VI I Aとは 意味・読み方・使い方

To obtain a manufacturing device and a method capable of manufacturing a I-III-VI compound semiconductor thin film, while keeping it high in composition controllability and productivity by the use of a I-VI compound target, a III-VI target, an RF power supply, and a DC power supply.例文帳に追加

Ｉ−VI族化合物ターゲット、III−VI族ターゲット、ＲＦ電源およびＤＣ電源を用いることによって、組成の制御性および生産性よく、Ｉ−III−VI族化合物半導体薄膜を製造することができる化合物半導体薄膜の製造装置および製造方法を提供する。 - 特許庁

A photoelectric conversion device 10 has a I-III-VI compound semiconductor including a Group VI element which is a chalcogen element, as a main component, and includes a semiconductor layer 3 including a silicon element and an oxygen element.例文帳に追加

光電変換装置１０は、VI族元素がカルコゲン元素であるＩ−III−VI族化合物半導体を主成分とするとともに珪素元素および酸素元素を含む半導体層３を具備する。 - 特許庁

A crystalline form VI obtained by crystallizing a compound represented by formula (I) from isopropyl ether or from a water/ethanol mixture is provided.例文帳に追加

式（Ｉ）：で示される化合物をイソプロピルエーテル中または水/エタノール混合物中で晶出する結晶形VI。 - 特許庁

Sections I and IV of Chapter VI of the First Title of Book III of the Civil Code shall not apply to co-ownership of a patent application or a patent.発音を聞く 例文帳に追加

民法典第3巻第1編第VI章第I部及び第IV部の規定は，特許出願又は特許の共有に適用しない。 - 特許庁

Data of the voltage Vbi=Vi-Vi-1 of each cell Bi are collected in time series from the terminal voltage Vi(i=1-n) of each cell Bi(i=1-n) of a battery B, while discharging a discharge current I from the battery B.例文帳に追加

蓄電池Ｂから放電電流Ｉを放電させながら、蓄電池Ｂの各セルＢi （ｉ＝１、２…ｎ）の端子電圧Ｖi （ｉ＝１、２…ｎ）から、各セルＢi の電圧Ｖbi＝Ｖi −Ｖi-1 のデータを時系列的に採取する。 - 特許庁

The exchange of a coke oven door is carried out by (i) carbonization, (ii) removal of coke oven door, (iii) push of coke, (iv) attaching of a door, (v) adjustment of the door, (vi) charging of coal and (vii) carbonization of the coal.例文帳に追加

(i) 乾留、(ii)炉蓋取外し、(iii) 窯出し、(iv)炉蓋取付け、(v) 炉蓋調整、(vi)装炭、および(vii) 乾留という手順で、コークス炉の炉蓋の取替えを行う。 - 特許庁

A photoelectric conversion device 31 comprises: a light absorbing layer 3 containing a Group I-III-VI compound having a chalcopyrite structure; an intermediate layer 4 which is positioned on the light absorbing layer 3 and contains a Group III-VI compound having an amorphous or microcrystalline structure; and a buffer layer 5 which is positioned on the intermediate layer 4 and contains a Group VI compound having a crystal structure.例文帳に追加

光電変換装置３１は、カルコパイライト構造のＩ−III−VI族化合物を含む光吸収層３と、光吸収層３上に位置するアモルファスまたは微結晶構造のIII−VI族化合物を含む中間層４と、中間層４上に位置する結晶構造を有するVI族化合物を含むバッファ層５とを備える。 - 特許庁