si基板上のSi酸化膜とSiとの接合においては、SiとSi酸化膜との熱膨張係数の差による応力が発生する。 - 特許庁
The Si substrate is constituted in a two layer structure in which a p type high resistance Si layer is laminated on a p type low resistance Si layer.例文帳に追加
Si基板は、p型低抵抗Si層の上にp型高抵抗Si層を積層した２層構造になっている。 - 特許庁
LASER BEAM MACHINING METHOD OF Si SUBSTRATE例文帳に追加
Ｓｉ基板のレーザ加工方法 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF STRAINED Si SUBSTRATE例文帳に追加
歪Ｓｉ基板の製造方法 - 特許庁
Then, an Si substrate 12 is etched and removed (Si substrate removal process).例文帳に追加
ついで、Ｓｉ基板１２をエッチングし、除去する（Ｓｉ基板除去工程）。 - 特許庁
A large area of the Si substrate is polished with a grinder (Si substrate polishing step), subsequently the Si substrate is etched (Si substrate etching step).例文帳に追加
グラインダを用いてＳｉ基板の大部分を研磨し（Ｓｉ基板研磨工程）、引き続き、Ｓｉ基板をエッチングする（Ｓｉ基板エッチング工程）。 - 特許庁
POLISHING METHOD OF Si SUBSTRATE SURFACE例文帳に追加
Ｓｉ基板表面の研磨方法 - 特許庁
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「Si substrate」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 2003件
An Ar^+ ion is implanted into a substrate 1 compound of crystalline Si.例文帳に追加
結晶Siからなる基板１に、Ar^+イオンの注入を行う。 - 特許庁
Si-DOPED GALLIUM ARSENIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加
Ｓｉ添加砒化ガリウム単結晶基板 - 特許庁
The Si substrate 1 is a bulk single crystal substrate or a thin film substrate an uppermost layer of which is Si.例文帳に追加
Ｓｉ基板１は、バルク単結晶基板又は最上層がＳｉである薄膜基板である。 - 特許庁
An Si oxide film 2 and an Si nitride film 3 are successively formed on an Si substrate 1.例文帳に追加
Ｓｉ基板１の上に、Ｓｉ酸化膜２及びＳｉ窒化膜３を順次形成する。 - 特許庁
The electrode 18 may be formed on the Si surface of the substrate 11.例文帳に追加
また、電極１８は、基板１１のSi面に形成されてもよい。 - 特許庁
To provide a GaN-based HEMT that is formed by utilizing a GaN-HEMT on Si substrate and prevents carrier storage layers from existing in the multilayer (GaN/AlN) buffer layer and Si substrate.例文帳に追加
GaN-HEMT on Si基板を利用して形成されるGaN系HEMTにおいて、多層(GaN/AlN)バッファ層及びSi基板中にキャリア蓄積層が存在しない。 - 特許庁
To provide an Si substrate working method for accurately working an Si substrate using Si anisotropic dry etching.例文帳に追加
Ｓｉ異方性ドライエッチングを用いて精度良くＳｉ基板を加工するＳｉ基板加工方法を提供する。 - 特許庁
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