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V regionとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 可変領域、可変部
「V region」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 270件
An active region 17 is formed between a group III-V compound semiconductor region 13 of a first conductivity type and a group III-V compound semiconductor region 15 of a second conductivity type.例文帳に追加
活性領域１７は、第１導電型III−V化合物半導体領域１３と第２導電型III−V化合物半導体領域１５との間に設けられている。 - 特許庁
Namely, V(t) is obtained in each channel by the equation V(t)=Va(t)-V(b)*Ra/Rb, and the range where V(t) exceeds a prescribed threshold is extracted, to thereby extract a defect expectation region D.例文帳に追加
すなわち、V(t)=Va(t)-V(b)*Ra/Rb により、各チャンネルごとにＶ（ｔ）を求め、これが所定の閾値を超える範囲を抽出することにより、欠陥候補領域Ｄを抽出する。 - 特許庁
The part operating with 3 V (region A) and the part operating with 5 V (region B) are divided regularly.例文帳に追加
３Ｖで動作する部分（領域Ａ）と、３Ｖまたは５Ｖで動作する部分（領域Ｂ）とを規則的に分けている。 - 特許庁
There is also a way to divide the Yayoi period into five (or six) periods, which are I (pre I) to V, outside the northern Kyushu region.発音を聞く 例文帳に追加
また、北部九州以外の地域では（先I～）I～Vの5(6)期に分ける方法もある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
The pneumatic classifier 3 is provided with a dispersing region V and a second classifying region S2 continuously provided to the dispersing region V.例文帳に追加
また、気流式分級機３は、分散領域Ｖと、その分散領域Ｖに連続して設けられた第二の分級領域Ｓ２とを備えている。 - 特許庁
This port is divided to a part (region A), to where the voltage of 3 V is applied to the gate electrode, and a part (region B) where the voltage of 3 V or 5 V is applied to the gate electrode.例文帳に追加
ポート１３を、ゲート電極に３Ｖの電圧が印加される部分（領域Ａ）と、ゲート電極に３Ｖまたは５Ｖの電圧が印加される部分（領域Ｂ）と、に分けている。 - 特許庁
The group III-V compound semiconductor region 13 of the first conductivity type contains an InP substrate 21 of the first conductivity type.例文帳に追加
第１導電型III−V化合物半導体領域１３は第１導電型のＩｎＰ基板２１を含む。 - 特許庁
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ライフサイエンス辞書での「V region」の意味 |
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V region
「V region」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 270件
A normally-off type transistor includes a first region of a III-V semiconductor material, a second region of the III-V semiconductor material on the first region, a third region of the III-V semiconductor material on the second region, and a gate electrode adjacent to at least one side wall of the third region.例文帳に追加
ノーマリーオフ型トランジスタは、ＩＩＩ−Ｖ半導体材料の第１の領域、第１の領域上のＩＩＩ−Ｖ半導体材料の第２の領域、第２の領域上のＩＩＩ−Ｖ半導体材料の第３の領域、および第３の領域の少なくとも１つの側壁に隣接するゲート電極を含む。 - 特許庁
The effective region SLA-V is formed with at least an alignment mark.例文帳に追加
有用領域ＳＬＡ−Ｖには少なくともアライメントマークが形成される。 - 特許庁
The outer side of the display region V is provided with an auxiliary liquid crystal region 17 where the inflow of the liquid crystals 4 in the display region V is possible and portions 19 not contg. the liquid crystals are formed.例文帳に追加
表示領域Ｖの外側に、表示領域Ｖ内の液晶４が流入できると共に液晶未入部分１９が形成される補助液晶領域１７を設ける。 - 特許庁
A hysteresis region H for maintaining a preceding control manner is provided between the position control region P and the speed control region V.例文帳に追加
位置制御領域Ｐと速度制御領域Ｖとの間には、従前の制御形態を維持するヒステリシス領域Ｈを設ける。 - 特許庁
In this antibody, CDRs of V region of the human antibody is substituted with CDRs of the mouse monoclonal antibody to the human IL-6R.例文帳に追加
この抗体においては、ヒト抗体のV領域のCDRがヒトIL-6Rに対するマウスモノクローナル抗体のCDRにより置き換えられている。 - 特許庁
A region judging unit 13 judges whether a region that a target pixel belongs is an edge region, a texture region, or a flat region and outputs region information resting on the basis of the smoothed value LPF (V).例文帳に追加
領域判定部１３は、平滑化値LPF（Ｖ）に基づいて、注目画素が属する領域が、エッジ領域、テクスチャ領域、またはフラット領域のうちのいずれであるかを判定して領域情報を出力する。 - 特許庁
The first conductive semiconductor region 13 consists of a group III-V compound semiconductor.例文帳に追加
第１導電型半導体領域１３はIII−Ｖ化合物半導体からなる。 - 特許庁
To suppress the diffusion of a p-type impurity (typically magnesium) contained in a semiconductor region of a III-V compound semiconductor into another adjacent semiconductor region.例文帳に追加
III-V族化合物半導体の半導体領域に含まれるｐ型の不純物（典型的にはマグネシウム）が隣接する他の半導体領域に拡散するのを抑制すること。 - 特許庁
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