TMVSとは 意味・読み方・使い方

The wafer W is put in a chamber 1, and Cu(hfac)(TMVS) being a monovalent Cuβ diketone complex and a reducing agent, such as ammonia, a reducing Si compound, and carboxylic acid, reducing the Cu(hfac)(TMVS) are introduced into the chamber 1 in a vapor-phase state to form the Cu film on the wafer W by a CVD method.例文帳に追加

チャンバー１内にウエハＷを収容し、チャンバー１内に１価Ｃｕβジケトン錯体であるＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳと、これを還元するアンモニア、還元性Ｓｉ化合物、カルボン酸などの還元剤とを気相状態で導入して、ウエハＷ上にＣＶＤ法によりＣｕ膜を成膜する。 - 特許庁

This CVD device forming a copper film for wiring on a substrate is provided with a 1st CVD module 15 forming a copper film as a base by using a Cu(hfac)(tmvs) raw material low in a film forming rate and a 2nd CVD module 16 executing film formation of thickening a copper film by using a Cu(hfac)(atms) raw material high in a film forming rate.例文帳に追加

基板に配線用銅膜を成膜するＣＶＤ装置は、成膜速度が小さいCu(hfac)(tmvs)系原料を用いて下地としての銅膜を成膜する第１ＣＶＤモジュール１５と、成膜速度が大きいCu(hfac)(atms)系原料を用いて銅膜の厚みを厚くする成膜を行う第２ＣＶＤモジュール１６を備える。 - 特許庁

A copper adhesive layer is deposited on a substrate by feeding a raw material gas consisting of an organic compound of copper (for example, copper hexafluoroacetylacetonate-trimethylvinylsilane [Cu(hfac)TMVS]) in a state in which steam is present in a treatment vessel with the substrate being placed therein.例文帳に追加

基板が載置された処理容器内に水蒸気が存在する状態で、銅の有機化合物（例えばＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳ）からなる原料ガスを供給して基板上に銅の密着層を形成する。 - 特許庁

To make better the thermal stability of this invention, to satisfactorily induce the generation of nuclei, to impart low resistance thereto even at low temp. and to make microvoids hard to be generated at the time of forming a Cu film by a CVD method with a Cu (hfac) (tmvs) cocktail as the raw material.例文帳に追加

Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ｔｍｖｓ）カクテルを原料としてＣＶＤ法でＣｕ膜を形成するとき、熱安定性を良くし、核発生が良好に誘起され、低温であっても低抵抗でマイクロボイドが発生しにくくする。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for covering and embedding micro recesses on a base material in which the configuration and the control are simple, the film deposition speed is high, and expensive raw materials such as organic complexes Cu(hfac), (tmvs) can be effectively utilized.例文帳に追加

簡単に構成及び制御でき、膜堆積速度が速く、且つ例えば有機錯体Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ｔｍｖｓ）のような高価な原料を有効に利用できる基材面微細凹み被覆・埋込み方法及び装置を提供すること。 - 特許庁

As the raw material used for the formation of a Cu film on the surface of a substrate by a Cu-CVD process, the liq. raw material made by adding any of 2-butyne, tmvs, 3-Hex and 1,5-COD to Cu (hfac) (atms) is used.例文帳に追加

Ｃｕ−ＣＶＤプロセスによって基板表面にＣｕ膜を形成する方法に使用される原料として、Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ａｔｍｓ）に２−ｂｕｔｙｎｅ、ｔｍｖｓ、３−Ｈｅｘ、１，５−ＣＯＤのうちいずれかを添加して作られる液体原料が使用される。 - 特許庁

Subsequently, laser beams 5 are overlappingly scanned in the atmosphere of a second CVD gas 4 of DMAu-Tfac or HfacCu-tmvs, whereby a conductive film 6 made of Au or Cu which is electrically connected to the contact 3 at a low resistance is formed.例文帳に追加

続いて、ＤＭＡｕ−ＴｆａｃまたはＨｆａｃＣｕ−ｔｍｖｓの第２のＣＶＤガス４雰囲気中でレーザ光５を重畳走査することによって、コンタクト３と電気的に低抵抗で接続されるＡｕまたはＣｕからなる導電性膜６を形成する。 - 特許庁

A CVD method is carried out by using Cu (hfac) tmvs as VCD material and setting a substrate temperature at a temperature in the vicinity of a boundary temperature, at which a governing mechanism of Cu layer deposition reaction on a substrate surface varies from a surface reaction governing type to a source material supply governing type, or a temperature higher therethan.例文帳に追加

Ｃｕ（ｈｆａｃ）ｔｍｖｓをＣＶＤ原料として使い、基板温度を基板表面におけるＣｕ層の堆積反応の律速機構が表面反応律速型から原料供給律速型に変化する境界温度近傍の温度、あるいはそれ以上の温度に設定してＣＶＤ法を実行する。 - 特許庁