Si-Fとは 意味・読み方・使い方

The insulating film is formed on the Si substrate after cleaning in the state that F is retained.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に、Ｆが残留した状態で、洗浄後のＳｉ基板上に、絶縁膜を形成する。 - 特許庁

As the result, F radicals contained in the plasma are combined with the emitted Si atoms to form SiF_n (n=1, 2, 3, 4).例文帳に追加

この結果、プラズマ中のＦラジカルは、放出されたＳｉ原子と結合し、ＳｉＦ_n（ｎ＝１，２，３，４）となる。 - 特許庁

This high-toughness non-heat treated forged steel product contains C, Si, Mn, and V and has a Gf particle size number of No.11 or higher and a ferrite area ratio (f) satisfying inequality (1): {1-1.5[C]}(%)≤f例文帳に追加

Ｃ、Ｓｉ、ＭｎおよびＶを含有させ、かつＧｆ粒度番号がＮｏ．１１以上でフェライト面積率ｆが下記式（１）を満たすようにする。 - 特許庁

While a p-channel MISFET is covered with a mask layer RM, ion (including at least a kind of F, Si, C, Ge, Ne, Ar, and Kr) is implanted to the n-type source region and n-type drain region of n-channel MISFET.例文帳に追加

マスク層ＲＭによりＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴを覆いつつ、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのＮ型ソース領域およびＮ型ドレイン領域に、イオン（F,Si,C,Ge,Ne,Ar,Krのうち少なくとも一種類を含む）を注入する。 - 特許庁

While a P-channel type MISFET is covered by a mask layer RM, ion (at least one of F, Si, C, Ge, Ne, Ar, and Kr is included) is implanted into an N-type source region and an N-type drain region of N-channel type MISFET.例文帳に追加

マスク層ＲＭによりＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴを覆いつつ、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのＮ型ソース領域およびＮ型ドレイン領域に、イオン（F,Si,C,Ge,Ne,Ar,Krのうち少なくとも一種類を含む）を注入する。 - 特許庁

To effectively lower an interface level in an interface between an Si substrate and a gate insulating film while suppressing the damage of the Si substrate or a mixture of F in the gate insulating film and a gate oxide film due to an F ion implantation.例文帳に追加

Ｆイオン注入によるＳｉ基板へのダメージや、ゲート絶縁膜、ゲート酸化膜へのＦの混入を抑えつつ、効果的に、Ｓｉ基板と、ゲート絶縁膜との界面における界面準位を低下させる。 - 特許庁

When this fluorine F is introduced into the process chamber 2, the fluorine F reacts chemically with the Si film and SiO2 film sticking to the inside wall, etc., of the process chamber 2 and the Si film and SiO2 film are decomposed away.例文帳に追加

このフッ素Ｆがプロセスチャンバー２内に導入されると、プロセスチャンバー２の内壁等に付着したＳｉ膜やＳｉＯ_2膜に対してフッ素Ｆが化学反応し、Ｓｉ膜及びＳｉＯ_2膜が分解除去される。 - 特許庁

The synthetic quartz glass has 50-1000 ppm of the fluorine concentration and 50 ppm or less of the fluorine concentration of Si-Fn bond (n≥2) or 85% or more of fluorine in Si-F bond based on fluorine in synthetic quartz glass.例文帳に追加

合成石英ガラス中のフッ素濃度を50〜1000ppmとし、Si-Ｆ_ｎ (n≧2)結合をなすフッ素の濃度を50ppm以下にする、あるいはSi-Ｆ結合をなすフッ素が合成石英ガラスに含有されるフッ素の85％以上にすることで、高いレーザ光耐久性を有する合成石英ガラスを得る。 - 特許庁