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W. (film)とは 意味・読み方・使い方
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ウィキペディア英語版での「W. (film)」の意味 |
W. (film)
出典:『Wikipedia』 (2011/07/12 07:35 UTC 版)
「W. (film)」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 1400件
A polyimide film is formed on the wafer W, and after the wafer W is subjected to a side rinsing treatment, the periphery of the wafer W is irradiated with a laser beam to solidify the film formed on the periphery of the wafer W.例文帳に追加
ポリイミド膜が形成されてサイドリンスされた後，レーザ光を周辺部に照射して周辺部の膜を固化する。 - 特許庁
A water film W is formed on its surface by condensing steam generated in the storage tank 41 by exchanging heat with an inner wall surface 32, and discharging is performed on the water film W by a water purifying discharge part 31, and a toxic substance included in this water film W is decomposed and removed by an active species, and the water film W is purified.例文帳に追加
貯留タンク（41）内で生成された水蒸気を内壁面（32）と熱交換させて凝縮させることでその表面に水膜（W）を形成し、水浄化用放電部（31）により水膜（W）に対して放電を行うことで、この水膜（W）に含まれる有害物質等を活性種で分解除去し、水膜（W）を浄化する。 - 特許庁
A W film 130 as a second conductor film is deposited, and the contact holes 125, 126 and 128 are filled with the W film.例文帳に追加
次に、第２の導体膜であるＷ膜１３０を堆積して、コンタクト孔１２５，１２６，１２８をＷ膜で埋める。 - 特許庁
A resist film 1 is formed on a silicon wafer W.例文帳に追加
シリコンウエハＷにレジスト膜１が成膜される。 - 特許庁
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「W. (film)」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 1400件
METHOD OF DEPOSITING TUNGSTEN FILM FROM W(CO)6例文帳に追加
Ｗ（ＣＯ）６からのタングステン膜の堆積方法 - 特許庁
A W silicide film (conductive film) 4b is formed onto the amorphous silicon film 2a.例文帳に追加
その非晶質シリコン膜２ａ上にＷシリサイド膜（導電膜）４ｂを形成する。 - 特許庁
A TiN film 4 of amorphous structure is laminated on the substrate 10, and a W film 6 is laminated thereon, and further the W film 6, TiN film 4 and Ti film 1 are removed to form a W plug 6a.例文帳に追加
基板１０の上にアモルファス構造のＴｉＮ膜４を堆積し、その上にＷ膜６を堆積し、Ｗ膜６、ＴｉＮ膜４およびＴｉ膜１を除去して、Ｗプラグ6aを形成する。 - 特許庁
Since abnormal W film formation results from the fact that a growth rate of a W film based on W nuclei initially formed is faster than a W nucleus formation rate on a TiN film, the W nucleus formation rate is set to be faster than the growth rate of the W film.例文帳に追加
Ｗの異常成膜は、初期に形成されたＷ核でのＷ膜の成長速度が、ＴｉＮ膜上でのＷ核形成速度よりも速いことに起因して発生していることから、Ｗ核形成速度を、Ｗ核でのＷ膜の成長速度よりも速くする。 - 特許庁
In succession, the W plug is formed by removing the TiN film and the Ti film on an insulator film with a method of not preferentially removing the W film.例文帳に追加
続いて、Ｗ膜を優先的に除去しない方法により絶縁体膜上のＴｉＮ膜及びＴｉ膜を除去することでＷプラグを形成する。 - 特許庁
The upper side of the substrate W becomes a film-formed surface.例文帳に追加
これにより、基板Ｗの上面が成膜面となる。 - 特許庁
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