VINTとは 意味・読み方・使い方
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「VINT」を含む例文一覧
該当件数 : 48件
The voltage Vb1h is reduced for the internal voltage Vint, especially, it is preferable that voltage Vb1h is reduced by almost 20% to 30% for the internal voltage Vint.例文帳に追加
電圧Vb1hは、内部電圧Vintに対して低減されたものであり、特に電圧Vb1hが内部電圧Vintに対してほぼ２０％から３０％ほど低減されていることが好ましい。 - 特許庁
A potential difference detecting circuit 13 detects the potential difference between a reference voltage VREF and an internal step-down power supply voltage VINT and amplifies that potential difference.例文帳に追加
電位差検出回路１３は、参照電圧（VREF）と内部降圧電源電圧（VINT）との電位差を検出し、その電位差を増幅する。 - 特許庁
In reading out of fuse/anti-fuse, voltage Vb1h deciding a high potential of a bit line BL of a memory cell array 6 is used instead of internal voltage Vint being general hitherto.例文帳に追加
ヒューズ／アンチヒューズの読み出しにおいて、これまで一般的であった内部電圧Vintに代えて、メモリーセルアレイ６のビット線BLの高ポテンシャルを定める電圧Vb1hを用いる。 - 特許庁
The inside power source generation circuit 4 generates inside power source voltage VINT on the basis of outside power source voltage VEXT, and the inside power source voltage VINT is supplied to an inside circuit 5.例文帳に追加
内部電源発生回路４は、外部電源電圧ＶＥＸＴに基づいて内部電源電圧ＶＩＮＴを発生し、該内部電源電圧ＶＩＮＴを内部回路５に供給する。 - 特許庁
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Wiktionary英語版での「VINT」の意味 |
vint
語源 1
Probably a back-formation from vintage, interpreted as vint + -age. Ultimately from Latin vinum (“wine”).
「VINT」を含む例文一覧
該当件数 : 48件
The power supply circuit 12 performs the power supply to the power supply VINT of the load circuit 14 when a voltage of the power supply VINT becomes less than the reference voltage VREF - ΔV.例文帳に追加
電源供給回路１２は、電源ＶＩＮＴの電圧が参照電圧ＶＲＥＦ−ΔＶを下回った場合に負荷回路１４の電源ＶＩＮＴに対して電源供給を行う。 - 特許庁
When the word line 142 is selected, consequently, the word line 142 is lifted quickly to a VINT level.例文帳に追加
したがって、ワード線１４２が選択される場合には速やかにＶＩＮＴレベルに引き上げられる。 - 特許庁
When usual operation is performed, a constant internal voltage VINT is outputted by the reference voltage VREF from the reference portion 2 by making the comparator circuit 7 inactive, and activating the reference portion 2.例文帳に追加
通常動作時には、コンパレータ回路７を不活性化し、内部電源基準電圧発生部２を活性化して内部電源基準電圧発生部２からの基準電圧VREFにより、一定の内部電圧VINTを出力する。 - 特許庁
The semiconductor device comprises: a VINT generation circuit 11 generating a constant voltage inside a chip; and a test circuit 12 connecting power supply wiring VDD supplying potential from the outside to wiring VINT supplying potential from the VINT generation circuit 11 via a prescribed value of resistance, based on control input in a test mode.例文帳に追加
本発明の半導体装置は、チップ内部で定電圧を生成するＶＩＮＴ発生回路１１と、テストモードにおいて、外部からの電位を供給する電源配線ＶＤＤとＶＩＮＴ発生回路１１からの電位を供給する配線ＶＩＮＴとを制御入力に基づいて所定の抵抗値で接続するテスト回路１２を有する。 - 特許庁
A semiconductor memory device 20 is provided with a voltage control circuit 23 for restoration used to supply a first internal voltage VINT which is lower than an external power-supply voltage Vcc, a second internal voltage VINTs1 which is lower than the first internal voltage VINT, and a third internal voltage VINTs2 which is lower than the first internal voltage VINT and which is higher than the second internal voltage VINTs1.例文帳に追加
半導体記憶装置２０は、外部電源電圧(Ｖcc)よりも低い第１の内部電圧ＶINT、第１の内部電圧ＶINTよりも低い第２の内部電圧ＶINTS１、及び、第１の内部電圧ＶINT以下で第２の内部電圧ＶINTS１よりも高い第３の内部電圧ＶINTS２を供給するリストア用電圧制御回路２３を有している。 - 特許庁
Internal power source voltage Vint generated by the power source voltage generating circuit 3 is supplied to a row group circuit 41.例文帳に追加
電源電圧生成回路３にて生成された内部電源電圧Ｖｉｎｔはロウ系回路４１に供給される。 - 特許庁
By a back gate voltage developing circuit 20, the 1st voltage VEXT and the 2nd voltage VINT are compared to develop a 3rd voltage VCLP lower than the voltage which is lower one in the 1st and 2nd voltages, then this 3rd voltage is supplied at least to the back gate of the 2nd transistor.例文帳に追加
バックゲート電圧生成回路２０は、第１の電圧VEXTと前記第２の電圧VINTを比較し、これら第１、第２の電圧のうちの低い電圧より低い第３の電圧VCLPを生成し、この第３の電圧を少なくとも第２のトランジスタのバックゲートに供給する。 - 特許庁
A filter circuit 106 that outputs the connection and disconnection signal by converting it to a desired output voltage value Vint by smoothing is arranged.例文帳に追加
上記断接信号を平滑化により所望の出力電圧値Ｖｉｎｔに変換して出力するフィルタ回路１０６を設ける。 - 特許庁
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