VTNとは 意味・読み方・使い方

The oscillation frequency in the oscillation frequency range is changed by changing the control voltage VTN supplied to the variable capacitance diode D11.例文帳に追加

可変容量ダイオードＤ11に供給する制御電圧ＶTNを変更することにより発振周波数範囲における発振周波数を変更する。 - 特許庁

The temperature detection part is a resistance load type inverter circuit for outputting a detection signal at the point of time when the generated electric potential VF becomes a threshold voltage Vtn.例文帳に追加

温度検出部は、生成電位ＶＦが閾値電圧Ｖｔｎとなった時点で検出信号を出力する抵抗負荷型インバータ回路である。 - 特許庁

On the other hand, selection voltage VSPW is generated on the basis of a difference between low voltage out of the transmission signal and the target threshold voltage VTN.例文帳に追加

一方、上記の伝送信号のうち低い電圧と目標閾値電圧ＶＴＮとの差に基づいて選択電圧ＶＳＢＰＷを生成する。 - 特許庁

Therefore, a voltage of the source side of a feedback transistor cannot be higher than VCCP-Vtn (threshold of the (n) channel transistor) for large variation of the voltage source VCC.例文帳に追加

したがって、フィードバックトランジスタのソース側は、Ｖ_CC電圧源の大きな変動に対しても、Ｖ_CCP−Ｖ_tn（ｎチャネルトランジスタのしきい値）よりも高い電圧になり得ない。 - 特許庁

Accordingly, this circuit will operate normally, even if the amplitude voltage (3 V) of the input signal V1 is lower than the thresholds VTN of the n-type TFTs 7 and 8.例文帳に追加

したがって、入力信号ＶＩの振幅電圧（３Ｖ）がＮ型ＴＦＴ７，８のしきい値電圧ＶＴＮよりも低い場合でも正常に動作する。 - 特許庁

N channel MOS TRs are newly added to the conventional level shift circuit so as to always bring the gate potential for the N channel MOS TRs in cross connection a Vtn or over when it is turned on, independently of the capability of the MOS TRs so as to permit state transition even when P channel MOS TRs with an extremely high capacity are not employed.例文帳に追加

レベルシフト回路にNチャネル型MOSトランジスタを新たに追加することにより、たすきがけになるNチャネル型MOSトランジスタがONになる際のゲート電位をMOSトランジスタの能力に関係なく、必ずVtn以上にすることにより、Pチャネル型MOSトランジスタを極端に大きくしなくても、状態を遷移することができる。 - 特許庁

To provide a switching circuit incorporating a high voltage transistor protection technique for use in an integrated circuit device, which has dual voltage supplies which extends the maximum pumped voltage ('VCCP') for reliable MOS transistor operation to VCCP=VTN+(2*VCC), where VTN is the threshold voltage of the transistor and VCC is power supply voltage level.例文帳に追加

デュアル電圧源を有し、信頼性の高いＭＯＳトランジスタ動作のための最大のポンプされた電圧（「ＶＣＣＰ」）をＶＣＣＰ＝ＶＴＮ＋（２*ＶＣＣ）、ただしＶＴＮはトランジスタのしきい値電圧でありＶＣＣは電源電圧レベルである、に拡張する集積回路装置に使用される高電圧トランジスタ保護技術を組込むスイッチング回路を提供する。 - 特許庁

A Vt dependent voltage generation unit applies a voltage corresponding to a threshold voltage Vtn of an MOS transistor included in the unit 2 itself to a substrate of MOS transistors that the capacitive elements M5-M8 include.例文帳に追加

Ｖｔ依存電圧発生部２は、自己の有するＭＯＳトランジスタの閾値電圧Ｖｔｎに応じた電圧を、容量素子Ｍ５〜Ｍ８が有するＭＯＳトランジスタの基板に印加する。 - 特許庁