Tr-1とは 意味・読み方・使い方

Tr.1 releases Ch.1 if pronunciation ends and then Tr.9, which first starts pronunciation, occupies Ch.1.例文帳に追加

また、Ｔｒ．１は、発音を終了すると、Ｃｈ．１を解放し、その後最初に発音を開始するＴｒ．９がＣｈ．１を占有する。 - 特許庁

In the case that there is necessity of connection of the terminal resistor TR1 on the basis of the result of measurement of impedance, termination resistors TR-1, TR-2 built in the ISDN line device A in advance are connected by closing termination resistor changeover switches 14-1, 14-2.例文帳に追加

インピーダンス測定結果により、終端抵抗器TR1接続の必要性があると判定された場合には、終端抵抗切換スイッチ14-1、14-2をオンにすることにより、あらかじめISDN回線装置Ａに内蔵されている終端抵抗器TR-1、TR-2が接続される。 - 特許庁

The base-emitter voltage of the first (second) emitter follower TR 11 (12) practically coincides with that of the second (first) amplification TR.例文帳に追加

第1(第2)のエミッタフォロワ・トランジスタのベース-エミッタ電圧は、実質的に第2(第1)の増幅トランジスタのベース-エミッタ電圧に一致する。 - 特許庁

The transistors TR (1) and TR (2) are switched alternately to conducting state at the same timing as the transistors TR (0) is switched to the conducting state.例文帳に追加

このとき、トランジスタＴＲ（０）が通電状態にされるタイミングと同じタイミングで、交互にトランジスタＴＲ（１）およびトランジスタＴＲ（２）が通電状態にされる。 - 特許庁

A deep N-well 4 is formed in a memory cell Tr 50 region of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板1のメモリセルTr50領域には、ディーフ゜Nウェル4が形成されている。 - 特許庁

A differential pair 3 connected to a constant current source 4 consists of a 1st PMOS TR 1 and a 2nd PMOS TR 20 whose gate threshold voltage is higher than that of the TR 1.例文帳に追加

定電流源４に接続された差動対３は、第１のＰＭＯＳ型トランジスタ１及びこれよりゲートしきい値電圧が大きな値の第２のＰＭＯＳ型トランジスタ２０より成る。 - 特許庁

The base terminal of a first amplification transistor(TR) 41 is coupled to the emitter terminal of a first emitter follower TR 11, and the base terminal of a second amplification TR 42 is coupled to the emitter terminal of a second emitter follower TR 12, and the emitter terminals of first and second amplification TRs 41 and 42 are coupled with a first emitter impedance between them.例文帳に追加

第1の増幅トランジスタのベース端子は第1のエミッタフォロワトランジスタのエミッタ端子に結合され、第2の増幅トランジスタのベース端子は第2のエミッタフォロワ・トランジスタのエミッタ端子に結合され、第1及び第2の増幅トランジスタのエミッタ端子は第1のエミッタ・インピーダンスを介して結合される。 - 特許庁

For this mirror circuit, a transistor Tr.01 for voltage generation is provided near transistors Tr.1 and Tr.2 for constant current generation and a transistor Tr.2 for the voltage generation is provided near the transistor Tr.3 for the constant current generation respectively.例文帳に追加

たとえば、定電流発生用トランジスタＴｒ．１，Ｔｒ．２の近傍には電圧発生用トランジスタＴｒ．０１を、また、定電流発生用トランジスタＴｒ．３の近傍には電圧発生用トランジスタＴｒ．０２を、それぞれ設ける。 - 特許庁