Si waveguideとは 意味・読み方・使い方

The low propagation loss optical waveguide is characterized in that a substrate with a monocrystal layer of Si, SiGe, or Ge, is used to form the optical waveguide on the monocrystal layer, and minute surface roughness present on the side face of the optical waveguide is improved by heat-treating the optical waveguide in a atmosphere of argon at a temperature of 500 to 1350°C.例文帳に追加

Si、SiGe又はGeの単結晶層を有する基板を用いて、該単結晶層に光導波路を形成し、温度500〜1350℃のアルゴン雰囲気中で熱処理することにより、該光導波路の側面に存在する微小な面荒れを改善することを特徴としている。 - 特許庁

The OBO flat surface waveguide element 1 is equipped with an Si substrate 102, an SiO_2 layer 103 formed on the Si substrate 102, and a plurality of mutually parallel Si optical waveguides 104 arranged on the Si substrate 102.例文帳に追加

ＯＢＯ平面導波路素子１は、Ｓｉ基板１０２と、Ｓｉ基板１０２上に形成されたＳｉＯ_2層１０３と、Ｓｉ基板１０２上に設けられた互いに平行な複数のＳｉ光導波路１０４とを備えている。 - 特許庁

This optical waveguide platform is constituted by forming the optical waveguide 4 consisting of a core 42 and clads 41, 43 by a quartz material on the Si substrate 1, mounting the optical element 8, such as laser diode, on the Si substrate 1 facing the optical waveguide end of the optical waveguide and forming the electrode wiring to execute the electrical connection to the optical element 8.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に石英系材料でコア４２及びクラッド４１，４３よりなる光導波路４が形成され、光導波路の光導波端に臨むＳｉ基板１上にレーザダイオード等の光素子８が搭載され、この光素子８に対して電気接続を行う電極配線が形成される。 - 特許庁

To provide a method for co-integrating a photonic device, a Ge waveguide built-in photodetector, and a hybrid III-V/Si laser on a Si-base photonic platform.例文帳に追加

Ｓｉベースのフォトニクスプラットフォーム上で、フォトニックデバイス、Ｇｅ導波路一体型光検出器、およびハイブリッドＩＩＩ−Ｖ／Ｓｉレーザの共集積化のための方法を提供する。 - 特許庁

An optical waveguide element 100 comprises a Si-substrate 102, a 1st light wave circuit layer 112 and a 2nd light wave circuit layer 120 sequentially laminated on the Si-substrate 102.例文帳に追加

光導波路素子１００は，Ｓｉ基板１０２と基板１０２上に順次積層された第１光波回路層１１２及び第２光波回路層１２０とを備えている。 - 特許庁

An SI-InP layer 506 is provided, covering a top face of the i-InGaAsP optical waveguide layer 503 and a side face of the i-InGaAsP optical waveguide layer 503.例文帳に追加

ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層５０３の上面とｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層５０３の側面とを覆うＳＩ−ＩｎＰ層５０６が設けられている。 - 特許庁

In the optical waveguide element 30 wherein the optical waveguide is formed on a substrate 10 consisting of Si or quartz and the semiconductor laser is directly combined to the end surface of the optical waveguide, the core 13 of the optical waveguide is formed of material having the refractive index of 1.75 to 2.7.例文帳に追加

Ｓｉまたは石英からなる基板10上に光導波路が形成されてなり、この光導波路の端面に半導体レーザが直接結合される光導波路素子20において、光導波路のコア13を屈折率１．７５〜２．７の材料から形成する。 - 特許庁

In this electronic component packaging substrate, a polymer layer 2 for forming an optical waveguide 21, and a cushioning layer 31 consisting of metallic material having middle coefficient of linear expansion of the coefficient of linear expansion of the Si substrate 1 and the coefficient of linear expansion of polymer for forming the polymer layer 2, are formed above the Si substrate 1.例文帳に追加

本発明の電子部品実装基板は、Si基板1の上方に、光導波路21を形成するためのポリマー層2と、Si基板1の線膨張係数とポリマー層2を形成するポリマーの線膨張係数の中間の線膨張係数を有する金属材料からなる緩衝層31とを設けている。 - 特許庁