Ta2O5とは 意味・読み方・使い方

SINTERED AND DOPED PRODUCT BASED ON ZIRCON + Nb2O5 OR Ta2O5例文帳に追加

ジルコン＋Ｎｂ２Ｏ５またはＴａ２Ｏ５ベースの焼成及びドープ生成物 - 特許庁

The granular film 6 (granular magneto-optical thin film) is interposed between a (SiO2/Ta2O5)n layer 4 and a (Ta2O5/SiO2)n layer 5, and the 1-dimensional photo nic crystal (magneto-optical body) 1 is composed.例文帳に追加

（SiO_2 /Ta_2O_5）^n 層４及び（Ta_2O_5 /SiO_2）^n 層５の間にグラニュラー膜６（グラニュラー磁気光学薄膜）を介装して１次元フォトニック結晶（磁気光学体）１を構成した。 - 特許庁

To compensate an oxygen defect in a Ta2O5 film and to minimize the formation of an oxide film at the interface between the Ta2O5 film and an Si substrate during a heat treatment process for crystallizing the Ta2O5 film, and to minimize the diffusion of impurity elements in a channel doped region in a semiconductor device having the Ta2O5 film as a gate insulating film.例文帳に追加

Ｔａ_2 Ｏ_5 膜をゲート絶縁膜として有する半導体装置において、前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜中の酸素欠損を補償し、またこれを結晶化させる熱処理工程の際に前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜とＳｉ基板との界面において生じる酸化膜の形成を最小化し、またチャネルドープ領域中の不純物元素の拡散を最小化する。 - 特許庁

A BiYIG membrane 207 is filmed on a (SiO2/Ta2O5)n layer 210 and while cooling a heat non-resistant substrate 203 and the (SiO2/Ta2O5)n layer 210 via a substrate holder 201, the crystallizing heat treatment of the BiYIG membrane 207 is performed by infrared rays.例文帳に追加

（SiO_2 /Ta_2O_5）^n 層210 の上にBiYIG 薄膜207 を成膜し、基板ホルダ201 を介して非耐熱性基板203 及び（SiO_2 /Ta_2O_5）^n 層210 を冷却しつつ赤外線によりBiYIG 薄膜207 の結晶化熱処理を行う。 - 特許庁

The respective resonator filters 10a to 10c are coupled to each other in the state that Ta2O5 layers 24 are respectively interposed therebetween.例文帳に追加

各共振器型フィルタの間は、それぞれＴａ_2 Ｏ_5 層２４を介した状態で結合されている。 - 特許庁

In order to raise the temperature of Ta2O5 film to the crystallization temperature, at least either one of a position of the Ta2O5 film relative to a heater in a treatment chamber or a pressure in the treatment chamber is changed.例文帳に追加

前記Ｔａ_2Ｏ_5膜の温度を前記結晶化温度まで上げるために、処理室内においてヒーターに対する前記Ｔａ_2Ｏ_5膜の相対的な位置と前記処理室内における圧力のうち少なくとも一方を変える。 - 特許庁

Also, the first layer thin film is preferably constructed with a metal oxide layer such as Al2O3 or Ta2O5.例文帳に追加

また、この第１層目の薄膜は、Ａｌ_2Ｏ_3、Ｔａ_2Ｏ_5等の金属酸化物層で構成されることが好ましい。 - 特許庁

A Ta2O5 film 108 and a metal gate electrode 111 are provided inside a groove, where a sidewall comprises the sidewall insulating film 107.例文帳に追加

側壁が側壁絶縁膜１０７からなる溝の内部に、Ｔａ_2Ｏ_5膜１０８，メタルゲート電極１１１である。 - 特許庁