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TDDBとは 意味・読み方・使い方
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「TDDB」を含む例文一覧
該当件数 : 32件
To maintain a fine structure of wiring, to secure a TDDB lifetime, and to obtain low resistance.例文帳に追加
配線の微細構造の維持、ＴＤＤＢ寿命の確保および低抵抗を実現する。 - 特許庁
To provide a semiconductor integrated circuit device which has a capacitor element with an improved TDDB life.例文帳に追加
ＴＤＤＢ寿命が改善された容量素子を有する半導体集積回路装置を提供すること。 - 特許庁
To provide a method for greatly contributing to the reliability of a device, in which the TDDB (Time Dependent Dielectric Breakdown) of a PMOS is improved, and a gate leak current is effectively suppressed, by including a substance which can include charges infinitely in a conventional PMD.例文帳に追加
従来のPMDにチャージを無限に含むことができる物質を包含させることで、PMOSのTDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)向上またはゲート漏えい電流を效果的に抑制することができて、素子の信頼性に大きく寄与する方法を提供する。 - 特許庁
To realize NBTI deterioration simulation and TDDB failure simulation which are very accurate and have wide application by creating an accurate NBTI (Negative Bias Temperature Instability) life model and TDDB (Time Dependent Dielectric Breakdown) life model and using them.例文帳に追加
高精度のＮＢＴＩ寿命モデルおよびＴＤＤＢ寿命モデルを新たに作成し、該モデルを使用することにより、高精度で応用範囲の広いＮＢＴＩ劣化シミュレーションおよびＴＤＤＢ故障シミュレーションを実現する。 - 特許庁
These series of measurement and processing are simpler and more efficient than the actual conventional measurement of TDDB.例文帳に追加
これら一連の測定並びに処理は、従来の経時絶縁破壊特性の実測よりも簡易且つ効率的である。 - 特許庁
To improve the reliability of a copper wire of a semiconductor device in both of TDDB life and EM life.例文帳に追加
半導体装置の銅配線の信頼性をＴＤＤＢ寿命とＥＭ寿命との双方に関して向上させる。 - 特許庁
To provide a semiconductor device provided with wiring for which a leakage current among the wiring is reduced and TDDB characteristics are improved.例文帳に追加
配線間のリーク電流を低減し、ＴＤＤＢ特性の向上した配線を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁
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「TDDB」を含む例文一覧
該当件数 : 32件
To provide a capacitor with a large capacitance, reduced leakage current, and prolonged lifetime of time-dependent dielectric breakdown (TDDB), and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加
大容量でリーク電流が少なく、経時的絶縁破壊（ＴＤＤＢ）寿命の長いキャパシタおよびその製造方法の提供。 - 特許庁
To secure the life of constant voltage TDDB of a gate insulation film of an in-process charge-up protection element which uses a MOS diode element etc.例文帳に追加
ＭＯＳ型ダイオード素子等を用いた工程中チャージアップ保護素子のゲート絶縁膜の定電圧ＴＤＤＢ寿命を確保する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device for controlling TDDB even when alignment of via and lead wire is deviated and also provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加
ビア・配線間の重ね合わせがずれた場合にもＴＤＤＢを抑制できる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
This can reliably prevent a TDDB degradation of the capacitor to prevent malfunction of a semiconductor device mounted with the reset circuit and a system.例文帳に追加
この結果、キャパシタのＴＤＤＢの劣化を確実に防止でき、リセット回路を搭載する半導体装置およびシステムの誤動作を防止できる。 - 特許庁
Thus, an EM life of wiring formed in the neighborhood of the interlayer insulation film IL2 and a line-to-line TDDB life of the wiring are prevented from degrading.例文帳に追加
これにより、層間絶縁膜ＩＬ２に隣接して形成される配線のＥＭ寿命および前記配線の線間ＴＤＤＢ寿命の劣化を防ぐ。 - 特許庁
To provide a method and a device for efficiently predicting dielectric breakdown over aging (TDDB) over a wide region with fewer number of insulating film samples.例文帳に追加
広領域の経時絶縁破壊特性（ＴＤＤＢ）を、より少ない絶縁膜試料数で効率的に予測する方法及び装置を提供すること。 - 特許庁
To provide a method and a system for evaluating an insulation film in which TDDB test accuracy is enhanced in a thin film region while shortening the test time.例文帳に追加
薄膜領域でのＴＤＤＢ試験精度の向上と時間短縮とを実現するための絶縁膜の評価方法及び評価装置を提供する。 - 特許庁
To form an extremely thin oxide-nitride film with improved film thickness and composition accuracy and improved TDDB and TZDB characteristics being used for a gate insulation film.例文帳に追加
ゲート絶縁膜に用いる膜厚及び組成精度高く且つＴＤＤＢ特性及びＴＺＤＢ特性に優れた極薄の酸窒化膜を形成できるようにする。 - 特許庁
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