Tiwとは 意味・読み方・使い方

Setting the above area ratio to 0.02 or more and using the above etchant enable decreasing the etching degree of the TiW film 4 caused by the battery-effect between a CrSi resistor 3 and the TiW film 4 and suppress the undercut of the TiW film 4.例文帳に追加

また、上記面積比を０．０２以上にし、上記エッチング液を用いることで、ＣｒＳｉ抵抗３とＴｉＷ膜４との間の電池効果によるＴｉＷ膜４のエッチング量を少なくでき、ＴｉＷ膜４のアンダーカットを抑制できる。 - 特許庁

The lamination film 14 is formed by laminating a TiW layer 9, Cu layer 10, a ferromagnetic layer 15 of Ni, Cu layer 11, and a TiW layer 12 in this order.例文帳に追加

積層膜１４は、ＴｉＷ層９、Ｃｕ層１０、Ｎｉからなる強磁性体層１５、Ｃｕ層１１及びＴｉＷ層１２をこの順に積層して形成する。 - 特許庁

A TiW film having 3-5 nm film thickness is used for a base film 32 of the bias magnet film 31.例文帳に追加

バイアス磁石膜３１の下地膜３２に膜厚３ｎｍ〜５ｎｍのＴｉＷ膜を用いる。 - 特許庁

In manufacturing a semiconductor device 100, an etchant containing hydrogen peroxide and transition metal ions is used to selectively remove a second TiW film 115 and a first TiW film 111.例文帳に追加

半導体装置１００の製造において、過酸化水素と遷移金属イオンとを含むエッチング液を用いて第二のＴｉＷ膜１１５および第一のＴｉＷ膜１１１を選択的に除去する。 - 特許庁

In step S105, an unwanted Au film is removed, and in step S106, an unwanted TiW film is removed.例文帳に追加

ステップＳ１０５で不要なＡｕ膜を除去して、ステップＳ１０６で不要なＴｉＷ膜を除去する。 - 特許庁

A thin TiW barrier layer is formed between a sidewall spacer on an active surface and a top contact of aluminum.例文帳に追加

薄いＴiＷバリア層が能動表面の側壁スペーサとアルミニゥムのトップコンタクトとの間に設けられる。 - 特許庁

In step S107, iodine remaining in a region where the unwanted TiW film is removed is removed.例文帳に追加

ステップＳ１０７で、不要なＴｉＷ膜が除去された領域に残留するヨウ素を除去する。 - 特許庁

Even if a TiW nucleus 31 is generated through reaction of titanium 30 and tungsten during the second step of first time (a), a W nucleus 32 is formed on the TiW nucleus 31 during the second step of second or subsequent time (b).例文帳に追加

１回目の第２工程でチタン３０とタングステンの反応によりＴｉＷ核３１が生じた場合（ａ）でも、２回目以降の第２工程で、このＴｉＷ核３１の上にＷ核３２が形成される（ｂ）。 - 特許庁